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Transistor(1222)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Condizione di prova	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tempo di recupero inverso (trr)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C
IRFH3707TRPBF	0,1500	Richiesta di offerta	1456	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN			MOSFET (ossido di metallo)		8-PQFN (3x3)	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	250		CanaleN		30 V	12A (Ta), 29A (Tc)	4,5 V, 10 V	12,4 mOhm a 12 A, 10 V	2,35 V a 25 µA	8,1 nC a 4,5 V	±20 V	755 pF a 15 V	-	2,8 W(Ta)
IKA08N65H5XKSA1	-	Richiesta di offerta	2861	Raddrizzatore internazionale	TRENCHSTOP™5	Massa	Attivo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo		Standard		31,2 W	PG-TO220-3-111	-	RoHS non conforme		Venditore non definito	2156-IKA08N65H5XKSA1-600047			1			400 V, 4 A, 48 Ohm, 15 V											40 ns	Sosta sul campo di trincea	650 V	10,8 A	24A	2,1 V a 15 V, 8 A	70μJ (acceso), 30μJ (spento)	22 nC	11ns/115ns
AUIRF2804S	-	Richiesta di offerta	5701	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		40 V	195A(Tc)	10 V	2 mOhm a 75 A, 10 V	4 V a 250 µA	240 nC a 10 V	±20 V	6450 pF a 25 V	-	300 W(Tc)
AUIRFR3504Z	0,8200	Richiesta di offerta	7953	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		D-Pak	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		40 V	42A(Tc)	10 V	9 mOhm a 42 A, 10 V	4 V a 250 µA	45 nC a 10 V	±20 V	1510 pF a 25 V	-	90 W (Tc)
IRFI7536GPBF-IR	-	Richiesta di offerta	5802	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo			MOSFET (ossido di metallo)		Pacchetto completo TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		60 V	86A(Tc)	10 V	3,4 mOhm a 75 A, 10 V	4 V a 150 µA	195 nC a 10 V	±20 V	6600 pF a 48 V	-	75 W (Tc)
AUIRLR3410TR	1.1100	Richiesta di offerta	14	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	AUIRLR3410		MOSFET (ossido di metallo)		D-Pak	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		100 V	17A(Tc)	4 V, 10 V	105 mOhm a 10 A, 10 V	2 V a 250 µA	34 nC a 5 V	±16V	800 pF a 25 V	-	79 W(Tc)
AUIRFZ44NSTRL	1.1600	Richiesta di offerta	12	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D²PAK	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	800		CanaleN		55 V	49A(Tc)		17,5 mOhm a 25 A, 10 V	4 V a 250 µA	63 nC a 10 V		1470 pF a 25 V	-	3,8 W (Ta), 94 W (Tc)
IRF123	0,6300	Richiesta di offerta	738	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-204AA, TO-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-3	scaricamento	RoHS non conforme	3 (168 ore)	Venditore non definito		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		60 V	7A(Tc)	10 V	400 mOhm a 4 A, 10 V	4 V a 250 µA	15 nC a 10 V	±20 V	600 pF a 25 V	-	40 W (Tc)
AUIRF3808S	-	Richiesta di offerta	8699	Raddrizzatore internazionale	Automotive, AEC-Q101, HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		75 V	106A(Tc)		7 mOhm a 82 A, 10 V	4 V a 250 µA	220 nC a 10 V	±20 V	5310 pF a 25 V	-	200 W (Tc)
IRGP4266DPBF	-	Richiesta di offerta	6264	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		455 W	TO-247AC	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1			400 V, 75 A, 10 Ohm, 15 V											170 n	-	650 V	140A	300 A	2,1 V a 15 V, 75 A	2,5 mJ (acceso), 2,2 mJ (spento)	210 nC	50ns/200ns
IRF9143	4.3400	Richiesta di offerta	80	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-	Foro passante	TO-204AE			MOSFET (ossido di metallo)		TO-204AE	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	0000.00.0000	80		Canale P		80 V	15A		-	-		-		Standard	125 W
94-2403	-	Richiesta di offerta	3334	Raddrizzatore internazionale	*	Massa	Attivo									-						0000.00.0000	1
AUIRFR8401TRL	-	Richiesta di offerta	6221	Raddrizzatore internazionale	Automotive, AEC-Q101, HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		D-Pak	scaricamento						0000.00.0000	1		CanaleN		40 V	100A (Tc)	10 V	4,25 mOhm a 60 A, 10 V	3,9 V a 50 µA	63 nC a 10 V	±20 V	2200 pF a 25 V	-	79 W(Tc)
IRLR8256TRPBF	-	Richiesta di offerta	4087	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		D-Pak	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1		CanaleN		25 V	81A(Tc)	4,5 V, 10 V	5,7 mOhm a 25 A, 10 V	2,35 V a 25 µA	15 nC a 4,5 V	±20 V	1470 pF a 13 V	-	63 W (Tc)
IRF2804S-7PPBF	-	Richiesta di offerta	8303	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-7, D²Pak (6 derivazioni + linguatta), TO-263CB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK (7 conduttori)	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		40 V	160A(Tc)	10 V	1,6 mOhm a 160 A, 10 V	4 V a 250 µA	260 nC a 10 V	±20 V	6930 pF a 25 V	-	330 W(Tc)
