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Transistor(1222)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Tipo FET	Condizione di prova	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tempo di recupero inverso (trr)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C
IRF6892STRPBF	0,7700	Richiesta di offerta	3	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	DirectFET™ S3C isometrico			MOSFET (ossido di metallo)		DIRECTFET™ S3C	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		25 V	28A (Ta), 125A (Tc)	4,5 V, 10 V	1,7 mOhm a 28 A, 10 V	2,1 V a 50 µA	25 nC a 4,5 V	±16V	2510 pF a 13 V	-	2,1 W (Ta), 42 W (Tc)
IRG8P08N120KDPBF	1.8600	Richiesta di offerta	39	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		89 W	TO-247AC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	0000.00.0000	1		600 V, 5 A, 47 Ohm, 15 V											50 n	-	1200 V	15A	15A	2 V a 15 V, 5 A	300μJ (acceso), 300μJ (spento)	45 nC	20ns/160ns
IRF2804LPBF	-	Richiesta di offerta	9475	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA	IRF2804		MOSFET (ossido di metallo)		TO-262	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1	CanaleN		40 V	75A (Tc)		2,3 mOhm a 75 A, 10 V	4 V a 250 µA	240 nC a 10 V		6450 pF a 25 V	-	300 W(Tc)
AUIRFN7107TR-IR	-	Richiesta di offerta	7590	Raddrizzatore internazionale	Automotive, AEC-Q101, HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale, fianco bagnabile	8-PowerVDFN			MOSFET (ossido di metallo)		PG-TDSON-8-10	-	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-AUIRFN7107TR-IR	EAR99	0000.00.0000	4.000	CanaleN		75 V	14A (Ta), 75A (Tc)		8,5 mOhm a 45 A, 10 V	4 V a 100 µA	77 nC a 10 V	±20 V	3001 pF a 25 V	-	4,4 W (Ta), 125 W (Tc)
AUIRL2203N	1.0000	Richiesta di offerta	3	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		30 V	75A (Tc)	4,5 V, 10 V	7 mOhm a 60 A, 10 V	1 V a 250 µA	60 nC a 4,5 V	±16V	3290 pF a 25 V	-	180 W(Tc)
IRGSL10B60KDPBF	1.5800	Richiesta di offerta	4	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA		Standard		156 W	TO-262	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1		400 V, 10 A, 47 Ohm, 15 V											90 ns	TNP	600 V	22A	44A	2,2 V a 15 V, 10 A	140μJ (acceso), 250μJ (spento)	38 nC	30ns/230ns
AUIRF1405	1.8600	Richiesta di offerta	1	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		55 V	75A (Tc)		5,3 mOhm a 101 A, 10 V	4 V a 250 µA	260 nC a 10 V	±20 V	5480 pF a 25 V	-	330 W(Tc)
IRG4PC50FDPBF	-	Richiesta di offerta	2333	Raddrizzatore internazionale	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		200 W	TO-247AC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	25		480 V, 39 A, 5 Ohm, 15 V											50 n	-	600 V	70A	280A	1,6 V a 15 V, 39 A	1,5 mJ (acceso), 2,4 mJ (spento)	190 nC	55ns/240ns
IRGIB4620DPBF	-	Richiesta di offerta	8410	Raddrizzatore internazionale	-	Tubo	Obsoleto	-40°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo		Standard		140 W	PG-TO220 Pacchetto completo	scaricamento	Conformità ROHS3				EAR99	8541.29.0095	50		400 V, 12 A, 22 Ohm, 15 V											68 ns	TNP	600 V	32A	36A	1,85 V a 15 V, 12 A	185μJ (acceso), 355μJ (spento)	25 nC	31ns/83ns
IRFI3205PBF	-	Richiesta di offerta	1939	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB Pacchetto completo	scaricamento						0000.00.0000	1	CanaleN		55 V	64A(Tc)	10 V	8 mOhm a 34 A, 10 V	4 V a 250 µA	170 nC a 10 V	±20 V	4000 pF a 25 V	-	63 W (Tc)
AUIRLU3114Z	1.1500	Richiesta di offerta	11	Raddrizzatore internazionale	Automotive, AEC-Q101, HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA			MOSFET (ossido di metallo)		PG-TO251-3	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	261	CanaleN		40 V	130A (Tc)	4,5 V, 10 V	4,9 mOhm a 42 A, 10 V	2,5 V a 100 µA	56 nC a 4,5 V	±16V	3810 pF a 25 V	-	140 W(Tc)
AUIRF3415	1.5200	Richiesta di offerta	564	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		150 V	43A(Tc)	10 V	42 mOhm a 22 A, 10 V	4 V a 250 µA	200 nC a 10 V	±20 V	2400 pF a 25 V	-	200 W (Tc)
IRG4IBC20KDPBF	-	Richiesta di offerta	5274	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo		Standard		34 W	TO-220AB Pacchetto completo	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1		480 V, 9 A, 50 Ohm, 15 V											37 nn	-	600 V	11,5 A	23A	2,8 V a 15 V, 9 A	340μJ (acceso), 300μJ (spento)	34 nC	54ns/180ns
IRG7PH46UDPBF	-	Richiesta di offerta	5453	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		390 W	TO-247AC	-	RoHS non conforme		Venditore non definito	2156-IRG7PH46UDPBF-600047			1		600 V, 40 A, 10 Ohm, 15 V											140 n	Trincea	1200 V	108A	160A	2 V a 15 V, 40 A	2,61 mJ (acceso), 1,85 mJ (spento)	220 nC	45ns/410ns
