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Transistor(1222)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Condizione di prova	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tempo di recupero inverso (trr)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C
AUIRFS3006-7TRL	-	Richiesta di offerta	1535	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-7, D²Pak (6 derivazioni + linguetta)			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	800		CanaleN		60 V	240A(Tc)		2,1 mOhm a 168 A, 10 V	4 V a 250 µA	300 nC a 10 V		8850 pF a 50 V	-	375 W(Tc)
AUIRFR024N	0,9600	Richiesta di offerta	5	Raddrizzatore internazionale	Automotive, AEC-Q101, HEXFET®	Massa	Interrotto alla SIC	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		D-Pak	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		55 V	17A(Tc)		75 mOhm a 10 A, 10 V	4 V a 250 µA	20 nC a 10 V	±20 V	370 pF a 25 V	-	45 W (Tc)
IRG7PH46UPBF	1.0000	Richiesta di offerta	1933	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		469 W	TO-247AC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1			600 V, 40 A, 10 Ohm, 15 V												Trincea	1200 V	130A	160A	2 V a 15 V, 40 A	2,56 mJ (acceso), 1,78 mJ (spento)	220 nC	45ns/410ns
IRFB4321PBF	-	Richiesta di offerta	1156	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1		CanaleN		150 V	85A (Tc)	10 V	15 mOhm a 33 A, 10 V	5 V a 250 µA	110 nC a 10 V	±30 V	4460 pF a 50 V	-	350 W(Tc)
IRFF9133	-	Richiesta di offerta	1380	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-	Foro passante	TO-205AF Lattina di metallo			MOSFET (ossido di metallo)		TO-205AF (TO-39)	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	70		CanaleN		80 V	6,5 A	-	-	-		-		-	25 W
IRF7665S2TRPBF	1.0000	Richiesta di offerta	6187	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	DirectFET™ SB isometrico			MOSFET (ossido di metallo)		DirectFET™ SB isometrico	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	775		CanaleN		100 V	4,1 A (Ta), 14,4 A (Tc)		62 mOhm a 8,9 A, 10 V	5 V a 25 µA	13 nC a 10 V	±20 V	515 pF a 25 V	-	2,4 W (Ta), 30 W (Tc)
IRG4PC50UD-EPBF	1.0000	Richiesta di offerta	2113	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		200 W	TO-247AC	scaricamento	Non applicabile	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1			480 V, 27 A, 5 Ohm, 15 V											50 n	-	600 V	55A	220A	2 V a 15 V, 27 A	990μJ (acceso), 590μJ (spento)	180 nC	46ns/140ns
IRGP4262D-EPBF	1.0000	Richiesta di offerta	6163	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		250 W	TO-247 d.C	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1			400 V, 24 A, 10 Ohm, 15 V											170 n	-	650 V	60A	96A	2,1 V a 15 V, 24 A	520μJ (acceso), 240μJ (spento)	70 nC	24ns/73ns
IRF3575DTRPBF	1.8300	Richiesta di offerta	3	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-	Montaggio superficiale	32-PotenzaWFQFN	IRF3575		MOSFET (ossido di metallo)	-	32-PQFN (6x6)	scaricamento	Non applicabile	2 (1 anno)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1	2 canali N (doppio)			25 V	303A(Tc)		-	-	-		-	-
AUIRF1405ZS-7TRL	1.0000	Richiesta di offerta	5434	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-7, D²Pak (6 derivazioni + linguatta), TO-263CB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK (7 conduttori)	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		55 V	120A (Tc)	10 V	4,9 mOhm a 88 A, 10 V	4 V a 150 µA	230 nC a 10 V	±20 V	5360 pF a 25 V	-	230 W(Tc)
IRL1404SPBF	-	Richiesta di offerta	2560	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		40 V	160A(Tc)	4,3 V, 10 V	4 mOhm a 95 A, 10 V	3 V a 250 µA	140 nC a 5 V	±20 V	6600 pF a 25 V	-	3,8 W (Ta), 200 W (Tc)
