Richiesta di offerta
Distinta base
Contattaci

Tel: +86-0755-83501315

E-mail:sales@sic-components.com

Registrazione

Italiano

Transistor(1222)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Condizione di prova	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tempo di recupero inverso (trr)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C
IRF7749L2TRPBF	1.0000	Richiesta di offerta	3722	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	DirectFET™ isometrico L8			MOSFET (ossido di metallo)		DIRECTFET L8	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1		CanaleN		60 V	33A (Ta), 375A (Tc)	10 V	1,5 mOhm a 120 A, 10 V	4 V a 250 µA	300 nC a 10 V	±20 V	12320 pF a 25 V	-	3,3 W (Ta), 125 W (Tc)
AUIRLS3034TRL	2.6100	Richiesta di offerta	23	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	800		CanaleN		40 V	195A(Tc)		1,7 mOhm a 195 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	162 nC a 4,5 V		10315 pF a 25 V	-	375 W(Tc)
IRF2907ZPBF	2.4200	Richiesta di offerta	21	Raddrizzatore internazionale	*	Massa	Attivo									scaricamento					EAR99	8541.29.0095	124
IRF1607PBF	-	Richiesta di offerta	1978	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		75 V	142A(Tc)		7,5 mOhm a 85 A, 10 V	4 V a 250 µA	320 nC a 10 V	±20 V	7750 pF a 25 V	-	380 W(Tc)
IRFS4127PBF	-	Richiesta di offerta	6340	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		200 V	72A(Tc)	10 V	22 mOhm a 44 A, 10 V	5 V a 250 µA	150 nC a 10 V	±20 V	5380 pF a 50 V	-	375 W(Tc)
IRFB59N10DPBF	-	Richiesta di offerta	3065	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		100 V	59A(Tc)	10 V	25 mOhm a 35,4 A, 10 V	5,5 V a 250 µA	114 nC a 10 V	±30 V	2450 pF a 25 V	-	3,8 W (Ta), 200 W (Tc)
IRF7769L2TRPBF	2.8600	Richiesta di offerta	291	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	DirectFET™ isometrico L8			MOSFET (ossido di metallo)		DIRECTFET L8	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1		CanaleN		100 V	375A(Tc)	10 V	3,5 mOhm a 74 A, 10 V	4 V a 250 µA	300 nC a 10 V	±20 V	11560 pF a 25 V	-	3,3 W (Ta), 125 W (Tc)
IRFR3411PBF	0,3200	Richiesta di offerta	6205	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		TO-252AA	scaricamento	Conformità ROHS3			2156-IRFR3411PBF-IR	EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN		100 V	32A(Tc)		44 mOhm a 16 A, 10 V	4 V a 250 µA	71 nC a 10 V	±20 V	1960 pF a 25 V	-	130 W(Tc)
IRG7PSH54K10DPBF	8.7600	Richiesta di offerta	8	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		520 W	SUPER-247™ (TO-274AA)	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1			600 V, 50 A, 5 Ohm, 15 V											170 n	-	1200 V	120A	200A	2,4 V a 15 V, 50 A	4,8 mJ (acceso), 2,8 mJ (spento)	435 nC	110ns/490ns
AUIRFS3806	0,8600	Richiesta di offerta	8	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		PG-TO263-3	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		60 V	43A(Tc)	10 V	15,8 mOhm a 25 A, 10 V	4 V a 50 µA	30 nC a 10 V	±20 V	1150 pF a 50 V	-	71 W(Tc)
IRL8114PBF	1.2200	Richiesta di offerta	5	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		30 V	90A (Tc)		4,5 mOhm a 40 A, 10 V	2,25 V a 250 µA	29 nC a 4,5 V	±20 V	2660 pF a 15 V	-	115 W(Tc)
IRFH7188TRPBF	1.0000	Richiesta di offerta	6046	Raddrizzatore internazionale	FASTIRFET™, HEXFET®	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN			MOSFET (ossido di metallo)		PQFN (5x6)	scaricamento	Conformità ROHS3				EAR99	8541.29.0095	4.000		CanaleN		100 V	18A (Ta), 105A (Tc)	10 V	6 mOhm a 50 A, 10 V	3,9 V a 150 µA	50 nC a 10 V	±20 V	2116 pF a 50 V	-	3,8 W (Ta), 132 W (Tc)
IRFS41N15DTRLP	-	Richiesta di offerta	8779	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		150 V	41A(Tc)	10 V	45 mOhm a 25 A, 10 V	5,5 V a 250 µA	110 nC a 10 V	±30 V	2520 pF a 25 V	-	3,1 W (Ta)
IRF7807VTRPBF	-	Richiesta di offerta	4494	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)			MOSFET (ossido di metallo)		8-SO	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1		CanaleN		30 V	8,3A(Ta)	4,5 V	25 mOhm a 7 A, 4,5 V	3 V a 250 µA	14 nC a 5 V	±20 V		-	2,5 W(Ta)
IRFF223	1.0700	Richiesta di offerta	1121	Raddrizzatore internazionale	*	Massa	Attivo									scaricamento		Venditore non definito	RAGGIUNGERE Interessato	2156-IRFF223-600047			175
