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Transistor(1222)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Condizione di prova	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tempo di recupero inverso (trr)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C
AIGW40N65F5XKSA1	-	Richiesta di offerta	9774	Raddrizzatore internazionale	Settore automobilistico, AEC-Q101, TrenchStop™	Massa	Attivo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		250 W	PG-TO247-3	-				2156-AIGW40N65F5XKSA1			1			400 V, 20 A, 15 Ohm, 15 V												Trincea	650 V	74A	120A	2,1 V a 15 V, 40 A	350μJ (acceso), 100μJ (spento)	95 nC	19ns/165ns
IRLU8729-701PBF	0,3200	Richiesta di offerta	2	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA			MOSFET (ossido di metallo)		PG-TO-251-3-21	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	944		CanaleN		30 V	58A (Tc)		8,9 mOhm a 25 A, 10 V	2,35 V a 25 µA	16 nC a 4,5 V	±20 V	1350 pF a 15 V	-	55 W (Tc)
IRG4PSH71UDPBF	1.0000	Richiesta di offerta	5303	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-274AA		Standard		350 W	SUPER-247 (TO-274AA)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1			960 V, 70 A, 5 Ohm, 15 V											110 n	-	1200 V	99A	200A	2,7 V a 15 V, 70 A	8,8 mJ (acceso), 9,4 mJ (spento)	570 nC	46ns/250ns
IRG8P25N120KD-EPBF	4.1400	Richiesta di offerta	9	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		180 W	TO-247 d.C	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1			600 V, 15 A, 10 Ohm, 15 V											70 ns	-	1200 V	40A	45A	2 V a 15 V, 15 A	800μJ (acceso), 900μJ (spento)	135 nC	20ns/170ns
IRLU3105PBF	-	Richiesta di offerta	7293	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Tubo	Obsoleto		Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA			MOSFET (ossido di metallo)		I-PAK	scaricamento	Conformità ROHS3				EAR99	8541.29.0095	300		CanaleN		55 V	25A (Tc)		37 mOhm a 15 A, 10 V	3 V a 250 µA	20 nC a 5 V		710 pF a 25 V	-
IRFB4310PBF	1.0000	Richiesta di offerta	8280	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1		CanaleN		100 V	130A (Tc)	10 V	7 mOhm a 75 A, 10 V	4 V a 250 µA	250 nC a 10 V	±20 V	7670 pF a 50 V	-	300 W(Tc)
IRF3808SPBF	1.0000	Richiesta di offerta	5209	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		75 V	106A(Tc)	10 V	7 mOhm a 82 A, 10 V	4 V a 250 µA	220 nC a 10 V	±20 V	5310 pF a 25 V	-	200 W (Tc)
AUIRFR2607ZTRL	-	Richiesta di offerta	9048	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		D-Pak	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	3.000		CanaleN		75 V	42A(Tc)	10 V	22 mOhm a 30 A, 10 V	4 V a 50 µA	51 nC a 10 V	±20 V	1440 pF a 25 V	-	110 W (Tc)
IRFS7434TRL7PP	-	Richiesta di offerta	3629	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®, StrongIRFET™	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-7, D²Pak (6 derivazioni + linguetta)			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK-7	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1		CanaleN		40 V	240A(Tc)	6 V, 10 V	1 mOhm a 100 A, 10 V	3,9 V a 250 µA	315 nC a 10 V	±20 V	10250 pF a 25 V	-	245 W(Tc)
IRG4RC20FTRPBF	0,5700	Richiesta di offerta	6	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	IRG4RC20	Standard		66 W	D-Pak	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	2.000			480 V, 12 A, 50 Ohm, 15 V												-	600 V	22A	44A	2,1 V a 15 V, 12 A	190μJ (acceso), 920μJ (spento)	27 nC	26ns/194ns
IRFR4105ZPBF	-	Richiesta di offerta	5409	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		TO-252AA	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		55 V	30A (Tc)		24,5 mOhm a 18 A, 10 V	4 V a 250 µA	27 nC a 10 V	±20 V	740 pF a 25 V	-	48 W(Tc)
IRF245	-	Richiesta di offerta	2316	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-	Foro passante	TO-204AE			MOSFET (ossido di metallo)		TO-204AE	scaricamento	RoHS non conforme	3 (168 ore)	Venditore non definito		EAR99	0000.00.0000	143		CanaleN		250 V	13A (Tc)		-	-		-		-	125 W
IRGP4062D-EPBF	-	Richiesta di offerta	6386	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		250 W	TO-247 d.C	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1			400 V, 24 A, 10 Ohm, 15 V											89 ns	Trincea	600 V	48A	72A	1,95 V a 15 V, 24 A	115μJ (acceso), 600μJ (spento)	75 nC	41ns/104ns
AUIRFR3710ZTRL	-	Richiesta di offerta	8408	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		D-Pak	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		100 V	42A(Tc)		18 mOhm a 33 A, 10 V	4 V a 250 µA	100 nC a 10 V		2930 pF a 25 V	-	140 W(Tc)
