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Transistor(1222)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Condizione di prova	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tempo di recupero inverso (trr)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C
IRGP4630DPBF	1.0000	Richiesta di offerta	8266	Raddrizzatore internazionale	-	Tubo	Obsoleto	-40°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		206 W	TO-247AC	scaricamento	Conformità ROHS3			EAR99	8541.29.0095	25			400 V, 18 A, 22 Ohm, 15 V											100 n	-	600 V	47A	54A	1,95 V a 15 V, 18 A	95μJ (acceso), 350μJ (spento)	35 nC	40ns/105ns
IRG4PC40UD-EPBF	-	Richiesta di offerta	9897	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		160 W	TO-247AC	-	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	0000.00.0000	1			480 V, 20 A, 10 Ohm, 15 V											42 ns	-	600 V	40A	160A	2,1 V a 15 V, 20 A	710μJ (acceso), 350μJ (spento)	100 nC	54ns/110ns
IRLR7807ZPBF	-	Richiesta di offerta	4293	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		D-Pak	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		30 V	43A(Tc)	4,5 V, 10 V	13,8 mOhm a 15 A, 10 V	2,25 V a 250 µA	11 nC a 4,5 V	±20 V	780 pF a 15 V	-	40 W (Tc)
IRLU7843PBF	0,8100	Richiesta di offerta	5775	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA			MOSFET (ossido di metallo)		IPAK (TO-251AA)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN		30 V	161A(Tc)		3,3 mOhm a 15 A, 10 V	2,3 V a 250 µA	50 nC a 4,5 V	±20 V	4380 pF a 15 V	-	140 W(Tc)
AUIRFU4104	0,8400	Richiesta di offerta	21	Raddrizzatore internazionale	Automotive, AEC-Q101, HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA			MOSFET (ossido di metallo)		PG-TO-251-3-21	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		40 V	42A(Tc)		5,5 mOhm a 42 A, 10 V	4 V a 250 µA	89 nC a 10 V	±20 V	2950 pF a 25 V	-	140 W(Tc)
IRL540NSPBF	-	Richiesta di offerta	6319	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		100 V	36A(Tc)	4 V, 10 V	44 mOhm a 18 A, 10 V	2 V a 250 µA	74 nC a 5 V	±16V	1800 pF a 25 V	-	3,8 W (Ta), 140 W (Tc)
AUIRFSL6535	1.5600	Richiesta di offerta	13	Raddrizzatore internazionale	Automotive, AEC-Q101, HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA			MOSFET (ossido di metallo)		PG-TO262-3-901	scaricamento				EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		300 V	19A(Tc)	10 V	185 mOhm a 11 A, 10 V	5 V a 150 µA	57 nC a 10 V	±20 V	2340 pF a 25 V	-	210 W(Tc)
IRG4BC20UDSTRRP	1.5900	Richiesta di offerta	5	Raddrizzatore internazionale	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB		Standard		60 W	D2PAK	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito	EAR99	8542.39.0001	1			480 V, 6,5 A, 50 Ohm, 15 V											37 nn	-	600 V	13A	52A	2,1 V a 15 V, 6,5 A	160μJ (acceso), 130μJ (spento)	27 nC	39ns/93ns
IRF8327STRPBF	-	Richiesta di offerta	7296	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	DirectFET™ quadrato isometrico			MOSFET (ossido di metallo)		DIRECTFET™QUADRATO	scaricamento				EAR99	8542.39.0001	506		CanaleN		30 V	14A (Ta), 60A (Tc)	4,5 V, 10 V	7,3 mOhm a 14 A, 10 V	2,4 V a 25 µA	14 nC a 4,5 V	±20 V	1430 pF a 15 V	-	2,2 W (Ta), 42 W (Tc)
IRLU2905ZPBF	-	Richiesta di offerta	3101	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA			MOSFET (ossido di metallo)		IPAK (TO-251)	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		55 V	42A(Tc)	4,5 V, 10 V	13,5 mOhm a 36 A, 10 V	3 V a 250 µA	35 nC a 5 V	±16V	1570 pF a 25 V	-	110 W (Tc)
IRG8P40N120KDEPB	4.6400	Richiesta di offerta	100	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo									scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito	EAR99	0000.00.0000	1
AUIRFU1010Z	0,8800	Richiesta di offerta	825	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA			MOSFET (ossido di metallo)		PG-TO251-3	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		55 V	42A(Tc)		7,5 mOhm a 42 A, 10 V	4 V a 100 µA	95 nC a 10 V	±20 V	2840 pF a 25 V	-	140 W(Tc)
AUIRFS8409TRL	-	Richiesta di offerta	3374	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		PG-TO263-3	scaricamento				EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		40 V	195A(Tc)	10 V	1,2 mOhm a 100 A, 10 V	3,9 V a 250 µA	450 nC a 10 V	±20 V	14240 pF a 25 V	-	375 W(Tc)
AUIRL3705Z	0,9600	Richiesta di offerta	750	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento				EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		55 V	75A (Tc)	4,5 V, 10 V	8 mOhm a 52 A, 10 V	3 V a 250 µA	60 nC a 5 V	±16V	2880 pF a 25 V	-	130 W(Tc)
