Richiesta di offerta
Distinta base
Contattaci

Tel: +86-0755-83501315

E-mail:sales@sic-components.com

Registrazione

Italiano

Transistor(1222)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Condizione di prova	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tempo di recupero inverso (trr)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C
IRF322	1.0000	Richiesta di offerta	6118	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-	Foro passante	TO-204AA, TO-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-204AA (TO-3)	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1		CanaleN		400 V	2,8 A	-	-	-		-		-	50 W
IRL2203NSPBF	1.0000	Richiesta di offerta	9095	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1		CanaleN		30 V	116A(Tc)	4,5 V, 10 V	7 mOhm a 60 A, 10 V	3 V a 250 µA	60 nC a 4,5 V	±16V	3290 pF a 25 V	-	3,8 W (Ta), 180 W (Tc)
IRF7406PBF	-	Richiesta di offerta	8368	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)			MOSFET (ossido di metallo)		8-SO	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		Canale P		30 V	5,8A(Ta)	4,5 V, 10 V	45 mOhm a 2,8 A, 10 V	1 V a 250 µA	59 nC a 10 V	±20 V	1100 pF a 25 V	-	2,5 W(Ta)
AUIRFP1405-IR	-	Richiesta di offerta	8161	Raddrizzatore internazionale	*	Massa	Attivo									-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-AUIRFP1405-IR	EAR99	0000.00.0000	1
IRFU3410PBF	-	Richiesta di offerta	9801	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA			MOSFET (ossido di metallo)		IPAK (TO-251AA)	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1		CanaleN		100 V	31A(Tc)	10 V	39 mOhm a 18 A, 10 V	4 V a 250 µA	56 nC a 10 V	±20 V	1690 pF a 25 V	-	3 W (Ta), 110 W (Tc)
IRG4PSC71KDPBF	-	Richiesta di offerta	3383	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-274AA		Standard		350 W	SUPER-247™ (TO-274AA)	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1			480 V, 60 A, 5 Ohm, 15 V											82 ns	-	600 V	85A	200A	2,3 V a 15 V, 60 A	3,95 mJ (acceso), 2,33 mJ (spento)	340 nC	82ns/282ns
AUIRF3805L-7P	-	Richiesta di offerta	4859	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-7			MOSFET (ossido di metallo)		TO-262	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		55 V	160A(Tc)	10 V	2,6 mOhm a 140 A, 10 V	4 V a 250 µA	200 nC a 10 V	±20 V	7820 pF a 25 V	-	300 W(Tc)
IRFI3306GPBF	2.1300	Richiesta di offerta	800	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo			MOSFET (ossido di metallo)		PG-TO220 Pacchetto completo	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato	2156-IRFI3306GPBF-600047	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		60 V	71A(Tc)	10 V	4,2 mOhm a 43 A, 10 V	4 V a 1.037 mA	135 nC a 10 V	±20 V	4685 pF a 50 V	-	46 W (Tc)
IRG4PSC71UPBF	-	Richiesta di offerta	4897	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-274AA		Standard		350 W	SUPER-247™ (TO-274AA)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1			480 V, 60 A, 5 Ohm, 15 V												-	600 V	85A	200A	2 V a 15 V, 60 A	420 µJ (acceso), 1,99 mJ (spento)	340 nC	34ns/56ns
AUIRFR2905ZTRL	-	Richiesta di offerta	6366	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		D-Pak	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		55 V	42A(Tc)	10 V	14,5 mOhm a 36 A, 10 V	4 V a 250 µA	44 nC a 10 V	±20 V	1380 pF a 25 V	-	110 W (Tc)
IRGS4064DTRLPBF	-	Richiesta di offerta	3807	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB		Standard		101 W	D2PAK	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1			400 V, 10 A, 22 Ohm, 15 V											62 ns	Trincea	600 V	20A	40A	1,91 V a 15 V, 10 A	29μJ (acceso), 200μJ (spento)	32 nC	27ns/79ns
IRGB15B60KDPBF	-	Richiesta di offerta	8119	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3		Standard		208 W	TO-220AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1			400 V, 15 A, 22 Ohm, 15 V											92 ns	TNP	600 V	31A	62A	2,2 V a 15 V, 15 A	220μJ (acceso), 340μJ (spento)	84 nC	34ns/184ns
AUIRFS4115TRL	-	Richiesta di offerta	2993	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	12		CanaleN		150 V	99A(Tc)	10 V	12,1 mOhm a 62 A, 10 V	5 V a 250 µA	120 nC a 10 V	±20 V	5270 pF a 50 V	-	375 W(Tc)
IRFSL7730PBF	1.8400	Richiesta di offerta	899	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®, StrongIRFET™	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA	IRFSL7730		MOSFET (ossido di metallo)		TO-262	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1		CanaleN		75 V	195A(Tc)	6 V, 10 V	2,6 mOhm a 100 A, 10 V	3,7 V a 250 µA	407 nC a 10 V	±20 V	13660 pF a 25 V	-	375 W(Tc)
IRF7309PBF	-	Richiesta di offerta	2632	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	IRF73		MOSFET (ossido di metallo)	1,4 W(Ta)	8-SO	-	Conformità ROHS3				EAR99	8541.29.0095	3.800	Canali N e P			30 V	4A (Ta), 3A (Ta)		50 mOhm a 2,4 A, 10 V, 100 mOhm a 1,8 A, 10 V	1 V a 250 µA	25 nC a 4,5 V		520 pF, 440 pF a 15 V	-
