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Transistor(1222)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Tipo FET	Condizione di prova	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tempo di recupero inverso (trr)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C
IRFB4615PBF	-	Richiesta di offerta	8373	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1	CanaleN		150 V	35A (Tc)	10 V	39 mOhm a 21 A, 10 V	5 V a 100 µA	26 nC a 10 V	±20 V	1750 pF a 50 V	-	144 W(Tc)
IRG4IBC20UDPBF	0,9700	Richiesta di offerta	272	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo		Standard		34 W	TO-220AB Pacchetto completo	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		480 V, 6,5 A, 50 Ohm, 15 V											37 nn	-	600 V	11,4 A	52A	2,1 V a 15 V, 6,5 A	160μJ (acceso), 130μJ (spento)	27 nC	39ns/93ns
AUIRF4104STRL	1.4000	Richiesta di offerta	456	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN		40 V	75A (Tc)		5,5 mOhm a 75 A, 10 V	4 V a 250 µA	100 nC a 10 V		3000 pF a 25 V	-	140 W(Tc)
AUIRLS3034	2.6100	Richiesta di offerta	4	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		40 V	195A(Tc)	4,5 V, 10 V	1,7 mOhm a 195 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	162 nC a 4,5 V	±20 V	10315 pF a 25 V	-	375 W(Tc)
IRFF9231	4.3400	Richiesta di offerta	3	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-	Foro passante	TO-205AF Lattina di metallo			MOSFET (ossido di metallo)		TO-205AF (TO-39)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		150 V	4A(Tc)		-	-		-		-	25 W
IRFL024NPBF	-	Richiesta di offerta	7709	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA			MOSFET (ossido di metallo)		SOT-223	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		55 V	2,8A(Ta)	10 V	75 mOhm a 2,8 A, 10 V	4 V a 250 µA	18,3 nC a 10 V	±20 V	400 pF a 25 V	-	1 W (Ta)
IRFB61N15DPBF	-	Richiesta di offerta	4102	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		150 V	60A (Tc)		32 mOhm a 36 A, 10 V	5,5 V a 250 µA	140 nC a 10 V	±30 V	3470 pF a 25 V	-	2,4 W (Ta), 330 W (Tc)
IRG7PH35UPBF	2.4500	Richiesta di offerta	3	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		210 W	TO-247AC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		600 V, 20 A, 10 Ohm, 15 V												Trincea	1200 V	55A	60A	2,2 V a 15 V, 20 A	1,06 mJ (acceso), 620 µJ (spento)	130 nC	30ns/160ns
IRLU3103PBF	-	Richiesta di offerta	1234	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA			MOSFET (ossido di metallo)		IPAK (TO-251AA)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		30 V	55A (Tc)		19 mOhm a 33 A, 10 V	1 V a 250 µA	50 nC a 4,5 V	±16V	1600 pF a 25 V	-	107 W(Tc)
IRLR8726PBF	-	Richiesta di offerta	4307	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		TO-252AA	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		30 V	86A(Tc)		5,8 mOhm a 25 A, 10 V	2,35 V a 50 µA	23 nC a 4,5 V	±20 V	2150 pF a 15 V	-	75 W (Tc)
IRFS7540PBF	-	Richiesta di offerta	3973	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®, StrongIRFET™	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		60 V	110A (Tc)	6 V, 10 V	5,1 mOhm a 65 A, 10 V	3,7 V a 100 µA	130 nC a 10 V	±20 V	4555 pF a 25 V	-	160 W(Tc)
AUIRL3705ZS	1.4700	Richiesta di offerta	8	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN		55 V	75A (Tc)	4,5 V, 10 V	8 mOhm a 52 A, 10 V	3 V a 250 µA	60 nC a 5 V	±16V	2880 pF a 25 V	-	130 W(Tc)
AUIRFS4310Z	-	Richiesta di offerta	9242	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento		Venditore non definito	RAGGIUNGERE Interessato	2156-AUIRFS4310Z-600047	EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN		100 V	120A (Tc)	10 V	6 mOhm a 75 A, 10 V	4 V a 150 µA	170 nC a 10 V	±20 V	6860 pF a 50 V	-	250 W(Tc)
IRFR3410PBF	-	Richiesta di offerta	5795	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		TO-252AA	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		100 V	31A(Tc)		39 mOhm a 18 A, 10 V	4 V a 250 µA	56 nC a 10 V	±20 V	1690 pF a 25 V	-	3 W (Ta), 110 W (Tc)
IRGS4607DPBF	0,8500	Richiesta di offerta	850	Raddrizzatore internazionale	-	Tubo	Obsoleto	-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB		Standard		58 W	D2PAK	scaricamento	Non applicabile				EAR99	8541.29.0095	50		400 V, 4 A, 100 Ohm, 15 V											48 ns	-	600 V	11A	12A	2,05 V a 15 V, 4 A	140μJ (acceso), 62μJ (spento)	9 nC	27ns/120ns
