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Transistor(1222)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Tipo FET	Condizione di prova	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tempo di recupero inverso (trr)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C
IRFIRL60B216	-	Richiesta di offerta	1503	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		PG-TO220-3-904	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		60 V	195A(Tc)	4,5 V, 10 V	1,9 mOhm a 100 A, 10 V	2,4 V a 250 µA	258 nC a 4,5 V	±20 V	15570 pF a 25 V	-	375 W(Tc)
IRFZ44ZLPBF	1.0600	Richiesta di offerta	1	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA			MOSFET (ossido di metallo)		TO-262	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	284	CanaleN		55 V	51A(Tc)	10 V	13,9 mOhm a 31 A, 10 V	4 V a 250 µA	43 nC a 10 V	±20 V	1420 pF a 25 V	-	80 W (Tc)
AUIRF7736M2TR	-	Richiesta di offerta	6357	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	DirectFET™ isometrico M4			MOSFET (ossido di metallo)		DirectFET™ isometrico M4	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN		40 V	22A (Ta), 108A (Tc)	10 V	3 mOhm a 65 A, 10 V	4 V a 150 µA	108 nC a 10 V	±20 V	4267 pF a 25 V	-	2,5 W (Ta), 63 W (Tc)
IRFU9024NPBF	-	Richiesta di offerta	4353	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA			MOSFET (ossido di metallo)		IPAK (TO-251AA)	-		Venditore non definito	REACH Inalterato	2156-IRFU9024NPBF-600047	EAR99	0000.00.0000	1	Canale P		55 V	11A(Tc)	10 V	175 mOhm a 6,6 A, 10 V	4 V a 250 µA	19 nC a 10 V	±20 V	350 pF a 25 V	-	38 W (Tc)
AUIRFR3607TRL	-	Richiesta di offerta	9129	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	AUIRFR3607		MOSFET (ossido di metallo)		D-Pak	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		75 V	56A(Tc)		9 mOhm a 46 A, 10 V	4 V a 100 µA	84 nC a 10 V		3070 pF a 50 V	-	140 W(Tc)
IRGSL15B60KDPBF	1.4100	Richiesta di offerta	4	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA		Standard		208 W	PG-TO262-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		400 V, 15 A, 22 Ohm, 15 V											92 ns	TNP	600 V	31A	62A	2,2 V a 15 V, 15 A	220μJ (acceso), 340μJ (spento)	56 nC	34ns/184ns
IRFS4227TRLPBF	-	Richiesta di offerta	3869	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento						0000.00.0000	1	CanaleN		200 V	62A(Tc)	10 V	26 mOhm a 46 A, 10 V	5 V a 250 µA	98 nC a 10 V	±30 V	4600 pF a 25 V	-	330 W(Tc)
AUIRLR2908TRL	-	Richiesta di offerta	5012	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		D-PAK (TO-252AA)	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		80 V	30A (Tc)		28 mOhm a 23 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	33 nC a 4,5 V		1890 pF a 25 V	-	120 W (Tc)
IRGIB6B60KDPBF	-	Richiesta di offerta	8356	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo		Standard		38 W	TO-220AB Pacchetto completo	-	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		400 V, 5 A, 100 Ohm, 15 V											70 ns	TNP	600 V	11A	22A	2,2 V a 15 V, 5 A	110μJ (acceso), 135μJ (spento)	18,2 nC	25ns/215ns
AUIRFS6535	-	Richiesta di offerta	9088	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		PG-TO263-3	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN		300 V	19A(Tc)	10 V	185 mOhm a 11 A, 10 V	5 V a 150 µA	57 nC a 10 V	±20 V	2340 pF a 25 V	-	210 W(Tc)
AUIRFU8403-701TRL	0,9700	Richiesta di offerta	11	Raddrizzatore internazionale	Automotive, AEC-Q101, HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA			MOSFET (ossido di metallo)		PG-TO251-3-901	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0095	3.000	CanaleN		40 V	100A (Tc)	10 V	3,1 mOhm a 76 A, 10 V	3,9 V a 100 µA	99 nC a 10 V	±20 V	3171 pF a 25 V	-	99 W (Tc)
IRFS4310ZPBF	-	Richiesta di offerta	7368	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		PG-TO263-3-2	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		100 V	120A (Tc)		6 mOhm a 75 A, 10 V	4 V a 150 µA	170 nC a 10 V	±20 V	6860 pF a 50 V	-	250 W(Tc)
AUIRF3004WL	-	Richiesta di offerta	8741	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-262-3 Cavi larghi			MOSFET (ossido di metallo)		TO-262-3 Largo	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	5	CanaleN		40 V	240A(Tc)	10 V	1,4 mOhm a 195 A, 10 V	4 V a 250 µA	210 nC a 10 V	±20 V	9450 pF a 32 V	-	375 W(Tc)
AUIRF3205Z	-	Richiesta di offerta	3054	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN		55 V	75A (Tc)	10 V	6,5 mOhm a 66 A, 10 V	4 V a 250 µA	110 nC a 10 V	±20 V	3450 pF a 25 V	-	170 W(Tc)