IRGS4062DPBF	-	Richiesta di offerta	1408	Raddrizzatore internazionale	*	Massa	Attivo									scaricamento		Venditore non definito	RAGGIUNGERE Interessato	2156-IRGS4062DPBF-600047			1
IRF8736PBF	-	Richiesta di offerta	6310	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)			MOSFET (ossido di metallo)		8-SO	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		30 V	18A (Ta)	4,5 V, 10 V	4,8 mOhm a 18 A, 10 V	2,35 V a 50 µA	26 nC a 4,5 V	±20 V	2315 pF a 15 V	-	2,5 W(Ta)
AUIRLU2905	1.0000	Richiesta di offerta	2569	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA			MOSFET (ossido di metallo)		I-PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		55 V	42A(Tc)	4 V, 10 V	27 mOhm a 25 A, 10 V	2 V a 250 µA	48 nC a 5 V	±16V	1700 pF a 25 V	-	110 W (Tc)
IRG4PC30KPBF	1.6700	Richiesta di offerta	6	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		100 W	TO-247AC	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1			480 V, 16 A, 23 Ohm, 15 V												-	600 V	28A	58A	2,7 V a 15 V, 16 A	360μJ (acceso), 510μJ (spento)	67 nC	26ns/130ns
IRFS33N15DTRLP-IR	-	Richiesta di offerta	2617	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		PG-TO263-3-2	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	800		CanaleN		150 V	33A(Tc)		56 mOhm a 20 A, 10 V	5,5 V a 250 µA	90 nC a 10 V	±30 V	2020 pF a 25 V	-	3,8 W (Ta), 170 W (Tc)
IRFI4212H-117P	1.0000	Richiesta di offerta	8719	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-5 Pacchetto completo	IRFI4212		MOSFET (ossido di metallo)	18 W	TO-220-5 Pacchetto completo	scaricamento						0000.00.0000	1	2 canali N (doppio)			100 V	11A		72,5 mOhm a 6,6 A, 10 V	5 V a 250 µA	18nC a 10V		490 pF a 50 V	-
IRF7809AVTRBPF-1	-	Richiesta di offerta	9279	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)			MOSFET (ossido di metallo)		8-SOIC	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1		CanaleN		30 V	13,3A (Ta)	4,5 V	9 mOhm a 15 A, 4,5 V	1 V a 250 µA	62 nC a 5 V	±12V	3780 pF a 16 V	-	2,5 W(Ta)
IRLZ24NSPBF	1.0000	Richiesta di offerta	8288	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		55 V	18A (Tc)	4 V, 10 V	60 mOhm a 11 A, 10 V	2 V a 250 µA	15 nC a 5 V	±16V	480 pF a 25 V	-	3,8 W (Ta), 45 W (Tc)
IRFB23N20DPBF	-	Richiesta di offerta	8004	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Tubo	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		200 V	24A (Tc)	10 V	100 mOhm a 14 A, 10 V	5,5 V a 250 µA	86 nC a 10 V	±30 V	1960 pF a 25 V	-	3,8 W (Ta), 170 W (Tc)
IRFS4321PBF	1.0000	Richiesta di offerta	9042	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		150 V	85A (Tc)	10 V	15 mOhm a 33 A, 10 V	5 V a 250 µA	110 nC a 10 V	±30 V	4460 pF a 25 V	-	350 W(Tc)
IRLS4030-7PPBF	-	Richiesta di offerta	9664	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-7, D²Pak (6 derivazioni + linguatta), TO-263CB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK (7 conduttori)	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		100 V	190A(Tc)	4,5 V, 10 V	3,9 mOhm a 110 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	140 nC a 4,5 V	±16V	11490 pF a 50 V	-	370 W(Tc)
IRG7PH44K10DPBF	4.3900	Richiesta di offerta	1	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		320 W	TO-247AC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1			600 V, 25 A, 10 Ohm, 15 V											130 n	-	1200 V	70A	100A	2,4 V a 15 V, 25 A	2,1 mJ (acceso), 1,3 mJ (spento)	200 nC	75ns/315ns
IRGP4062DPBF	1.0000	Richiesta di offerta	5593	Raddrizzatore internazionale	*	Massa	Attivo									scaricamento		Venditore non definito	REACH Inalterato	2156-IRGP4062DPBF-600047			1
IRGP4263DPBF	4.7500	Richiesta di offerta	250	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		325 W	TO-247AC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1			400 V, 48 A, 10 Ohm, 15 V											170 n	-	650 V	90A	192A	2,1 V a 15 V, 48 A	2,9 mJ (acceso), 1,4 mJ (spento)	145 nC	70ns/140ns
IRFH5301TRPBF	-	Richiesta di offerta	8476	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN			MOSFET (ossido di metallo)		PQFN (5x6) Matrice singola	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1		CanaleN		30 V	35A (Ta), 100A (Tc)	4,5 V, 10 V	1,85 mOhm a 50 A, 10 V	2,35 V a 100 µA	77 nC a 10 V	±20 V	5114 pF a 15 V	-	3,6 W (Ta), 110 W (Tc)