IRFBA1404PPBF	1.5600	Richiesta di offerta	258	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-273AA			MOSFET (ossido di metallo)		SUPER-220™ (TO-273AA)	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1	CanaleN		40 V	206A(Tc)	10 V	3,7 mOhm a 95 A, 10 V	4 V a 250 µA	200 nC a 10 V	±20 V	7360 pF a 25 V	-	300 W(Tc)
IRFI4228PBF-IR	1.0800	Richiesta di offerta	280	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB Pacchetto completo	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	280	CanaleN		150 V	34A(Tc)	10 V	16 mOhm a 20 A, 10 V	5 V a 250 µA	110 nC a 10 V	±30 V	4560 pF a 25 V	-	46 W (Tc)
IRFS5615TRLPBF	-	Richiesta di offerta	4989	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	-	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		150 V	33A(Tc)	10 V	42 mOhm a 21 A, 10 V	5 V a 100 µA	40 nC a 10 V	±20 V	1750 pF a 50 V	-	144 W(Tc)
IRL3714ZSPBF	1.0000	Richiesta di offerta	9621	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	-	Conformità ROHS3				EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN		20 V	36A(Tc)	4,5 V, 10 V	16 mOhm a 15 A, 10 V	2,55 V a 250 µA	7,2 nC a 4,5 V	±20 V	550 pF a 10 V	-	35 W (Tc)
IRF3709STRLPBF	1.0000	Richiesta di offerta	8735	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		30 V	90A (Tc)	4,5 V, 10 V	9 mOhm a 15 A, 10 V	3 V a 250 µA	41 nC a 5 V	±20 V	2672 pF a 16 V	-	3,1 W (Ta), 120 W (Tc)
IRF1324S-7PPBF	-	Richiesta di offerta	1518	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-7, D²Pak (6 derivazioni + linguatta), TO-263CB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK (7 conduttori)	scaricamento						0000.00.0000	1	CanaleN		24 V	240A(Tc)	10 V	1 mOhm a 160 A, 10 V	4 V a 250 µA	252 nC a 10 V	±20 V	7700 pF a 19 V	-	300 W(Tc)
AUIRF9540N	1.0400	Richiesta di offerta	5	Raddrizzatore internazionale	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1	Canale P		100 V	23A (Tc)	10 V	117 mOhm a 11 A, 10 V	4 V a 250 µA	97 nC a 10 V	±20 V	1300 pF a 25 V	-	140 W(Tc)
AUIRFS3004-7TRL	-	Richiesta di offerta	1736	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-7, D²Pak (6 derivazioni + linguetta)			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK (7 conduttori)	scaricamento						0000.00.0000	1	CanaleN		40 V	240A(Tc)	10 V	1,25 mOhm a 195 A, 10 V	4 V a 250 µA	240 nC a 10 V	±20 V	9130 pF a 25 V	-	380 W(Tc)
AUIRFR1010Z	-	Richiesta di offerta	8387	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		D-PAK (TO-252AA)	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		55 V	42A(Tc)		7,5 mOhm a 42 A, 10 V	4 V a 100 µA	95 nC a 10 V		2840 pF a 25 V	-	140 W(Tc)
AUIRFR3607	-	Richiesta di offerta	7019	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	AUIRFR3607		MOSFET (ossido di metallo)		D-Pak	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		75 V	56A(Tc)	10 V	9 mOhm a 46 A, 10 V	4 V a 100 µA	84 nC a 10 V	±20 V	3070 pF a 50 V	-	140 W(Tc)
IRFR120NTRRPBF	-	Richiesta di offerta	9869	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo		Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		D-Pak	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	145	CanaleN		100 V	9,4 A(Tc)	10 V	210 mOhm a 5,6 A, 10 V	4 V a 250 µA	25 nC a 10 V	±20 V	330 pF a 25 V	-	48 W(Tc)
AUIRF3710ZSTRL	-	Richiesta di offerta	3571	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		PG-TO263-3	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN		100 V	59A(Tc)	10 V	18 mOhm a 35 A, 10 V	4 V a 250 µA	120 nC a 10 V	±20 V	2900 pF a 25 V	-	160 W(Tc)
IRFS4310PBF	-	Richiesta di offerta	4036	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1	CanaleN		100 V	130A (Tc)	10 V	7 mOhm a 75 A, 10 V	4 V a 250 µA	250 nC a 10 V	±20 V	7670 pF a 50 V	-	300 W(Tc)
IRF6721STRPBF	0,4400	Richiesta di offerta	14	Raddrizzatore internazionale	DirectFET™	Massa	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	DirectFET™ quadrato isometrico			MOSFET (ossido di metallo)		DirectFET™ quadrato isometrico	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	2.183	CanaleN		30 V	14A (Ta), 60A (Tc)		7,3 mOhm a 14 A, 10 V	2,4 V a 25 µA	17 nC a 4,5 V	±20 V	1430 pF a 15 V	-	2,2 W (Ta), 42 W (Tc)
AUIRL1404ZS	1.7000	Richiesta di offerta	11	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN		40 V	160A(Tc)	4,5 V, 10 V	3,1 mOhm a 75 A, 10 V	2,7 V a 250 µA	110 nC a 5 V	±16V	5080 pF a 25 V	-	200 W (Tc)