IRF253	2.0200	Richiesta di offerta	7000	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-	Foro passante	TO-204AA			MOSFET (ossido di metallo)		TO-3	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	19		CanaleN		150 V	25A		-	-		-		-	150 W
IRFR13N20DPBF-IR	-	Richiesta di offerta	3841	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		TO-252AA	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		200 V	13A (Tc)		235 mOhm a 8 A, 10 V	5,5 V a 250 µA	38 nC a 10 V	±30 V	830 pF a 25 V	-	110 W (Tc)
IRL3803VPBF	1.0000	Richiesta di offerta	5678	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		30 V	140A (Tc)	4,5 V, 10 V	5,5 mOhm a 71 A, 10 V	1 V a 250 µA	76 nC a 4,5 V	±16V	3720 pF a 25 V	-	200 W (Tc)
AUIRF1405ZL-308	1.6000	Richiesta di offerta	22	Raddrizzatore internazionale	Automotive, AEC-Q101, HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA			MOSFET (ossido di metallo)		TO-262	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		55 V	150A (Tc)	10 V	4,9 mOhm a 75 A, 10 V	4 V a 250 µA	180 nC a 10 V	±20 V	4780 pF a 25 V	-	230 W(Tc)
IRGP35B60PDPBF	-	Richiesta di offerta	9966	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		308 W	TO-247AC	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1			390 V, 22 A, 3,3 Ohm, 15 V											42 ns	TNP	600 V	60A	120A	2,55 V a 15 V, 35 A	220μJ (acceso), 215μJ (spento)	240 nC	26ns/110ns
AUIRL7736M2TR	1.0000	Richiesta di offerta	6393	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	DirectFET™ isometrico M4			MOSFET (ossido di metallo)		DirectFET™ isometrico M4	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		40 V	179A(Tc)	4,5 V, 10 V	3 mOhm a 67 A, 10 V	2,5 V a 150 µA	78 nC a 4,5 V	±16V	5055 pF a 25 V	-	2,5 W (Ta), 63 W (Tc)
IRF9952QPBF	-	Richiesta di offerta	7036	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Tubo	Obsoleto		Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	IRF995		MOSFET (ossido di metallo)	2 W	8-SO	scaricamento	Conformità ROHS3				EAR99	8541.29.0095	190	Canali N e P			30 V	3,5 A, 2,3 A		100 mOhm a 2,2 A, 10 V	1 V a 250 µA	14nC a 10V		190 pF a 15 V	Porta a livello logico
IRF3710STRRPBF-IR	1.0000	Richiesta di offerta	5353	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		100 V	57A(Tc)		23 mOhm a 28 A, 10 V	4 V a 250 µA	130 nC a 10 V	±20 V	3130 pF a 25 V	-	200 W (Tc)
AUIRL7766M2TR	1.7800	Richiesta di offerta	37	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	DirectFET™ isometrico M4			MOSFET (ossido di metallo)		DirectFET™ isometrico M4	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		100 V	10A (Ta)	4,5 V, 10 V	10 mOhm a 31 A, 10 V	2,5 V a 150 µA	66 nC a 4,5 V	±16V	5305 pF a 25 V	-	2,5 W (Ta), 62,5 W (Tc)
IRLL3303PBF	-	Richiesta di offerta	5319	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA			MOSFET (ossido di metallo)		SOT-223	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	160		CanaleN		30 V	4,6A(Ta)		31 mOhm a 4,6 A, 10 V	1 V a 250 µA	50 nC a 10 V	±16V	840 pF a 25 V	-	1 W (Ta)
IRFB4615PBF	-	Richiesta di offerta	8373	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1		CanaleN		150 V	35A (Tc)	10 V	39 mOhm a 21 A, 10 V	5 V a 100 µA	26 nC a 10 V	±20 V	1750 pF a 50 V	-	144 W(Tc)
IRGR4045DPBF	0,8100	Richiesta di offerta	1	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	IRGR4045	Standard		77 W	D-Pak	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1			400 V, 6 A, 47 Ohm, 15 V											74 ns	Trincea	600 V	12A	18A	2 V a 15 V, 6 A	56μJ (acceso), 122μJ (spento)	19,5 nC	27ns/75ns
IRG4IBC20UDPBF	0,9700	Richiesta di offerta	272	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo		Standard		34 W	TO-220AB Pacchetto completo	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1			480 V, 6,5 A, 50 Ohm, 15 V											37 nn	-	600 V	11,4 A	52A	2,1 V a 15 V, 6,5 A	160μJ (acceso), 130μJ (spento)	27 nC	39ns/93ns
IRFF9231	4.3400	Richiesta di offerta	3	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-	Foro passante	TO-205AF Lattina di metallo			MOSFET (ossido di metallo)		TO-205AF (TO-39)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		150 V	4A(Tc)		-	-		-		-	25 W
IRFL024NPBF	-	Richiesta di offerta	7709	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA			MOSFET (ossido di metallo)		SOT-223	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		55 V	2,8A(Ta)	10 V	75 mOhm a 2,8 A, 10 V	4 V a 250 µA	18,3 nC a 10 V	±20 V	400 pF a 25 V	-	1 W (Ta)