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Transistor(1222)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Condizione di prova	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tempo di recupero inverso (trr)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C
IRGPS4067DPBF	-	Richiesta di offerta	3738	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-274AA		Standard		750 W	SUPER-247™ (TO-274AA)	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	34			400 V, 120 A, 4,7 Ohm, 15 V											130 n	Trincea	600 V	240A	360A	2,05 V a 15 V, 120 A	5,75 mJ (acceso), 3,43 mJ (spento)	240 nC	80ns/190ns
IRG4BC40UPBF	1.8600	Richiesta di offerta	950	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3		Standard		160 W	TO-220AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1			480 V, 20 A, 10 Ohm, 15 V												-	600 V	40A	160A	2,1 V a 15 V, 20 A	320μJ (acceso), 350μJ (spento)	150 nC	34ns/110ns
IRG4PSC71UDPBF	-	Richiesta di offerta	1583	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-274AA		Standard		350 W	SUPER-247™ (TO-274AA)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1			480 V, 60 A, 5 Ohm, 15 V											82 ns	-	600 V	85A	200A	2 V a 15 V, 60 A	3,26 mJ (acceso), 2,27 mJ (spento)	340 nC	90ns/245ns
AUIRFS3607	2.0400	Richiesta di offerta	550	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		PG-TO263-3	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		75 V	80A (Tc)	10 V	9 mOhm a 46 A, 10 V	4 V a 100 µA	84 nC a 10 V	±20 V	3070 pF a 50 V	-	140 W(Tc)
AUIRF9952QTR	0,5700	Richiesta di offerta	42	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	AUIRF9952		MOSFET (ossido di metallo)	2 W	8-SO	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	4.000	Canali N e P			30 V	3,5 A, 2,3 A		100 mOhm a 2,2 A, 10 V	3 V a 250 µA	14nC a 10V		190 pF a 15 V	Porta a livello logico
IRG4IBC30WPBF	1.0000	Richiesta di offerta	5737	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo		Standard		45 W	TO-220AB Pacchetto completo	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1			480 V, 12 A, 23 Ohm, 15 V												-	600 V	17A	92A	2,7 V a 15 V, 12 A	130μJ (acceso), 130μJ (spento)	51 nC	25ns/99ns
IRGB4620DPBF	-	Richiesta di offerta	5085	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3		Standard		140 W	TO-220AB	-	RoHS non conforme		Venditore non definito	2156-IRGB4620DPBF-600047			1			400 V, 12 A, 22 Ohm, 15 V											68 ns	-	600 V	32A	36A	1,85 V a 15 V, 12 A	75μJ (acceso), 225μJ (spento)	25 nC	31ns/83ns
IRFR1205TRPBF	-	Richiesta di offerta	7056	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		D-Pak	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1		CanaleN		55 V	44A(Tc)	10 V	27 mOhm a 26 A, 10 V	4 V a 250 µA	65 nC a 10 V	±20 V	1300 pF a 25 V	-	107 W(Tc)
IRLR2908TRLPBF	-	Richiesta di offerta	4243	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		D-Pak	-	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		80 V	30A (Tc)	4,5 V, 10 V	28 mOhm a 23 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	33 nC a 4,5 V	±16V	1890 pF a 25 V	-	120 W (Tc)
IRF7311PBF	0,2900	Richiesta di offerta	6902	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	IRF731		MOSFET (ossido di metallo)	2 W	8-SO	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	40	2 canali N (doppio)			20 V	6,6 A		29 mOhm a 6 A, 4,5 V	700mV a 250μA	27nC a 4,5 V		900 pF a 15 V	Porta a livello logico
IRG7PH35UD-EP	4.6300	Richiesta di offerta	4	Raddrizzatore internazionale	*	Massa	Attivo									scaricamento		Venditore non definito	REACH Inalterato	2156-IRG7PH35UD-EP-600047			1
IRFH5007TR2PBF	-	Richiesta di offerta	2569	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Obsoleto		Montaggio superficiale	8-PowerTDFN			MOSFET (ossido di metallo)		8-PQFN (5x6)	scaricamento	Conformità ROHS3				EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN		75 V	17A (Ta), 100A (Tc)		5,9 mOhm a 50 A, 10 V	4 V a 150 µA	98 nC a 10 V		4290 pF a 25 V	-
IRFS3006TRL7PP	1.0000	Richiesta di offerta	4778	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-7, D²Pak (6 derivazioni + linguatta), TO-263CB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK (7 conduttori)	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1		CanaleN		60 V	240A(Tc)	10 V	2,1 mOhm a 168 A, 10 V	4 V a 250 µA	300 nC a 10 V	±20 V	8850 pF a 50 V	-	375 W(Tc)
IRLR8256PBF	-	Richiesta di offerta	9841	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		D-Pak	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	648		CanaleN		25 V	81A(Tc)	4,5 V, 10 V	5,7 mOhm a 25 A, 10 V	2,35 V a 25 µA	15 nC a 4,5 V	±20 V	1470 pF a 13 V	-	63 W (Tc)
