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Transistor(1222)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Condizione di prova	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tempo di recupero inverso (trr)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C
AUIRGB4062D1	-	Richiesta di offerta	8090	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	AUIRGB4	Standard		246 W	TO-220AB	scaricamento	Non applicabile	3 (168 ore)	REACH Inalterato	EAR99	0000.00.0000	1			400 V, 24 A, 10 Ohm, 15 V											102 nn	Trincea	600 V	59A	72A	1,77 V a 15 V, 24 A	532μJ (acceso), 311μJ (spento)	77 nC	19ns/90ns
IRL3715ZPBF	-	Richiesta di offerta	2997	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	46		CanaleN		20 V	50A (Tc)	4,5 V, 10 V	11 mOhm a 15 A, 10 V	2,55 V a 250 µA	11 nC a 4,5 V	±20 V	870 pF a 10 V	-	45 W (Tc)
IRFR1205PBF	-	Richiesta di offerta	7675	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		D-Pak	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato	EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		55 V	44A(Tc)	10 V	27 mOhm a 26 A, 10 V	4 V a 250 µA	65 nC a 10 V	±20 V	1300 pF a 25 V	-	107 W(Tc)
IRF8313PBF	-	Richiesta di offerta	9284	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	IRF8313		MOSFET (ossido di metallo)	2 W (Ta)	8-SO	scaricamento	Conformità ROHS3			EAR99	8541.29.0095	3.800	2 canali N (doppio)			30 V	9,7A(Ta)		15,5 mOhm a 9,7 A, 10 V	2,35 V a 25 µA	9nC a 4,5 V		760 pF a 15 V	-
AUIRFS3207ZTRL	-	Richiesta di offerta	7809	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	0000.00.0000	86		CanaleN		75 V	120A (Tc)		4,1 mOhm a 75 A, 10 V	4 V a 150 µA	170 nC a 10 V		6920 pF a 50 V	-	300 W(Tc)
IRF7313PBF	1.0000	Richiesta di offerta	1064	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	IRF731		MOSFET (ossido di metallo)	2 W	8-SO	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	0000.00.0000	1	2 canali N (doppio)			30 V	6,5 A		29 mOhm a 5,8 A, 10 V	1 V a 250 µA	33nC a 10 V		650 pF a 25 V	-
AUIRLR3114Z	1.0700	Richiesta di offerta	14	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		D-PAK (TO-252AA)	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		40 V	42A(Tc)	4,5 V, 10 V	4,9 mOhm a 42 A, 10 V	2,5 V a 100 µA	56 nC a 4,5 V	±16V	3810 pF a 25 V	-	140 W(Tc)
IRFR3303TRPBF	-	Richiesta di offerta	7880	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		D-Pak	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato	EAR99	0000.00.0000	2.000		CanaleN		30 V	33A(Tc)	10 V	31 mOhm a 18 A, 10 V	4 V a 250 µA	29 nC a 10 V	±20 V	750 pF a 25 V	-	57 W(Tc)
IRLR3114ZPBF	1.0000	Richiesta di offerta	2739	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		D-Pak	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		40 V	42A(Tc)	4,5 V, 10 V	4,9 mOhm a 42 A, 10 V	2,5 V a 100 µA	56 nC a 4,5 V	±16V	3810 pF a 25 V	-	140 W(Tc)
IRF7470PBF	0,3600	Richiesta di offerta	3088	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)			MOSFET (ossido di metallo)		8-SO	scaricamento	Conformità ROHS3			EAR99	8541.29.0095	3.800		CanaleN		40 V	10A (Ta)	2,8 V, 10 V	13 mOhm a 10 A, 10 V	2 V a 250 µA	44 nC a 4,5 V	±12V	3430 pF a 20 V	-	2,5 W(Ta)
IRG7PH35UD1PBF	-	Richiesta di offerta	8404	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		179 W	TO-247AC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	0000.00.0000	1			600 V, 20 A, 10 Ohm, 15 V												Trincea	1200 V	50A	150A	2,2 V a 15 V, 20 A	620μJ (spento)	130 nC	-/160ns
IRGP4760DPBF	3.8500	Richiesta di offerta	2	Raddrizzatore internazionale	-	Tubo	Obsoleto	-40°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		325 W	TO-247AC	scaricamento	Conformità ROHS3			EAR99	8541.29.0095	25			400 V, 48 A, 10 Ohm, 15 V											170 n	-	650 V	90A	144A	2 V a 15 V, 48 A	1,7 mJ (acceso), 1 mJ (spento)	145 nC	70ns/140ns
IRG4PH40UPBF	-	Richiesta di offerta	5322	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		160 W	TO-247AC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	0000.00.0000	1			960 V, 21 A, 10 Ohm, 15 V												-	1200 V	41A	82A	3,1 V a 15 V, 21 A	1,04 mJ (acceso), 3,4 mJ (spento)	130 nC	24ns/220ns
AUIRLL024NTR-IR	0,6200	Richiesta di offerta	4	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA			MOSFET (ossido di metallo)		SOT-223	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	0000.00.0000	2.500		CanaleN		55 V	3.1A (Ta)	4 V, 10 V	65 mOhm a 3,1 A, 10 V	2 V a 250 µA	15,6 nC a 5 V	±16V	510 pF a 25 V	-	1 W (Ta)
