Richiesta di offerta
Distinta base
Contattaci

Tel: +86-0755-83501315

E-mail:sales@sic-components.com

Registrazione

Italiano

Transistor(1222)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Tipo FET	Condizione di prova	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tempo di recupero inverso (trr)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C
AUIRF1405ZS	-	Richiesta di offerta	3103	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN		55 V	150A (Tc)	10 V	4,9 mOhm a 75 A, 10 V	4 V a 250 µA	180 nC a 10 V	±20 V	4780 pF a 25 V	-	230 W(Tc)
IRGSL4640DPBF	2.2400	Richiesta di offerta	800	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA		Standard		250 W	TO-262	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	0000.00.0000	1		400 V, 24 A, 10 Ohm, 15 V											89 nn	-	600 V	65A	72A	1,9 V a 15 V, 24 A	115μJ (acceso), 600μJ (spento)	75 nC	41ns/104ns
AUIRFB8407	1.0000	Richiesta di offerta	8848	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN		40 V	195A(Tc)	10 V	2 mOhm a 100 A, 10 V	4 V a 150 µA	225 nC a 10 V	±20 V	7330 pF a 25 V	-	230 W(Tc)
IRFR4620PBF	-	Richiesta di offerta	3229	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		D-Pak	-	Non applicabile	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		200 V	24A (Tc)	10 V	78 mOhm a 15 A, 10 V	5 V a 100 µA	38 nC a 10 V	±20 V	1710 pF a 50 V	-	144 W(Tc)
IRLR120NPBF	-	Richiesta di offerta	8733	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		D-Pak	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		100 V	10A (Tc)	4 V, 10 V	185 mOhm a 6 A, 10 V	2 V a 250 µA	20 nC a 5 V	±16V	440 pF a 25 V	-	48 W (Tc)
IRFB3006GPBF	-	Richiesta di offerta	5939	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1	CanaleN		60 V	195A(Tc)	10 V	2,5 mOhm a 170 A, 10 V	4 V a 250 µA	300 nC a 10 V	±20 V	8970 pF a 50 V	-	375 W(Tc)
IRFR9120NPBF	-	Richiesta di offerta	8371	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	IRFR9120		MOSFET (ossido di metallo)		PG-TO252	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	0000.00.0000	1	Canale P		100 V	6,6 A(Tc)		480 mOhm a 3,9 A, 10 V	4 V a 250 µA	27 nC a 10 V	±20 V	350 pF a 25 V	-	40 W (Tc)
AUIRF1404ZS	1.5300	Richiesta di offerta	993	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN		40 V	160A(Tc)	10 V	3,7 mOhm a 75 A, 10 V	4 V a 250 µA	150 nC a 10 V	±20 V	4340 pF a 25 V	-	200 W (Tc)
IRGP4066PBF	1.0000	Richiesta di offerta	2016	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		454 W	TO-247AC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		400 V, 75 A, 10 Ohm, 15 V												Trincea	600 V	140A	225A	2,1 V a 15 V, 75 A	2.465 mJ (acceso), 2.155 mJ (spento)	225 nC	50ns/200ns
IRGP50B60PD1PBF	1.0000	Richiesta di offerta	4039	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		390 W	TO-247AC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		390 V, 33 A, 3,3 Ohm, 15 V											42 ns	TNP	600 V	75A	150A	2,85 V a 15 V, 50 A	255μJ (acceso), 375μJ (spento)	308 nC	30ns/130ns
IRLU3636PBF	1.0800	Richiesta di offerta	1	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA			MOSFET (ossido di metallo)		I-PAK	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	277	CanaleN		60 V	50A (Tc)	4,5 V, 10 V	6,8 mOhm a 50 A, 10 V	2,5 V a 100 µA	49 nC a 4,5 V	±16V	3779 pF a 50 V	-	143 W(Tc)
IRFS59N10DPBF	-	Richiesta di offerta	9071	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		100 V	59A(Tc)	10 V	25 mOhm a 35,4 A, 10 V	5,5 V a 250 µA	114 nC a 10 V	±30 V	2450 pF a 25 V	-	3,8 W (Ta), 200 W (Tc)
IRFH5255TRPBF	0,4900	Richiesta di offerta	4	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN			MOSFET (ossido di metallo)		8-PQFN (5x6)	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	4.000	CanaleN		25 V	15A (Ta), 51A (Tc)		6 mOhm a 15 A, 10 V	2,35 V a 25 µA	14,5 nC a 10 V	±20 V	988 pF a 13 V	-	3,6 W (Ta), 26 W (Tc)
IRG4PC40KPBF	-	Richiesta di offerta	1819	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		160 W	TO-247AC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		480 V, 25 A, 10 Ohm, 15 V												-	600 V	42A	84A	2,6 V a 15 V, 25 A	620μJ (acceso), 330μJ (spento)	180 nC	30ns/140ns
IRF7458PBF	-	Richiesta di offerta	5805	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)			MOSFET (ossido di metallo)		8-SO	-	Conformità ROHS3				EAR99	8541.29.0095	3.800	CanaleN		30 V	14A (Ta)	10 V, 16 V	8 mOhm a 14 A, 16 V	4 V a 250 µA	59 nC a 10 V	±30 V	2410 pF a 15 V	-	2,5 W(Ta)
IRF432	1.2100	Richiesta di offerta	1	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-	Foro passante	TO-204AA, TO-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-204AA (TO-3)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		500 V	4A	-	-	-		-		-	75 W
AUIRF1404ZSTRLCT	1.9900	Richiesta di offerta	548	Raddrizzatore internazionale	*	Massa	Attivo									scaricamento		Venditore non definito	REACH Inalterato	2156-AUIRF1404ZSTRLCT-600047			1
IRGIB7B60KDPBF	0,9500	Richiesta di offerta	1	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo		Standard		39 W	TO-220AB Pacchetto completo	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		400 V, 8 A, 50 Ohm, 15 V											95 ns	TNP	600 V	12A	24A	2,2 V a 15 V, 8 A	160μJ (acceso), 160μJ (spento)	29 nC	23ns/140ns
AUIRF1010ZS	-	Richiesta di offerta	2758	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		55 V	75A (Tc)	10 V	7,5 mOhm a 75 A, 10 V	4 V a 250 µA	95 nC a 10 V	±20 V	2840 pF a 25 V	-	140 W(Tc)
IRG7PH46U-EP	5.6600	Richiesta di offerta	3	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		469 W	TO-247 d.C	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1		600 V, 40 A, 10 Ohm, 15 V												Trincea	1200 V	130A	160A	2 V a 15 V, 40 A	2,56 mJ (acceso), 1,78 mJ (spento)	220 nC	45ns/410ns
AUIRFU8401	0,6100	Richiesta di offerta	8	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA			MOSFET (ossido di metallo)		I-PAK	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN		40 V	100A (Tc)	10 V	4,25 mOhm a 60 A, 10 V	3,9 V a 500 µA	63 nC a 10 V	±20 V	2200 pF a 25 V	-	79 W(Tc)
2N6806	1.8400	Richiesta di offerta	3210	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-204AA, TO-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-204AA (TO-3)	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	135	Canale P		200 V	6,5 A(Tc)	10 V	940 mOhm a 6,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	31 nC a 10 V	±20 V	700 pF a 25 V	-	75 W (Tc)