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Transistor(1222)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Tipo FET	Condizione di prova	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tempo di recupero inverso (trr)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C
AUIRFZ44NS	1.1100	Richiesta di offerta	9	Raddrizzatore internazionale	Automotive, AEC-Q101, HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		55 V	49A(Tc)		17,5 mOhm a 25 A, 10 V	4 V a 250 µA	63 nC a 10 V	±20 V	1470 pF a 25 V	-	3,8 W (Ta), 94 W (Tc)
IRG7PH28UD1PBF	2.0300	Richiesta di offerta	7	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		115 W	TO-247AC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	0000.00.0000	1		600 V, 15 A, 22 Ohm, 15 V												Trincea	1200 V	30A	100A	2,3 V a 15 V, 15 A	543μJ (spento)	90 nC	-/229ns
AUIRGB4062D1	-	Richiesta di offerta	8090	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	AUIRGB4	Standard		246 W	TO-220AB	scaricamento	Non applicabile	3 (168 ore)	REACH Inalterato	EAR99	0000.00.0000	1		400 V, 24 A, 10 Ohm, 15 V											102 nn	Trincea	600 V	59A	72A	1,77 V a 15 V, 24 A	532μJ (acceso), 311μJ (spento)	77 nC	19ns/90ns
IRFR1205PBF	-	Richiesta di offerta	7675	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		D-Pak	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato	EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		55 V	44A(Tc)	10 V	27 mOhm a 26 A, 10 V	4 V a 250 µA	65 nC a 10 V	±20 V	1300 pF a 25 V	-	107 W(Tc)
IRFB31N20DPBF	-	Richiesta di offerta	7641	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento				EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN		200 V	31A(Tc)	10 V	82 mOhm a 18 A, 10 V	5,5 V a 250 µA	107 nC a 10 V	±30 V	2370 pF a 25 V	-	3,1 W (Ta), 200 W (Tc)
IRGSL30B60KPBF	1.3100	Richiesta di offerta	2	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA		Standard		370 W	TO-262	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	0000.00.0000	1		400 V, 30 A, 10 Ohm, 15 V												TNP	600 V	78A	120A	2,35 V a 15 V, 30 A	350μJ (acceso), 825μJ (spento)	102 nC	46ns/185ns
IRG4PC40WPBF	-	Richiesta di offerta	9780	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		160 W	TO-247AC	-	Non applicabile	3 (168 ore)	REACH Inalterato	EAR99	0000.00.0000	1		480 V, 20 A, 10 Ohm, 15 V												-	600 V	40A	160A	2,5 V a 15 V, 20 A	110μJ (acceso), 230μJ (spento)	98 nC	27ns/100ns
IRLR8259PBF	-	Richiesta di offerta	7570	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		D-Pak	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	0000.00.0000	425	CanaleN		25 V	57A(Tc)	4,5 V, 10 V	8,7 mOhm a 21 A, 10 V	2,35 V a 25 µA	10 nC a 4,5 V	±20 V	900 pF a 13 V	-	48 W(Tc)
IRLR3705ZPBF	-	Richiesta di offerta	5574	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		D-Pak	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		55 V	42A(Tc)	4,5 V, 10 V	8 mOhm a 42 A, 10 V	3 V a 250 µA	66 nC a 5 V	±16V	2900 pF a 25 V	-	130 W(Tc)
AUIRG4PC40S-E	-	Richiesta di offerta	6803	Raddrizzatore internazionale	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	AUIRG4	Standard		160 W	TO-247 d.C	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	0000.00.0000	1		480 V, 31 A, 10 Ohm, 15 V												-	600 V	60A	120A	1,5 V a 15 V, 31 A	450 µJ (acceso), 6,5 mJ (spento)	150 nC	22ns/650ns
IRGS15B60KDPBF	1.0000	Richiesta di offerta	5139	Raddrizzatore internazionale	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB		Standard		208 W	D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3			EAR99	8541.29.0095	50		400 V, 15 A, 22 Ohm, 15 V											92 ns	TNP	600 V	31A	62A	2,2 V a 15 V, 15 A	220μJ (acceso), 340μJ (spento)	56 nC	34ns/184ns
IRG7PH50K10DPBF	6.4700	Richiesta di offerta	5	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		400 W	TO-247AC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	0000.00.0000	1		600 V, 35 A, 5 Ohm, 15 V											130 n	-	1200 V	90A	160A	2,4 V a 15 V, 35 A	2,3 mJ (acceso), 1,6 mJ (spento)	300 nC	90ns/340ns
AUIRF3504	0,9400	Richiesta di offerta	12	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		40 V	87A(Tc)	10 V	9,2 mOhm a 52 A, 10 V	4 V a 100 µA	54 nC a 10 V	±20 V	2150 pF a 25 V	-	143 W(Tc)
IRF3710ZSPBF	1.0000	Richiesta di offerta	7340	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		100 V	59A(Tc)	10 V	18 mOhm a 35 A, 10 V	4 V a 250 µA	120 nC a 10 V	±20 V	2900 pF a 25 V	-	160 W(Tc)