IRG4BC20SPBF	-	Richiesta di offerta	4469	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3		Standard		60 W	TO-220AB	scaricamento				EAR99	8541.29.0095	1			480 V, 10 A, 50 Ohm, 15 V												-	600 V	19A	38A	1,6 V a 15 V, 10 A	120 µJ (acceso), 2,05 mJ (spento)	27 nC	27ns/540ns
AUIRG4PC40S-E	-	Richiesta di offerta	6803	Raddrizzatore internazionale	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	AUIRG4	Standard		160 W	TO-247 d.C	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	0000.00.0000	1			480 V, 31 A, 10 Ohm, 15 V												-	600 V	60A	120A	1,5 V a 15 V, 31 A	450 µJ (acceso), 6,5 mJ (spento)	150 nC	22ns/650ns
IRG7PH50K10DPBF	6.4700	Richiesta di offerta	5	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		400 W	TO-247AC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	0000.00.0000	1			600 V, 35 A, 5 Ohm, 15 V											130 n	-	1200 V	90A	160A	2,4 V a 15 V, 35 A	2,3 mJ (acceso), 1,6 mJ (spento)	300 nC	90ns/340ns
AUIRF2807	1.3100	Richiesta di offerta	6	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		75 V	75A (Tc)	10 V	13 mOhm a 43 A, 10 V	4 V a 250 µA	160 nC a 10 V	±20 V	3820 pF a 25 V	-	230 W(Tc)
AUIRF3504	0,9400	Richiesta di offerta	12	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		40 V	87A(Tc)	10 V	9,2 mOhm a 52 A, 10 V	4 V a 100 µA	54 nC a 10 V	±20 V	2150 pF a 25 V	-	143 W(Tc)
AUIRGP50B60PD1	-	Richiesta di offerta	4598	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	AUIRGP50	Standard		390 W	TO-247AC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	0000.00.0000	1			390 V, 33 A, 3,3 Ohm, 15 V											42 ns	TNP	600 V	75A	150A	2,85 V a 15 V, 50 A	255μJ (acceso), 375μJ (spento)	308 nC	30ns/130ns
AUIRLR2905TRL	-	Richiesta di offerta	3720	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		D-Pak	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	0000.00.0000	3.000		CanaleN		55 V	42A(Tc)	4 V, 10 V	27 mOhm a 25 A, 10 V	2 V a 250 µA	48 nC a 5 V	±16V	1700 pF a 25 V	-	110 W (Tc)
IRF630NSPBF	1.0000	Richiesta di offerta	4978	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		200 V	9,3 A(Tc)	10 V	300 mOhm a 5,4 A, 10 V	4 V a 250 µA	35 nC a 10 V	±20 V	575 pF a 25 V	-	82 W (Tc)
IRF3710ZSPBF	1.0000	Richiesta di offerta	7340	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		100 V	59A(Tc)	10 V	18 mOhm a 35 A, 10 V	4 V a 250 µA	120 nC a 10 V	±20 V	2900 pF a 25 V	-	160 W(Tc)
IRLS3036PBF	-	Richiesta di offerta	4499	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento				EAR99	8542.39.0001	48		CanaleN		60 V	195A(Tc)	4,5 V, 10 V	2,4 mOhm a 165 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	140 nC a 4,5 V	±16V	11210 pF a 50 V	-	380 W(Tc)
AUIRL1404S	1.7900	Richiesta di offerta	2	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		D-PAK (TO-252AA)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		40 V	160A(Tc)	4,3 V, 10 V	4 mOhm a 95 A, 10 V	3 V a 250 µA	140 nC a 5 V	±20 V	6600 pF a 25 V	-	3,8 W (Ta), 200 W (Tc)
IRFR7746PBF	-	Richiesta di offerta	5338	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		D-PAK (TO-252AA)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato	EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		75 V	56A(Tc)	6 V, 10 V	11,2 mOhm a 35 A, 10 V	3,7 V a 100 µA	89 nC a 10 V	±20 V	3107 pF a 25 V	-	99 W (Tc)
IRL2505SPBF	-	Richiesta di offerta	7034	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		55 V	104A(Tc)	4 V, 10 V	8 mOhm a 54 A, 10 V	2 V a 250 µA	130 nC a 5 V	±16V	5000 pF a 25 V	-	3,8 W (Ta), 200 W (Tc)
IRF3709SPBF	0,5800	Richiesta di offerta	594	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	0000.00.0000	594		CanaleN		30 V	90A (Tc)	4,5 V, 10 V	9 mOhm a 15 A, 10 V	3 V a 250 µA	41 nC a 5 V	±20 V	2672 pF a 16 V	-	3,1 W (Ta), 120 W (Tc)
AUIRLR2908	-	Richiesta di offerta	4486	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		D-PAK (TO-252AA)	scaricamento				EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		80 V	30A (Tc)	4,5 V, 10 V	28 mOhm a 23 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	33 nC a 4,5 V	±16V	1890 pF a 25 V	-	120 W (Tc)
IRGS15B60KDPBF	1.0000	Richiesta di offerta	5139	Raddrizzatore internazionale	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB		Standard		208 W	D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3			EAR99	8541.29.0095	50			400 V, 15 A, 22 Ohm, 15 V											92 ns	TNP	600 V	31A	62A	2,2 V a 15 V, 15 A	220μJ (acceso), 340μJ (spento)	56 nC	34ns/184ns