64-9142PBF	0,5500	Richiesta di offerta	704	Raddrizzatore internazionale	*	Massa	Attivo									-	Non applicabile	3 (168 ore)	Venditore non definito				310
IRLR3110ZTRPBF	-	Richiesta di offerta	3091	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		D-Pak	scaricamento						0000.00.0000	1		CanaleN		100 V	42A(Tc)	4,5 V, 10 V	14 mOhm a 38 A, 10 V	2,5 V a 100 µA	48 nC a 4,5 V	±16V	3980 pF a 25 V	-	140 W(Tc)
IRG4PC60UPBF	1.0000	Richiesta di offerta	7985	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		520 W	TO-247AC	scaricamento	Non applicabile	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1			480 V, 40 A, 5 Ohm, 15 V												-	600 V	75A	300 A	2 V a 15 V, 40 A	280 µJ (acceso), 1,1 mJ (spento)	310 nC	39ns/200ns
IRG4PC50SDPBF	-	Richiesta di offerta	8710	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		200 W	TO-247 d.C	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1			480 V, 41 A, 5 Ohm, 15 V											50 n	-	600 V	70A	140A	1,36 V a 15 V, 41 A	720 µJ (acceso), 8,27 mJ (spento)	280 nC	33ns/650ns
IRGS6B60KPBF	1.0000	Richiesta di offerta	8	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB		Standard		90 W	PG-TO263-3-901	-	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1			400 V, 5 A, 100 Ohm, 15 V												-	600 V	13A	26A	2,2 V a 15 V, 5 A	110μJ (acceso), 135μJ (spento)	18,2 nC	25ns/215ns
AUIRFS3107-7P	1.0000	Richiesta di offerta	6024	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-7, D²Pak (6 derivazioni + linguetta)			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK (7 conduttori)	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		75 V	240A(Tc)	10 V	2,6 mOhm a 160 A, 10 V	4 V a 250 µA	240 nC a 10 V	±20 V	9200 pF a 50 V	-	370 W(Tc)
IRF530NSPBF	-	Richiesta di offerta	8799	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		100 V	17A(Tc)	10 V	90 mOhm a 9 A, 10 V	4 V a 250 µA	37 nC a 10 V	±20 V	920 pF a 25 V	-	3,8 W (Ta), 70 W (Tc)
AUIRFS8409	2.4500	Richiesta di offerta	10	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		PG-TO263-3	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		40 V	195A(Tc)	10 V	1,2 mOhm a 100 A, 10 V	3,9 V a 250 µA	450 nC a 10 V	±20 V	14240 pF a 25 V	-	375 W(Tc)
IRG4PH40KDPBF	-	Richiesta di offerta	4682	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		160 W	TO-247AC	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1			800 V, 15 A, 10 Ohm, 15 V											63 ns	-	1200 V	30A	60A	3,4 V a 15 V, 15 A	1,31 mJ (acceso), 1,12 mJ (spento)	140 nC	50ns/96ns
IRFS7787PBF	-	Richiesta di offerta	9853	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		PG-TO263-3-2	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		75 V	76A(Tc)		8,4 mOhm a 46 A, 10 V	3,7 V a 100 µA	109 nC a 10 V	±20 V	4020 pF a 25 V	-	125 W (Tc)
IRG4RC20FTRLBF	1.1100	Richiesta di offerta	9	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63		Standard		66 W	D-Pak	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	3.000			480 V, 12 A, 50 Ohm, 15 V												-	600 V	22A	44A	2,1 V a 15 V, 12 A	190μJ (acceso), 920μJ (spento)	40 nC	26ns/194ns
AUIRFU4292	0,7900	Richiesta di offerta	26	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA			MOSFET (ossido di metallo)		I-PAK	scaricamento		Venditore non definito	REACH Inalterato	2156-AUIRFU4292-600047			1		CanaleN		250 V	9,3 A(Tc)	10 V	345 mOhm a 5,6 A, 10 V	5 V a 50 µA	20 nC a 10 V	±20 V	705 pF a 25 V	-	100 W (Tc)
AUIRF1010EZSTRL	1.0000	Richiesta di offerta	3305	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		PG-TO263-3	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		60 V	75A (Tc)	10 V	8,5 mOhm a 51 A, 10 V	4 V a 250 µA	86 nC a 10 V	±20 V	2810 pF a 25 V	-	140 W(Tc)
IRGP4069DPBF	-	Richiesta di offerta	7252	Raddrizzatore internazionale	*	Massa	Attivo									scaricamento		Non applicabile	REACH Inalterato	2156-IRGP4069DPBF-600047	EAR99	8541.29.0095	1
IRFS4620PBF	1.0000	Richiesta di offerta	1444	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		200 V	24A (Tc)	10 V	77,5 mOhm a 15 A, 10 V	5 V a 100 µA	38 nC a 10 V	±20 V	1710 pF a 50 V	-	144 W(Tc)
IRFH4257DTRPBF	0,9800	Richiesta di offerta	2	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	IRFH4257		MOSFET (ossido di metallo)	25 W, 28 W	PQFN doppio (5x4)	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1	2 canali N (doppio)			25 V	25A		3,4 mOhm a 25 A, 10 V	2,1 V a 35 µA	15nC a 4,5 V		1321pF a 13V	Porta a livello logico