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Transistor(1222)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Condizione di prova	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tempo di recupero inverso (trr)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C
2N6755	1.0000	Richiesta di offerta	8670	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-204AA, TO-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-3	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		60 V	12A	10 V	250 mOhm a 8 A, 10 V	4 V a 1 mA		±20 V	800 pF a 25 V	-	75 W (Tc)
IRF7458PBF	-	Richiesta di offerta	5805	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)			MOSFET (ossido di metallo)		8-SO	-	Conformità ROHS3				EAR99	8541.29.0095	3.800		CanaleN		30 V	14A (Ta)	10 V, 16 V	8 mOhm a 14 A, 16 V	4 V a 250 µA	59 nC a 10 V	±30 V	2410 pF a 15 V	-	2,5 W(Ta)
AUIRLR024ZTRL	1.0000	Richiesta di offerta	5698	Raddrizzatore internazionale	Automotive, AEC-Q101, HEXFET®	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		D-Pak	scaricamento	Conformità ROHS3				EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN		55 V	16A (Tc)		58 mOhm a 9,6 A, 10 V	3 V a 250 µA	9,9 nC a 5 V	±16V	380 pF a 25 V	-	35 W (Tc)
IRF6725MTRPBF	-	Richiesta di offerta	2651	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	MX isometrico DirectFET™			MOSFET (ossido di metallo)		DIRECTFET™MX	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		30 V	28A (Ta), 170A (Tc)	4,5 V, 10 V	2,2 mOhm a 28 A, 10 V	2,35 V a 100 µA	54 nC a 4,5 V	±20 V	4700 pF a 15 V	-	2,8 W (Ta), 100 W (Tc)
AUIRGP4066D1	-	Richiesta di offerta	2564	Raddrizzatore internazionale	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		454 W	TO-247AC	-	RoHS non conforme		Venditore non definito	2156-AUIRGP4066D1-600047			1			400 V, 75 A, 10 Ohm, 15 V											240 n	Trincea	600 V	140A	225A	2,1 V a 15 V, 75 A	4,24 mJ (acceso), 2,17 mJ (spento)	225 nC	50ns/200ns
AUIRGF66524D0	-	Richiesta di offerta	1539	Raddrizzatore internazionale	Settore automobilistico, AEC-Q101, COOLiRIGBT™	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		214 W	TO-247AC	-	RoHS non conforme		Venditore non definito	2156-AUIRGF66524D0-600047			1			400 V, 24 A, 10 Ohm, 15 V											176 ns	Trincea	600 V	60A	72A	1,9 V a 15 V, 24 A	915μJ (acceso), 280μJ (spento)	50 nC	30ns/75ns
IRLI3705NPBF	-	Richiesta di offerta	2948	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo			MOSFET (ossido di metallo)		PG-TO220 Pacchetto completo	-				2156-IRLI3705NPBF			1		CanaleN		55 V	52A(Tc)	4 V, 10 V	10 mOhm a 28 A, 10 V	2 V a 250 µA	98 nC a 5 V	±16V	3600 pF a 25 V	-	58 W (Tc)
IRFR1018EPBF	-	Richiesta di offerta	7403	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		TO-252AA	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	0000.00.0000	83		CanaleN		60 V	56A(Tc)		8,4 mOhm a 47 A, 10 V	4 V a 100 µA	69 nC a 10 V	±20 V	2290 pF a 50 V	-	110 W (Tc)
AUIRFZ44Z	0,8300	Richiesta di offerta	1	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		55 V	51A(Tc)	10 V	13,9 mOhm a 31 A, 10 V	4 V a 250 µA	43 nC a 10 V	±20 V	1420 pF a 25 V	-	80 W (Tc)
IRFP048NPBF	0,7100	Richiesta di offerta	38	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-247AC	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		55 V	64A(Tc)	10 V	16 mOhm a 37 A, 10 V	4 V a 250 µA	89 nC a 10 V	±20 V	1900 pF a 25 V	-	140 W(Tc)
AUIRFZ34N	0,7500	Richiesta di offerta	13	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		55 V	29A(Tc)	10 V	40 mOhm a 16 A, 10 V	4 V a 250 µA	34 nC a 10 V	±20 V	700 pF a 25 V	-	68 W(Tc)
IRF1405ZLPBF	-	Richiesta di offerta	7408	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA			MOSFET (ossido di metallo)		TO-262	-				2156-IRF1405ZLPBF			1		CanaleN		55 V	75A (Tc)	10 V	4,9 mOhm a 75 A, 10 V	4 V a 250 µA	180 nC a 10 V	±20 V	4780 pF a 25 V	-	230 W(Tc)
IRF1404PBF-EL	-	Richiesta di offerta	6734	Raddrizzatore internazionale	*	Massa	Attivo				IRF1404		-			-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	0000.00.0000	1												-
IRF7307PBF	-	Richiesta di offerta	1986	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	IRF73		MOSFET (ossido di metallo)	2 W	8-SO	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1	Canali N e P			20 V	5,2 A, 4,3 A		50 mOhm a 2,6 A, 4,5 V	700mV a 250μA	20nC a 4,5 V		660 pF a 15 V	Porta a livello logico
