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Transistor(1222)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Tipo FET	Condizione di prova	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tempo di recupero inverso (trr)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C
IRFS4615PBF	0,7100	Richiesta di offerta	2582	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3				EAR99	8541.29.0095	59	CanaleN		150 V	33A(Tc)	10 V	42 mOhm a 21 A, 10 V	5 V a 100 µA	40 nC a 10 V	±20 V	1750 pF a 50 V	-	144 W(Tc)
AURFBA1405	-	Richiesta di offerta	2709	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-273AA			MOSFET (ossido di metallo)		SUPER-220™ (TO-273AA)	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	163	CanaleN		55 V	95A (Tc)	10 V	5 mOhm a 101 A, 10 V	4 V a 250 µA	260 nC a 10 V	±20 V	5480 pF a 25 V	-	330 W(Tc)
IRF343	1.4200	Richiesta di offerta	5900	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-204AA, TO-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-3	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	0000.00.0000	165	CanaleN		350 V	8A (Tc)		800 mOhm a 5 A, 10 V	4 V a 250 µA	60 nC a 10 V	±20 V	1600 pF a 25 V	-	125 W (Tc)
AUIRFR5505-IR	-	Richiesta di offerta	6682	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		D-Pak	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1	Canale P		55 V	18A (Tc)	10 V	110 mOhm a 9,6 A, 10 V	4 V a 250 µA	32 nC a 10 V	±20 V	650 pF a 25 V	-	57 W(Tc)
IRFB5620PBF	-	Richiesta di offerta	8564	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento		Venditore non definito	REACH Inalterato	2156-IRFB5620PBF-600047			1	CanaleN		200 V	25A (Tc)	10 V	72,5 mOhm a 15 A, 10 V	5 V a 100 µA	38 nC a 10 V	±20 V	1710 pF a 50 V	-	144 W(Tc)
AUIRLZ44Z	-	Richiesta di offerta	2648	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN		55 V	51A(Tc)	4,5 V, 10 V	13,5 mOhm a 31 A, 10 V	3 V a 250 µA	36 nC a 5 V	±16V	1620 pF a 25 V	-	80 W (Tc)
IRLR024NPBF	1.0000	Richiesta di offerta	1089	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		D-Pak	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1	CanaleN		55 V	17A(Tc)	4 V, 10 V	65 mOhm a 10 A, 10 V	2 V a 250 µA	15 nC a 5 V	±16V	480 pF a 25 V	-	45 W (Tc)
IRFR1010ZTRLPBF	-	Richiesta di offerta	1966	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		D-Pak	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1	CanaleN		55 V	42A(Tc)	10 V	7,5 mOhm a 42 A, 10 V	4 V a 100 µA	95 nC a 10 V	±20 V	2840 pF a 25 V	-	140 W(Tc)
AUIRF3808	2.0000	Richiesta di offerta	1	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	151	CanaleN		75 V	140A (Tc)		7 mOhm a 82 A, 10 V	4 V a 250 µA	220 nC a 10 V		5310 pF a 25 V	-	330 W(Tc)
IRF9240	5.6400	Richiesta di offerta	11	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-204AA, TO-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-204AA (TO-3)	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1	Canale P		200 V	11A(Tc)	10 V	580 mOhm a 11 A, 10 V	4 V a 250 µA	60 nC a 10 V	±20 V	1200 pF a 25 V	-	125 W (Tc)
AUIRLU024Z	0,4800	Richiesta di offerta	13	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA			MOSFET (ossido di metallo)		I-PAK	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN		55 V	16A (Tc)	4,5 V, 10 V	58 mOhm a 9,6 A, 10 V	3 V a 250 µA	9,9 nC a 5 V	±16V	380 pF a 25 V	-	35 W (Tc)
AUIRLR024Z	0,5800	Richiesta di offerta	21	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		D-Pak	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		55 V	16A (Tc)	4,5 V, 10 V	58 mOhm a 9,6 A, 10 V	3 V a 250 µA	9,9 nC a 5 V	±16V	380 pF a 25 V	-	35 W (Tc)
IRF7821PBF	1.0000	Richiesta di offerta	9751	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 155°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)			MOSFET (ossido di metallo)		8-SO	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		30 V	13,6A(Ta)	4,5 V, 10 V	9,1 mOhm a 13 A, 10 V	1 V a 250 µA	14 nC a 4,5 V	±20 V	1010 pF a 15 V	-	2,5 W(Ta)
IRFR4104TRLPBF	-	Richiesta di offerta	2698	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		D-Pak	scaricamento						0000.00.0000	1	CanaleN		40 V	42A(Tc)	10 V	5,5 mOhm a 42 A, 10 V	4 V a 250 µA	89 nC a 10 V	±20 V	2950 pF a 25 V	-	140 W(Tc)
IRFH3707TRPBF	0,1500	Richiesta di offerta	1456	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN			MOSFET (ossido di metallo)		8-PQFN (3x3)	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	250	CanaleN		30 V	12A (Ta), 29A (Tc)	4,5 V, 10 V	12,4 mOhm a 12 A, 10 V	2,35 V a 25 µA	8,1 nC a 4,5 V	±20 V	755 pF a 15 V	-	2,8 W(Ta)