IRFSL3806PBF	-	Richiesta di offerta	3003	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA			MOSFET (ossido di metallo)		TO-262	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		60 V	43A(Tc)	10 V	15,8 mOhm a 25 A, 10 V	4 V a 50 µA	30 nC a 10 V	±20 V	1150 pF a 50 V	-	71 W(Tc)
IRG4BC40WPBF	-	Richiesta di offerta	4525	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3		Standard		160 W	TO-220AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		480 V, 20 A, 10 Ohm, 15 V												-	600 V	40A	160A	2,5 V a 15 V, 20 A	110μJ (acceso), 230μJ (spento)	98 nC	27ns/100ns
AUIRF1404ZSTRL	1.9900	Richiesta di offerta	949	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D²PAK (TO-263AB)	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN		40 V	160A(Tc)	10 V	3,7 mOhm a 75 A, 10 V	4 V a 250 µA	150 nC a 10 V	±20 V	4340 pF a 25 V	-	200 W (Tc)
IRG4BC30FPBF	1.1200	Richiesta di offerta	770	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3		Standard		100 W	TO-220AB	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1		480 V, 17 A, 23 Ohm, 15 V												-	600 V	31A	124A	1,8 V a 15 V, 17 A	230 µJ (acceso), 1,18 mJ (spento)	51 nC	21ns/200ns
IRG4PH30KPBF	1.0000	Richiesta di offerta	9106	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		100 W	TO-247AC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		960 V, 10 A, 23 Ohm, 15 V												-	1200 V	20A	40A	4,2 V a 15 V, 10 A	640μJ (acceso), 920μJ (spento)	53 nC	28ns/200ns
IRFR3910TRPBF	-	Richiesta di offerta	2497	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	IRFR3910		MOSFET (ossido di metallo)		D-Pak	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1	CanaleN		100 V	16A (Tc)	10 V	115 mOhm a 10 A, 10 V	4 V a 250 µA	44 nC a 10 V	±20 V	640 pF a 25 V	-	79 W(Tc)
AUIRFP2907	4.7100	Richiesta di offerta	11	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-247AC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		75 V	90A (Tc)	10 V	4,5 mOhm a 125 A, 10 V	4 V a 250 µA	620 nC a 10 V	±20 V	13.000 pF a 25 V	-	470 W(Tc)
AUIRL1404STRL	1.7900	Richiesta di offerta	820	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		D-PAK (TO-252AA)	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		40 V	160A(Tc)	4,3 V, 10 V	4 mOhm a 95 A, 10 V	3 V a 250 µA	140 nC a 5 V	±20 V	6600 pF a 25 V	-	3,8 W (Ta), 200 W (Tc)
IRL3103STRLPBF	1.0000	Richiesta di offerta	9926	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		30 V	64A(Tc)	4,5 V, 10 V	12 mOhm a 34 A, 10 V	1 V a 250 µA	33 nC a 4,5 V	±16V	1650 pF a 25 V	-	94 W (Tc)
AUIRFZ44V	0,8900	Richiesta di offerta	10	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento	Conformità ROHS3				EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN		60 V	55A (Tc)		16,5 mOhm a 31 A, 10 V	4 V a 250 µA	67 nC a 10 V		1812 pF a 25 V	-	115 W(Tc)
IRFR13N15DPBF	1.0000	Richiesta di offerta	6627	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		D-Pak	scaricamento						0000.00.0000	1	CanaleN		150 V	14A (Tc)	10 V	180 mOhm a 8,3 A, 10 V	5,5 V a 250 µA	29 nC a 10 V	±30 V	620 pF a 25 V	-	86 W (Tc)
IRFL024NTRPBF	-	Richiesta di offerta	8798	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA			MOSFET (ossido di metallo)		SOT-223	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1	CanaleN		55 V	2,8A(Ta)	10 V	75 mOhm a 2,8 A, 10 V	4 V a 250 µA	18,3 nC a 10 V	±20 V	400 pF a 25 V	-	1 W (Ta)
AUIRFZ24NSTRL	1.1000	Richiesta di offerta	92	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		D-PAK (TO-252AA)	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN		55 V	17A(Tc)	10 V	70 mOhm a 10 A, 10 V	4 V a 250 µA	20 nC a 10 V	±20 V	370 pF a 25 V	-	3,8 W (Ta), 45 W (Tc)
IRG8P75N65UD1PBF	3.3700	Richiesta di offerta	1	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Obsoleto									-					EAR99	8542.39.0001	1
IRG4BC30FDPBF	-	Richiesta di offerta	6216	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3		Standard		100 W	TO-220AB	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		480 V, 17 A, 23 Ohm, 15 V											42 ns	-	600 V	31A	124A	1,8 V a 15 V, 17 A	630 µJ (acceso), 1,39 mJ (spento)	51 nC	42ns/230ns
IRF6668TRPBF	0,9400	Richiesta di offerta	59	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	DirectFET™ isometrico MZ			MOSFET (ossido di metallo)		DIRECTFET™MZ	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	318	CanaleN		80 V	55A (Tc)	10 V	15 mOhm a 12 A, 10 V	4,9 V a 100 µA	31 nC a 10 V	±20 V	1320 pF a 25 V	-	2,8 W (Ta), 89 W (Tc)