IRGP6640DPBF	1.0000	Richiesta di offerta	2239	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		200 W	TO-247AC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1			400 V, 24 A, 10 Ohm, 15 V											70 ns	-	600 V	53A	72A	1,95 V a 15 V, 24 A	300μJ (acceso), 840μJ (spento)	50 nC	40ns/100ns
IRFH7194TRPBF	-	Richiesta di offerta	5509	Raddrizzatore internazionale	FASTIRFET™, HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN			MOSFET (ossido di metallo)		8-PQFN (5x6)	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		100 V	11A (Ta), 35A (Tc)	10 V	16,4 mOhm a 21 A, 10 V	3,6 V a 50 µA	19 nC a 10 V	±20 V	733 pF a 50 V	-	3,6 W (Ta), 39 W (Tc)
IRG4PC40FPBF	2.3700	Richiesta di offerta	202	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		160 W	TO-247AC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	127			480 V, 27 A, 10 Ohm, 15 V												-	600 V	49A	200A	1,7 V a 15 V, 27 A	370 µJ (acceso), 1,81 mJ (spento)	100 nC	26ns/240ns
IRG7PH35UD1-EP	3.3300	Richiesta di offerta	586	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		179 W	TO-247 d.C	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	91			600 V, 20 A, 10 Ohm, 15 V												Trincea	1200 V	50A	150A	2,2 V a 15 V, 20 A	620μJ (spento)	130 nC	-/160ns
IRG4IBC10UDPBF	-	Richiesta di offerta	3891	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3		Standard		25 W	PG-TO220-3	-	RoHS non conforme		Venditore non definito	2156-IRG4IBC10UDPBF-600047			1			480 V, 5 A, 100 Ohm, 15 V											28 ns	-	600 V	6,8 A	27A	2,6 V a 15 V, 5 A	140μJ (acceso), 120μJ (spento)	15 nC	40ns/87ns
AUIRFZ44ZS	-	Richiesta di offerta	7450	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		55 V	51A(Tc)	10 V	13,9 mOhm a 31 A, 10 V	4 V a 250 µA	43 nC a 10 V	±20 V	1420 pF a 25 V	-	80 W (Tc)
IRLL024NPBF	-	Richiesta di offerta	6013	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA			MOSFET (ossido di metallo)		SOT-223	-	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		55 V	3.1A (Ta)		65 mOhm a 3,1 A, 10 V	2 V a 250 µA	15,6 nC a 5 V	±16V	510 pF a 25 V	-	1 W (Ta)
IRF225	2.1600	Richiesta di offerta	288	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-	Foro passante	TO-204AA, TO-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-204AA (TO-3)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		250 V	3,3 A	-	-	-		-		-	40 W
IRFBA90N20DPBF	-	Richiesta di offerta	5308	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-273AA			MOSFET (ossido di metallo)		SUPER-220™ (TO-273AA)	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		200 V	98A (Tc)	10 V	23 mOhm a 59 A, 10 V	5 V a 250 µA	240 nC a 10 V	±30 V	6080 pF a 25 V	-	650 W(Tc)
AUIRF1010ZS	-	Richiesta di offerta	2758	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		55 V	75A (Tc)	10 V	7,5 mOhm a 75 A, 10 V	4 V a 250 µA	95 nC a 10 V	±20 V	2840 pF a 25 V	-	140 W(Tc)
IRGIB7B60KDPBF	0,9500	Richiesta di offerta	1	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo		Standard		39 W	TO-220AB Pacchetto completo	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1			400 V, 8 A, 50 Ohm, 15 V											95 ns	TNP	600 V	12A	24A	2,2 V a 15 V, 8 A	160μJ (acceso), 160μJ (spento)	29 nC	23ns/140ns
AUIRF1404ZSTRLCT	1.9900	Richiesta di offerta	548	Raddrizzatore internazionale	*	Massa	Attivo									scaricamento		Venditore non definito	REACH Inalterato	2156-AUIRF1404ZSTRLCT-600047			1
IRLR7843PBF	-	Richiesta di offerta	1539	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		D-Pak	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		30 V	161A(Tc)	4,5 V, 10 V	3,3 mOhm a 15 A, 10 V	2,3 V a 250 µA	50 nC a 4,5 V	±20 V	4380 pF a 15 V	-	140 W(Tc)
IRF323	0,6400	Richiesta di offerta	901	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-	Foro passante	TO-204AA, TO-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-204AA (TO-3)	scaricamento	RoHS non conforme	3 (168 ore)	Venditore non definito		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		350 V	2,8 A	-	-	-		-		-	50 W
AUIRFZ44N	0,9400	Richiesta di offerta	1	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		55 V	49A(Tc)	10 V	17,5 mOhm a 25 A, 10 V	4 V a 250 µA	63 nC a 10 V	±20 V	1470 pF a 25 V	-	94 W (Tc)
IRF8714PBF	1.0000	Richiesta di offerta	8405	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)			MOSFET (ossido di metallo)		8-SO	scaricamento	Conformità ROHS3				EAR99	8541.29.0095	3.800		CanaleN		30 V	14A (Ta)	4,5 V, 10 V	8,7 mOhm a 14 A, 10 V	2,35 V a 25 µA	12 nC a 4,5 V	±20 V	1020 pF a 15 V	-	2,5 W(Ta)