IRF7413TRPBF-1	-	Richiesta di offerta	2729	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)			MOSFET (ossido di metallo)		8-SO	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1.090		CanaleN		30 V	13A (Ta)	4,5 V, 10 V	11 mOhm a 7,3 A, 10 V	3 V a 250 µA	79 nC a 10 V	±20 V	1800 pF a 25 V	-	2,5 W(Ta)
IRGR2B60KDPBF	0,6800	Richiesta di offerta	4889	Raddrizzatore internazionale	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63		Standard		35 W	D-Pak	scaricamento	Conformità ROHS3				EAR99	8541.29.0095	3.000			400 V, 2 A, 100 Ohm, 15 V											68 ns	TNP	600 V	6,3 A	8A	2,25 V a 15 V, 2 A	74μJ (acceso), 39μJ (spento)	12 nC	11ns/150ns
IRF8313TRPBF	-	Richiesta di offerta	9989	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	IRF8313		MOSFET (ossido di metallo)	2 W	8-SO	scaricamento						0000.00.0000	1	2 canali N (doppio)			30 V	9,7A		15,5 mOhm a 9,7 A, 10 V	2,35 V a 25 µA	9nC a 4,5 V		760 pF a 15 V	Porta a livello logico
IRLL014NPBF	-	Richiesta di offerta	6401	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA			MOSFET (ossido di metallo)		SOT-223	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	0000.00.0000	234		CanaleN		55 V	2A (Ta)		140 mOhm a 2 A, 10 V	2 V a 250 µA	14 nC a 10 V	±16V	230 pF a 25 V	-	1 W (Ta)
AUIRFU8401	0,6100	Richiesta di offerta	8	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA			MOSFET (ossido di metallo)		I-PAK	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		40 V	100A (Tc)	10 V	4,25 mOhm a 60 A, 10 V	3,9 V a 500 µA	63 nC a 10 V	±20 V	2200 pF a 25 V	-	79 W(Tc)
AUIRL3705N	1.3900	Richiesta di offerta	22	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		55 V	89A(Tc)		10 mOhm a 46 A, 10 V	2 V a 250 µA	98 nC a 5 V		3600 pF a 25 V	-	170 W(Tc)
IRG4PSC71KPBF	5.4900	Richiesta di offerta	175	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-274AA		Standard		350 W	SUPER-247™ (TO-274AA)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1			480 V, 60 A, 5 Ohm, 15 V												-	600 V	85A	200A	2,3 V a 15 V, 60 A	790 µJ (acceso), 1,98 mJ (spento)	340 nC	34ns/54ns
IRGP4790PBF	1.0000	Richiesta di offerta	6459	Raddrizzatore internazionale	-	Tubo	Obsoleto	-40°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		455 W	TO-247AC	scaricamento	Conformità ROHS3				EAR99	8541.29.0095	25			400 V, 75 A, 10 Ohm, 15 V												-	650 V	140A	225A	2 V a 15 V, 75 A	2,5 mJ (acceso), 2,2 mJ (spento)	210 nC	50ns/200ns
IRGP4790D-EPBF	1.0000	Richiesta di offerta	6141	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		455 W	TO-247 d.C	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1			400 V, 75 A, 10 Ohm, 15 V											170 n	-	650 V	140A	225A	2 V a 15 V, 75 A	2,5 mJ (acceso), 2,2 mJ (spento)	210 nC	50ns/200ns
IRFAF52	7.0800	Richiesta di offerta	172	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-	Foro passante	TO-204AA, TO-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-204AA (TO-3)	scaricamento	RoHS non conforme	3 (168 ore)	Venditore non definito		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		900 V	5,7A	-	-	-		-		-	150 W
IRGPS4067DPBF	-	Richiesta di offerta	3738	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-274AA		Standard		750 W	SUPER-247™ (TO-274AA)	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	34			400 V, 120 A, 4,7 Ohm, 15 V											130 n	Trincea	600 V	240A	360A	2,05 V a 15 V, 120 A	5,75 mJ (acceso), 3,43 mJ (spento)	240 nC	80ns/190ns
IRG4BC40UPBF	1.8600	Richiesta di offerta	950	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3		Standard		160 W	TO-220AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1			480 V, 20 A, 10 Ohm, 15 V												-	600 V	40A	160A	2,1 V a 15 V, 20 A	320μJ (acceso), 350μJ (spento)	150 nC	34ns/110ns
IRG4PSC71UDPBF	-	Richiesta di offerta	1583	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-274AA		Standard		350 W	SUPER-247™ (TO-274AA)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1			480 V, 60 A, 5 Ohm, 15 V											82 ns	-	600 V	85A	200A	2 V a 15 V, 60 A	3,26 mJ (acceso), 2,27 mJ (spento)	340 nC	90ns/245ns
AUIRFS3607	2.0400	Richiesta di offerta	550	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		PG-TO263-3	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		75 V	80A (Tc)	10 V	9 mOhm a 46 A, 10 V	4 V a 100 µA	84 nC a 10 V	±20 V	3070 pF a 50 V	-	140 W(Tc)
AUIRF9952QTR	0,5700	Richiesta di offerta	42	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	AUIRF9952		MOSFET (ossido di metallo)	2 W	8-SO	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	4.000	Canali N e P			30 V	3,5 A, 2,3 A		100 mOhm a 2,2 A, 10 V	3 V a 250 µA	14nC a 10V		190 pF a 15 V	Porta a livello logico