AUIRLR2908	-	Richiesta di offerta	4486	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		D-PAK (TO-252AA)	scaricamento				EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN		80 V	30A (Tc)	4,5 V, 10 V	28 mOhm a 23 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	33 nC a 4,5 V	±16V	1890 pF a 25 V	-	120 W (Tc)
IRLS3036PBF	-	Richiesta di offerta	4499	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento				EAR99	8542.39.0001	48	CanaleN		60 V	195A(Tc)	4,5 V, 10 V	2,4 mOhm a 165 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	140 nC a 4,5 V	±16V	11210 pF a 50 V	-	380 W(Tc)
AUIRF2807	1.3100	Richiesta di offerta	6	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		75 V	75A (Tc)	10 V	13 mOhm a 43 A, 10 V	4 V a 250 µA	160 nC a 10 V	±20 V	3820 pF a 25 V	-	230 W(Tc)
IRGB4064DPBF	1.0000	Richiesta di offerta	2151	Raddrizzatore internazionale	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3		Standard		101 W	TO-220AB	scaricamento	Conformità ROHS3			EAR99	8541.29.0095	50		400 V, 10 A, 22 Ohm, 15 V											62 ns	Trincea	600 V	20A	40A	1,91 V a 15 V, 10 A	29μJ (acceso), 200μJ (spento)	32 nC	27ns/79ns
IRF3709SPBF	0,5800	Richiesta di offerta	594	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	0000.00.0000	594	CanaleN		30 V	90A (Tc)	4,5 V, 10 V	9 mOhm a 15 A, 10 V	3 V a 250 µA	41 nC a 5 V	±20 V	2672 pF a 16 V	-	3,1 W (Ta), 120 W (Tc)
AUIRL1404S	1.7900	Richiesta di offerta	2	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		D-PAK (TO-252AA)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		40 V	160A(Tc)	4,3 V, 10 V	4 mOhm a 95 A, 10 V	3 V a 250 µA	140 nC a 5 V	±20 V	6600 pF a 25 V	-	3,8 W (Ta), 200 W (Tc)
IRFR7746PBF	-	Richiesta di offerta	5338	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		D-PAK (TO-252AA)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato	EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		75 V	56A(Tc)	6 V, 10 V	11,2 mOhm a 35 A, 10 V	3,7 V a 100 µA	89 nC a 10 V	±20 V	3107 pF a 25 V	-	99 W (Tc)
IRL2505SPBF	-	Richiesta di offerta	7034	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		55 V	104A(Tc)	4 V, 10 V	8 mOhm a 54 A, 10 V	2 V a 250 µA	130 nC a 5 V	±16V	5000 pF a 25 V	-	3,8 W (Ta), 200 W (Tc)
IRF630NSPBF	1.0000	Richiesta di offerta	4978	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		200 V	9,3 A(Tc)	10 V	300 mOhm a 5,4 A, 10 V	4 V a 250 µA	35 nC a 10 V	±20 V	575 pF a 25 V	-	82 W (Tc)
AUIRFB8405	3.2300	Richiesta di offerta	1	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento				EAR99	8541.29.0095	93	CanaleN		40 V	120A (Tc)	10 V	2,5 mOhm a 100 A, 10 V	3,9 V a 100 µA	161 nC a 10 V	±20 V	5193 pF a 25 V	-	163 W(Tc)
IRG4BC30W-STRLP	1.4400	Richiesta di offerta	3912	Raddrizzatore internazionale	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	IRG4BC30	Standard		100 W	D2PAK	scaricamento	Non applicabile	3 (168 ore)	Venditore non definito	EAR99	8542.39.0001	156		480 V, 12 A, 23 Ohm, 15 V												-	600 V	23A	92A	2,7 V a 15 V, 12 A	130μJ (acceso), 130μJ (spento)	51 nC	25ns/99ns
AUIRFS3307Z	-	Richiesta di offerta	4605	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		75 V	120A (Tc)	10 V	5,8 mOhm a 75 A, 10 V	4 V a 150 µA	110 nC a 10 V	±20 V	4750 pF a 50 V	-	230 W(Tc)
AUIRG4BC30USTRL	1.6500	Richiesta di offerta	9	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	AUIRG4	Standard		100 W	D2PAK	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	0000.00.0000	1		480 V, 12 A, 23 Ohm, 15 V												-	600 V	23A	92A	2,1 V a 15 V, 12 A	160μJ (acceso), 200μJ (spento)	50 nC	17ns/78ns
IRGP4690DPBF	6.0400	Richiesta di offerta	6	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		454 W	TO-247AC	scaricamento				EAR99	8542.39.0001	1		400 V, 75 A, 10 Ohm, 15 V											155 n	-	600 V	140A	225A	2,1 V a 15 V, 75 A	2,47 mJ (acceso), 2,16 mJ (spento)	150 nC	50ns/200ns
IRGP4630D-EPBF	-	Richiesta di offerta	6933	Raddrizzatore internazionale	-	Tubo	Obsoleto	-40°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		206 W	TO-247 d.C	-	Conformità ROHS3			EAR99	8541.29.0095	25		400 V, 18 A, 22 Ohm, 15 V											100 n	-	600 V	47A	54A	1,95 V a 15 V, 18 A	95μJ (acceso), 350μJ (spento)	35 nC	40ns/105ns
IRFB3307ZPBF	1.0000	Richiesta di offerta	2506	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		PG-TO220-3-904	scaricamento				EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN		75 V	120A (Tc)	10 V	5,8 mOhm a 75 A, 10 V	4 V a 1.037 mA	110 nC a 10 V	±20 V	4750 pF a 50 V	-	230 W(Tc)