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Transistor(1222)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Tipo FET	Condizione di prova	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tempo di recupero inverso (trr)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C
IRGP35B60PD-EP	-	Richiesta di offerta	2350	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		308 W	TO-247 d.C	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		390 V, 22 A, 3,3 Ohm, 15 V											42 ns	TNP	600 V	60A	120A	2,55 V a 15 V, 35 A	220μJ (acceso), 215μJ (spento)	160 nC	26ns/110ns
AUIRRF2804	-	Richiesta di offerta	5565	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento				EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN		40 V	195A(Tc)	10 V	2,3 mOhm a 75 A, 10 V	4 V a 250 µA	240 nC a 10 V	±20 V	6450 pF a 25 V	-	300 W(Tc)
IRG7PH50UPBF	6.1200	Richiesta di offerta	90	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		556 W	TO-247AC	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	0000.00.0000	1		600 V, 50 A, 5 Ohm, 15 V												Trincea	1200 V	140A	150A	2 V a 15 V, 50 A	3,6 mJ (acceso), 2,2 mJ (spento)	290 nC	35ns/430ns
AUIRFS8403	1.1800	Richiesta di offerta	7	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		PG-TO263-3	scaricamento				EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN		40 V	123A(Tc)	10 V	3,3 mOhm a 70 A, 10 V	3,9 V a 100 µA	93 nC a 10 V	±20 V	3183 pF a 25 V	-	99 W (Tc)
AUIRFR4104TRL	1.4700	Richiesta di offerta	3	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		D-Pak	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		40 V	42A(Tc)		5,5 mOhm a 42 A, 10 V	4 V a 250 µA	89 nC a 10 V		2950 pF a 25 V	-	140 W(Tc)
IRGS8B60KPBF	0,7900	Richiesta di offerta	1	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	IRGS8B60KPBF	Standard		167 W	D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	0000.00.0000	1		400 V, 8 A, 50 Ohm, 15 V												TNP	600 V	28A	34A	2,2 V a 15 V, 8 A	160μJ (acceso), 160μJ (spento)	29 nC	23ns/140ns
IRFS7430-7PPBF	-	Richiesta di offerta	5335	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®, StrongIRFET™	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-7, D²Pak (6 derivazioni + linguetta)			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK (7 conduttori)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN		40 V	240A(Tc)	6 V, 10 V	0,75 mOhm a 100 A, 10 V	3,9 V a 250 µA	460 nC a 10 V	±20 V	13975 pF a 25 V	-	375 W(Tc)
IRGP4078D-EPBF	2.8900	Richiesta di offerta	9	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		278 W	TO-247 d.C	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	0000.00.0000	1		400 V, 50 A, 10 Ohm, 15 V												Trincea	600 V	74A	150A	2,2 V a 15 V, 50 A	1,1 mJ (spento)	92 nC	-/116ns
IRF6662TRPBF	1.0900	Richiesta di offerta	3	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	DirectFET™ isometrico MZ			MOSFET (ossido di metallo)		DIRECTFET™MZ	scaricamento				EAR99	8542.39.0001	275	CanaleN		100 V	8,3 A (Ta), 47 A (Tc)	10 V	22 mOhm a 8,2 A, 10 V	4,9 V a 100 µA	31 nC a 10 V	±20 V	1360 pF a 25 V	-	2,8 W (Ta), 89 W (Tc)
AUIRFS4610	-	Richiesta di offerta	4130	Raddrizzatore internazionale	Automotive, AEC-Q101, HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		100 V	73A(Tc)		14 mOhm a 44 A, 10 V	4 V a 100 µA	140 nC a 10 V	±20 V	3550 pF a 50 V	-	190 W(Tc)
AUIRF1405ZL	1.6300	Richiesta di offerta	1	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA			MOSFET (ossido di metallo)		TO-262	scaricamento				EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN		55 V	150A (Tc)	10 V	4,9 mOhm a 75 A, 10 V	4 V a 250 µA	180 nC a 10 V	±20 V	4780 pF a 25 V	-	230 W(Tc)
IRGS14C40LPBF	1.0000	Richiesta di offerta	3821	Raddrizzatore internazionale	-	Tubo	Obsoleto	-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB		Logica		125 W	D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3			EAR99	8541.29.0095	1.000		-												-	430 V	20A		1,75 V a 5 V, 14 A	-	27 nC	900ns/6μs
IRFU3707ZPBF	-	Richiesta di offerta	6221	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA			MOSFET (ossido di metallo)		IPAK (TO-251)	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		30 V	56A(Tc)	4,5 V, 10 V	9,5 mOhm a 15 A, 10 V	2,25 V a 25 µA	14 nC a 4,5 V	±20 V	1150 pF a 15 V	-	50 W (Tc)
AUIRFR5505TRL	0,7900	Richiesta di offerta	2	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		D-Pak	scaricamento				EAR99	8541.29.0095	1	Canale P		55 V	18A (Tc)	10 V	110 mOhm a 9,6 A, 10 V	4 V a 250 µA	32 nC a 10 V	±20 V	650 pF a 25 V	-	57 W(Tc)