AUIRFS4410Z	1.9000	Richiesta di offerta	5	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	IRFS4410		MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		100 V	97A(Tc)	10 V	9 mOhm a 58 A, 10 V	4 V a 150 µA	120 nC a 10 V	±20 V	4820 pF a 50 V	-	230 W(Tc)
IRG8P15N120KDPBF	2.8000	Richiesta di offerta	6	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		125 W	TO-247AC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	0000.00.0000	1			600 V, 10 A, 10 Ohm, 15 V											60 ns	-	1200 V	30A	30A	2 V a 15 V, 10 A	600μJ (acceso), 600μJ (spento)	98 nC	15ns/170ns
IRF7749L1TRPBF	-	Richiesta di offerta	3512	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	DirectFET™ isometrico L8			MOSFET (ossido di metallo)		DirectFET™ isometrico L8	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1		CanaleN		60 V	33A (Ta), 200A (Tc)	10 V	1,5 mOhm a 120 A, 10 V	4 V a 250 µA	300 nC a 10 V	±20 V	12320 pF a 25 V	-	3,3 W (Ta), 125 W (Tc)
AUIRFB8405-071	3.2300	Richiesta di offerta	2	Raddrizzatore internazionale	*	Massa	Attivo									scaricamento		Venditore non definito	REACH Inalterato	2156-AUIRFB8405-071-600047			101
AUIRL3705ZL	1.1700	Richiesta di offerta	9	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA			MOSFET (ossido di metallo)		TO-262	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		55 V	75A (Tc)		8 mOhm a 52 A, 10 V	3 V a 250 µA	60 nC a 5 V		2880 pF a 25 V	-	130 W(Tc)
IRF8788PBF	-	Richiesta di offerta	5001	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)			MOSFET (ossido di metallo)		8-SO	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		30 V	24A (Ta)	4,5 V, 10 V	2,8 mOhm a 24 A, 10 V	2,35 V a 100 µA	66 nC a 4,5 V	±20 V	5720 pF a 15 V	-	2,5 W(Ta)
IRF6665TRPBF	0,5600	Richiesta di offerta	49	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	DirectFET™ isometrico SH			MOSFET (ossido di metallo)		DIRECTFET™ SH	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1		CanaleN		100 V	4,2 A (Ta), 19 A (Tc)	10 V	62 mOhm a 5 A, 10 V	5 V a 250 µA	13 nC a 10 V	±20 V	530 pF a 25 V	-	2,2 W (Ta), 42 W (Tc)
IRGP4640D-EPBF	3.6200	Richiesta di offerta	43	Raddrizzatore internazionale	*	Massa	Attivo									scaricamento					EAR99	8542.39.0001	83
IRFSL7734PBF	1.4900	Richiesta di offerta	280	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®, StrongIRFET™	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA	IRFSL7734		MOSFET (ossido di metallo)		TO-262	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1		CanaleN		75 V	183A(Tc)	6 V, 10 V	3,5 mOhm a 100 A, 10 V	3,7 V a 250 µA	270 nC a 10 V	±20 V	10150 pF a 25 V	-	290 W(Tc)
AUIRL1404ZSTRL	2.0600	Richiesta di offerta	1	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		40 V	160A(Tc)	4,5 V, 10 V	3,1 mOhm a 75 A, 10 V	2,7 V a 250 µA	110 nC a 5 V	±16V	5080 pF a 25 V	-	200 W (Tc)
AUIRFS4310ZTRL	3.1700	Richiesta di offerta	79	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	AUIRFS4310		MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	95		CanaleN		100 V	120A (Tc)	10 V	6 mOhm a 75 A, 10 V	4 V a 150 µA	170 nC a 10 V	±20 V	6860 pF a 50 V	-	250 W(Tc)
IRFS3607PBF	-	Richiesta di offerta	3192	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1		CanaleN		75 V	80A (Tc)	10 V	9 mOhm a 46 A, 10 V	4 V a 100 µA	84 nC a 10 V	±20 V	3070 pF a 50 V	-	140 W(Tc)
IRFS3006TRLPBF	-	Richiesta di offerta	9240	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento						0000.00.0000	1		CanaleN		60 V	195A(Tc)	10 V	2,5 mOhm a 170 A, 10 V	4 V a 250 µA	300 nC a 10 V	±20 V	8970 pF a 50 V	-	375 W(Tc)
IRFAG20	3.3400	Richiesta di offerta	1	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-	Foro passante	TO-204AA, TO-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-204AA (TO-3)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8542.39.0001	1		CanaleN		1000 V	1,3 A	-	-	-		-		-	50 W
IRGS4620DPBF	1.4300	Richiesta di offerta	30	Raddrizzatore internazionale	-	Tubo	Obsoleto	-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB		Standard		140 W	D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3				EAR99	8541.29.0095	50			400 V, 12 A, 22 Ohm, 15 V											68 ns	-	600 V	32A	36A	1,85 V a 15 V, 12 A	75μJ (acceso), 225μJ (spento)	25 nC	31ns/83ns
IRFSL3607PBF	-	Richiesta di offerta	2715	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA			MOSFET (ossido di metallo)		TO-262	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	429		CanaleN		75 V	80A (Tc)	10 V	9 mOhm a 46 A, 10 V	4 V a 100 µA	84 nC a 10 V	±20 V	3070 pF a 50 V	-	140 W(Tc)