IRFZ44ZLPBF	1.0600	Richiesta di offerta	1	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA			MOSFET (ossido di metallo)		TO-262	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	284	CanaleN		55 V	51A(Tc)	10 V	13,9 mOhm a 31 A, 10 V	4 V a 250 µA	43 nC a 10 V	±20 V	1420 pF a 25 V	-	80 W (Tc)
IRFIRL60B216	-	Richiesta di offerta	1503	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		PG-TO220-3-904	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		60 V	195A(Tc)	4,5 V, 10 V	1,9 mOhm a 100 A, 10 V	2,4 V a 250 µA	258 nC a 4,5 V	±20 V	15570 pF a 25 V	-	375 W(Tc)
IRG8P45N65UD1PBF	4.6800	Richiesta di offerta	2	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Obsoleto									-					EAR99	8542.39.0001	1
IRFAF30	5.1400	Richiesta di offerta	5958	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-204AA, TO-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-204AA (TO-3)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0095	44	CanaleN		900 V	2A(Tc)	10 V	4,6 Ohm a 2 A, 10 V	4 V a 250 µA	66 nC a 10 V	±20 V	1000 pF a 25 V	-	75 W (Tc)
IRFF313	-	Richiesta di offerta	4080	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-	Foro passante	TO-205AF Lattina di metallo			MOSFET (ossido di metallo)		TO-205AF (TO-39)	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	44	CanaleN		350 V	1,15 A	-	-	-		-		-	15 W
IRLU9343PBF	-	Richiesta di offerta	3358	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA			MOSFET (ossido di metallo)		IPAK (TO-251AA)	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1	Canale P		55 V	20A (Tc)		105 mOhm a 3,4 A, 10 V	1 V a 250 µA	47 nC a 10 V	±20 V	660 pF a 50 V	-	79 W(Tc)
IRG4PC60FPBF	-	Richiesta di offerta	1735	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		520 W	TO-247AC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		480 V, 60 A, 5 Ohm, 15 V												-	600 V	90A	360A	1,8 V a 15 V, 60 A	300 µJ (acceso), 4,6 mJ (spento)	290 nC	42ns/310ns
IRF141	-	Richiesta di offerta	4623	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-	Foro passante	TO-204AA, TO-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-204AA (TO-3)	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	33	CanaleN		80 V	28A	-	-	-		-		-	150 W
IRF2804SPBF-IR	1.0000	Richiesta di offerta	5053	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		40 V	75A (Tc)	10 V	2 mOhm a 75 A, 10 V	4 V a 250 µA	240 nC a 10 V	±20 V	6450 pF a 25 V	-	300 W(Tc)
IRF640NSPBF	-	Richiesta di offerta	8104	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN		200 V	18A (Tc)		150 mOhm a 11 A, 10 V	4 V a 250 µA	67 nC a 10 V	±20 V	1160 pF a 25 V	-	150 W(Tc)
IRG4PH40KPBF	1.0000	Richiesta di offerta	4152	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		160 W	TO-247AC	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		960 V, 15 A, 10 Ohm, 15 V												-	1200 V	30A	60A	3,4 V a 15 V, 15 A	730 µJ (acceso), 1,66 mJ (spento)	94 nC	30ns/200ns
AUIRFS3206TRL-IR	-	Richiesta di offerta	5162	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	-	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-AUIRFS3206TRL-IR	EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		60 V	120A (Tc)	10 V	3 mOhm a 75 A, 10 V	4 V a 150 µA	170 nC a 10 V	±20 V	6540 pF a 50 V	-	300 W(Tc)
AUIRFR540ZTRL	-	Richiesta di offerta	1620	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		DPAK	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN		100 V	35A (Tc)	10 V	28,5 mOhm a 21 A, 10 V	4 V a 50 µA	59 nC a 10 V	±20 V	1690 pF a 25 V	-	91 W (Tc)
IRFSL3207ZPBF	1.0000	Richiesta di offerta	6714	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA			MOSFET (ossido di metallo)		TO-262	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN		75 V	120A (Tc)	10 V	4,1 mOhm a 75 A, 10 V	4 V a 150 µA	170 nC a 10 V	±20 V	6920 pF a 50 V	-	300 W(Tc)
IRFR7540PBF	1.0000	Richiesta di offerta	5147	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		TO-252AA	scaricamento	Conformità ROHS3				EAR99	8541.29.0095	3.000	CanaleN		60 V	90A (Tc)		4,8 mOhm a 66 A, 10 V	3,7 V a 100 µA	130 nC a 10 V	±20 V	4360 pF a 25 V	-	140 W(Tc)
IRG4PH50KDPBF	-	Richiesta di offerta	6143	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		200 W	TO-247AC	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		800 V, 24 A, 5 Ohm, 15 V											90 ns	-	1200 V	45A	90A	3,5 V a 15 V, 24 A	3,83 mJ (acceso), 1,9 mJ (spento)	180 nC	87ns/140ns