IRGP4263-EPBF	-	Richiesta di offerta	4023	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		300 W	TO-247 d.C	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	0000.00.0000	1		400 V, 48 A, 10 Ohm, 15 V												-	650 V	90A	192A	2,1 V a 15 V, 48 A	1,7 mJ (acceso), 1 mJ (spento)	150 nC	70ns/140ns
IRLU3915PBF	-	Richiesta di offerta	5458	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA			MOSFET (ossido di metallo)		IPAK (TO-251)	-	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		55 V	30A (Tc)	5 V, 10 V	14 mOhm a 30 A, 10 V	3 V a 250 µA	92 nC a 10 V	±16V	1870 pF a 25 V	-	120 W (Tc)
IRG7PH30K10DPBF	1.0000	Richiesta di offerta	4174	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		180 W	TO-247AC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	0000.00.0000	1		600 V, 9 A, 22 Ohm, 15 V											140 n	Trincea	1200 V	30A	27A	2,35 V a 15 V, 9 A	530μJ (acceso), 380μJ (spento)	45 nC	14ns/110ns
IRG7PH42U-EP	3.4600	Richiesta di offerta	12	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	IRG7PH42	Standard		385 W	TO-247 d.C	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		600 V, 30 A, 10 Ohm, 15 V											153 ns	Trincea	1200 V	90A	90A	2 V a 15 V, 30 A	2,11 mJ (acceso), 1,18 mJ (spento)	157 nC	25ns/229ns
AUIRF4905	-	Richiesta di offerta	8761	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento				EAR99	8541.29.0095	1	Canale P		55 V	74A(Tc)	10 V	20 mOhm a 38 A, 10 V	4 V a 250 µA	180 nC a 10 V	±20 V	3400 pF a 25 V	-	200 W (Tc)
IRG4PC50FPBF	-	Richiesta di offerta	8716	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		200 W	TO-247AC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	0000.00.0000	1		480 V, 39 A, 5 Ohm, 15 V												-	600 V	70A	280A	1,6 V a 15 V, 39 A	370 µJ (acceso), 2,1 mJ (spento)	190 nC	31ns/240ns
IRG7PG35U-EPBF	2.6400	Richiesta di offerta	1	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		210 W	TO-247 d.C	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito	EAR99	0000.00.0000	1		600 V, 20 A, 10 Ohm, 15 V												Trincea	1000 V	55A	60A	2,2 V a 15 V, 20 A	1,06 mJ (acceso), 620 µJ (spento)	85 nC	30ns/160ns
AUIRLR014NTRL	-	Richiesta di offerta	9962	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		D-PAK (TO-252AA)	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		55 V	10A (Tc)	4,5 V, 10 V	140 mOhm a 6 A, 10 V	3 V a 250 µA	7,9 nC a 5 V	±16V	265 pF a 25 V	-	28 W (Tc)
AUIRLR120N	1.0000	Richiesta di offerta	5093	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		D-PAK (TO-252AA)	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		100 V	10A (Tc)	4 V, 10 V	185 mOhm a 6 A, 10 V	2 V a 250 µA	20 nC a 5 V	±16V	440 pF a 25 V	-	48 W(Tc)
IRF2907ZSPBF	1.0000	Richiesta di offerta	7565	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		75 V	160A(Tc)		4,5 mOhm a 75 A, 10 V	4 V a 250 µA	270 nC a 10 V	±20 V	7500 pF a 25 V	-	300 W(Tc)
IRFL014NPBF	-	Richiesta di offerta	5455	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA			MOSFET (ossido di metallo)		SOT-223	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		55 V	1,9A(Ta)		160 mOhm a 1,9 A, 10 V	4 V a 250 µA	11 nC a 10 V	±20 V	190 pF a 25 V	-	1 W (Ta)
AUIRFP4568-E	1.0000	Richiesta di offerta	2069	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-247 d.C	scaricamento				EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN		150 V	171A(Tc)	10 V	5,9 mOhm a 103 A, 10 V	5 V a 250 µA	227 nC a 10 V	±30 V	10470 pF a 50 V	-	517 W(Tc)
IRLL024ZPBF	-	Richiesta di offerta	3174	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA			MOSFET (ossido di metallo)		SOT-223	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN		55 V	5A (Tc)	4,5 V, 10 V	60 mOhm a 3 A, 10 V	3 V a 250 µA	11 nC a 5 V	±16V	380 pF a 25 V	-	1 W (Ta)
IRFS3006PBF	-	Richiesta di offerta	1153	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		60 V	195A(Tc)	10 V	2,5 mOhm a 170 A, 10 V	4 V a 250 µA	300 nC a 10 V	±20 V	8970 pF a 50 V	-	375 W(Tc)
IRG4PC40SPBF	1.0000	Richiesta di offerta	1975	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		160 W	TO-247AC	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato	EAR99	0000.00.0000	1		480 V, 31 A, 10 Ohm, 15 V												-	600 V	60A	120A	1,5 V a 15 V, 31 A	450 µJ (acceso), 6,5 mJ (spento)	100 nC	22ns/650ns
IRLR8721TRPBF-IR	-	Richiesta di offerta	2961	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		TO-252AA	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	0000.00.0000	2.000	CanaleN		30 V	65A(Tj)	4,5 V, 10 V	8,4 mOhm a 25 A, 10 V	2,35 V a 25 µA	13 nC a 4,5 V	±20 V	1030 pF a 15 V	-	65 W (Tc)