IRGP4760-EPBF	2.6400	Richiesta di offerta	4	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		325 W	TO-247 d.C	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		400 V, 48 A, 10 Ohm, 15 V												-	650 V	90A	144A	2 V a 15 V, 48 A	1,7 mJ (acceso), 1 mJ (spento)	145 nC	70ns/140ns
AUIRFP4409	3.1200	Richiesta di offerta	8	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-247AC	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN		300 V	38A(Tc)	10 V	69 mOhm a 24 A, 10 V	5 V a 250 µA	125 nC a 10 V	±20 V	5168 pF a 50 V	-	341 W(Tc)
IRLH6224TRPBF	1.0000	Richiesta di offerta	5726	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN			MOSFET (ossido di metallo)		8-PQFN (5x6)	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1	CanaleN		20 V	28A (Ta), 105A (Tc)	2,5 V, 4,5 V	3 mOhm a 20 A, 4,5 V	1,1 V a 50 µA	86 nC a 10 V	±12V	3710 pF a 10 V	-	3,6 W (Ta), 52 W (Tc)
AUIRF2903Z	2.1000	Richiesta di offerta	2	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN		30 V	160A(Tc)	10 V	2,4 mOhm a 75 A, 10 V	4 V a 250 µA	240 nC a 10 V	±20 V	6320 pF a 25 V	-	290 W(Tc)
IRFU5305PBF	-	Richiesta di offerta	9283	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA			MOSFET (ossido di metallo)		IPAK (TO-251AA)	scaricamento		Venditore non definito	REACH Inalterato	2156-IRFU5305PBF-600047	EAR99	0000.00.0000	1	Canale P		55 V	31A(Tc)	10 V	65 mOhm a 16 A, 10 V	4 V a 250 µA	63 nC a 10 V	±20 V	1200 pF a 25 V	-	110 W (Tc)
IRFAE32	5.7800	Richiesta di offerta	523	Raddrizzatore internazionale	*	Massa	Attivo									-	Non applicabile	3 (168 ore)	Venditore non definito		EAR99	8542.39.0001	1
IRFHM4234TRPBF	0,3900	Richiesta di offerta	1	Raddrizzatore internazionale	FASTIRFET™, HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Tampone esposto 8-TQFN			MOSFET (ossido di metallo)			scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	770	CanaleN		25 V	20A (Ta)	4,5 V, 10 V	4,4 mOhm a 30 A, 10 V	2,1 V a 25 µA	17 nC a 10 V	±20 V	1011 pF a 13 V	-	2,8 W (Ta), 28 W (Tc)
AUIRLU3114Z-701TRL	1.0800	Richiesta di offerta	2	Raddrizzatore internazionale	Automotive, AEC-Q101, HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA			MOSFET (ossido di metallo)		PG-TO251-3	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN		40 V	42A(Tc)	4,5 V, 10 V	4,9 mOhm a 42 A, 10 V	2,5 V a 100 µA	56 nC a 4,5 V	±16V	3810 pF a 25 V	-	140 W(Tc)
IRFR220NPBF	1.0000	Richiesta di offerta	3436	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		D-Pak	scaricamento						0000.00.0000	1	CanaleN		200 V	5A (Tc)	10 V	600 mOhm a 2,9 A, 10 V	4 V a 250 µA	23 nC a 10 V	±20 V	300 pF a 25 V	-	43 W (Tc)
AUIRFB3806-IR	-	Richiesta di offerta	6895	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-AUIRFB3806-IR	EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		60 V	43A(Tc)		15,8 mOhm a 43 A, 10 V	-		-		-	71 W(Tc)
IRGP4069D-EPBF	-	Richiesta di offerta	8386	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		268 W	TO-247 d.C	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1		400 V, 35 A, 10 Ohm, 15 V											120 n	Trincea	600 V	76A	105A	1,85 V a 15 V, 35 A	390μJ (acceso), 632μJ (spento)	104 nC	46ns/105ns
AUIRLR024N	0,6000	Richiesta di offerta	11	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		D-Pak	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		55 V	17A(Tc)	4 V, 10 V	65 mOhm a 10 A, 10 V	2 V a 250 µA	15 nC a 5 V	±16V	480 pF a 25 V	-	45 W (Tc)
AUIRLR2703TRL	0,9100	Richiesta di offerta	2	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		D-Pak	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN		30 V	20A (Tc)		45 mOhm a 14 A, 10 V	1 V a 250 µA	15 nC a 4,5 V		450 pF a 25 V	-	45 W (Tc)
AUIRF7665S2TR	-	Richiesta di offerta	9867	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	DirectFET™ SB isometrico	AUIRF7665		MOSFET (ossido di metallo)		DIRECTFET SB	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		100 V	4,1 A (Ta), 14,4 A (Tc)	10 V	62 mOhm a 8,9 A, 10 V	5 V a 25 µA	13 nC a 10 V	±20 V	515 pF a 25 V	-	2,4 W (Ta), 30 W (Tc)
AUIRFS4010-7P	-	Richiesta di offerta	1043	Raddrizzatore internazionale	Automotive, AEC-Q101, HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		100 V	190A(Tc)		4 mOhm a 110 A, 10 V	4 V a 250 µA	230 nC a 10 V	±20 V	9830 pF a 50 V	-	380 W(Tc)