AUIRFP1405-203	2.0200	Richiesta di offerta	150	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Obsoleto									scaricamento				EAR99	8541.29.0095	1					160A(Tc)
IRFH5053TRPBF	-	Richiesta di offerta	5845	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN			MOSFET (ossido di metallo)		PQFN (5x6) Matrice singola	scaricamento					0000.00.0000	1		CanaleN		100 V	9,3 A (Ta), 46 A (Tc)	10 V	18 mOhm a 9,3 A, 10 V	4,9 V a 100 µA	36 nC a 10 V	±20 V	1510 pF a 50 V	-	3,1 W (Ta), 8,3 W (Tc)
IRF8313PBF	-	Richiesta di offerta	9284	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	IRF8313		MOSFET (ossido di metallo)	2 W (Ta)	8-SO	scaricamento	Conformità ROHS3			EAR99	8541.29.0095	3.800	2 canali N (doppio)			30 V	9,7A(Ta)		15,5 mOhm a 9,7 A, 10 V	2,35 V a 25 µA	9nC a 4,5 V		760 pF a 15 V	-
AUIRLR2905TRL	-	Richiesta di offerta	3720	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		D-Pak	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	0000.00.0000	3.000		CanaleN		55 V	42A(Tc)	4 V, 10 V	27 mOhm a 25 A, 10 V	2 V a 250 µA	48 nC a 5 V	±16V	1700 pF a 25 V	-	110 W (Tc)
IRG4BC20SPBF	-	Richiesta di offerta	4469	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3		Standard		60 W	TO-220AB	scaricamento				EAR99	8541.29.0095	1			480 V, 10 A, 50 Ohm, 15 V												-	600 V	19A	38A	1,6 V a 15 V, 10 A	120 µJ (acceso), 2,05 mJ (spento)	27 nC	27ns/540ns
IRGP4760DPBF	3.8500	Richiesta di offerta	2	Raddrizzatore internazionale	-	Tubo	Obsoleto	-40°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		325 W	TO-247AC	scaricamento	Conformità ROHS3			EAR99	8541.29.0095	25			400 V, 48 A, 10 Ohm, 15 V											170 n	-	650 V	90A	144A	2 V a 15 V, 48 A	1,7 mJ (acceso), 1 mJ (spento)	145 nC	70ns/140ns
IRG4PH40UPBF	-	Richiesta di offerta	5322	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		160 W	TO-247AC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	0000.00.0000	1			960 V, 21 A, 10 Ohm, 15 V												-	1200 V	41A	82A	3,1 V a 15 V, 21 A	1,04 mJ (acceso), 3,4 mJ (spento)	130 nC	24ns/220ns
IRG7PH35UD1PBF	-	Richiesta di offerta	8404	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		179 W	TO-247AC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	0000.00.0000	1			600 V, 20 A, 10 Ohm, 15 V												Trincea	1200 V	50A	150A	2,2 V a 15 V, 20 A	620μJ (spento)	130 nC	-/160ns
IRF7313PBF	1.0000	Richiesta di offerta	1064	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	IRF731		MOSFET (ossido di metallo)	2 W	8-SO	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	0000.00.0000	1	2 canali N (doppio)			30 V	6,5 A		29 mOhm a 5,8 A, 10 V	1 V a 250 µA	33nC a 10 V		650 pF a 25 V	-
IRF7470PBF	0,3600	Richiesta di offerta	3088	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)			MOSFET (ossido di metallo)		8-SO	scaricamento	Conformità ROHS3			EAR99	8541.29.0095	3.800		CanaleN		40 V	10A (Ta)	2,8 V, 10 V	13 mOhm a 10 A, 10 V	2 V a 250 µA	44 nC a 4,5 V	±12V	3430 pF a 20 V	-	2,5 W(Ta)
IRLR3114ZPBF	1.0000	Richiesta di offerta	2739	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		D-Pak	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		40 V	42A(Tc)	4,5 V, 10 V	4,9 mOhm a 42 A, 10 V	2,5 V a 100 µA	56 nC a 4,5 V	±16V	3810 pF a 25 V	-	140 W(Tc)
AUIRGP50B60PD1	-	Richiesta di offerta	4598	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	AUIRGP50	Standard		390 W	TO-247AC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	0000.00.0000	1			390 V, 33 A, 3,3 Ohm, 15 V											42 ns	TNP	600 V	75A	150A	2,85 V a 15 V, 50 A	255μJ (acceso), 375μJ (spento)	308 nC	30ns/130ns
IRFR3303TRPBF	-	Richiesta di offerta	7880	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		D-Pak	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato	EAR99	0000.00.0000	2.000		CanaleN		30 V	33A(Tc)	10 V	31 mOhm a 18 A, 10 V	4 V a 250 µA	29 nC a 10 V	±20 V	750 pF a 25 V	-	57 W(Tc)
AUIRLL024NTR-IR	0,6200	Richiesta di offerta	4	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA			MOSFET (ossido di metallo)		SOT-223	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	0000.00.0000	2.500		CanaleN		55 V	3.1A (Ta)	4 V, 10 V	65 mOhm a 3,1 A, 10 V	2 V a 250 µA	15,6 nC a 5 V	±16V	510 pF a 25 V	-	1 W (Ta)
AUIRLR3114Z	1.0700	Richiesta di offerta	14	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		D-PAK (TO-252AA)	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		40 V	42A(Tc)	4,5 V, 10 V	4,9 mOhm a 42 A, 10 V	2,5 V a 100 µA	56 nC a 4,5 V	±16V	3810 pF a 25 V	-	140 W(Tc)
AUIRFS3207ZTRL	-	Richiesta di offerta	7809	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	0000.00.0000	86		CanaleN		75 V	120A (Tc)		4,1 mOhm a 75 A, 10 V	4 V a 150 µA	170 nC a 10 V		6920 pF a 50 V	-	300 W(Tc)