AUIRF7313QTR	1.0000	Richiesta di offerta	8983	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	AUIRF7313		MOSFET (ossido di metallo)	2,4 W	8-SOIC	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1	2 canali N (doppio)			30 V	6,9 A		29 mOhm a 6,9 A, 10 V	3 V a 250 µA	33nC a 10 V		755 pF a 25 V	Porta a livello logico
AUIRF1324S-7P-IR	-	Richiesta di offerta	4342	Raddrizzatore internazionale	Automotive, AEC-Q101, HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-7, D²Pak (6 derivazioni + linguetta)			MOSFET (ossido di metallo)		PG-TO263-7	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-AUIRF1324S-7P-IR	EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		24 V	240A(Tc)		1 mOhm a 160 A, 10 V	4 V a 250 µA	252 nC a 10 V	±20 V	7700 pF a 19 V	-	300 W(Tc)
IRGS14C40LTRLP	-	Richiesta di offerta	1076	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB		Logica		125 W	TO-263AB	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1			-												-	430 V	20A		1,75 V a 5 V, 14 A	-	27 nC	900ns/6μs
IRG4PC30SPBF	-	Richiesta di offerta	9818	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		100 W	TO-247AC	scaricamento	Non applicabile	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1			480 V, 18 A, 23 Ohm, 15 V												-	600 V	34A	68A	1,6 V a 15 V, 18 A	260 µJ (acceso), 3,45 mJ (spento)	50 nC	22ns/540ns
IRG7PSH73K10PBF	-	Richiesta di offerta	1583	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-274AA		Standard		1,15 W	SUPER-247™ (TO-274AA)	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1			600 V, 75 A, 4,7 Ohm, 15 V												Trincea	1200 V	220A	225A	2,3 V a 15 V, 75 A	7,7 mJ (acceso), 4,6 mJ (spento)	360 nC	63ns/267ns
IRFZ44ESPBF	-	Richiesta di offerta	6663	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		60 V	48A(Tc)	10 V	23 mOhm a 29 A, 10 V	4 V a 250 µA	60 nC a 10 V	±20 V	1360 pF a 25 V	-	110 W (Tc)
IRF332	1.1900	Richiesta di offerta	9430	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-	Foro passante	TO-204AA, TO-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-204AA (TO-3)	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	49		CanaleN		400 V	4,5 A	-	-	-		-		-	75 W
AUIRF3808STRL	-	Richiesta di offerta	6744	Raddrizzatore internazionale	Automotive, AEC-Q101, HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		75 V	140A (Tc)		7 mOhm a 82 A, 10 V	4 V a 250 µA	220 nC a 10 V	±20 V	5310 pF a 25 V	-	330 W(Tc)
IRG4BC30SPBF	1.4000	Richiesta di offerta	6	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3		Standard		100 W	TO-220AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1			480 V, 18 A, 23 Ohm, 15 V												-	600 V	34A	68A	1,6 V a 15 V, 18 A	260 µJ (acceso), 3,45 mJ (spento)	75 nC	22ns/540ns
IRFB4019PBF	-	Richiesta di offerta	6584	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1		CanaleN		150 V	17A(Tc)	10 V	95 mOhm a 10 A, 10 V	4,9 V a 50 µA	20 nC a 10 V	±20 V	800 pF a 50 V	-	80 W (Tc)
AUIRL1404Z	1.7400	Richiesta di offerta	22	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		40 V	160A(Tc)	4,5 V, 10 V	3,1 mOhm a 75 A, 10 V	2,7 V a 250 µA	110 nC a 5 V	±16V	5080 pF a 25 V	-	200 W (Tc)
IRFU7540PBF	-	Richiesta di offerta	4150	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®, StrongIRFET™	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA			MOSFET (ossido di metallo)		IPAK (TO-251AA)	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1		CanaleN		60 V	90A (Tc)	6 V, 10 V	4,8 mOhm a 66 A, 10 V	3,7 V a 100 µA	130 nC a 10 V	±20 V	4360 pF a 25 V	-	140 W(Tc)
IRF6892STRPBF	0,7700	Richiesta di offerta	3	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	DirectFET™ S3C isometrico			MOSFET (ossido di metallo)		DIRECTFET™ S3C	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		25 V	28A (Ta), 125A (Tc)	4,5 V, 10 V	1,7 mOhm a 28 A, 10 V	2,1 V a 50 µA	25 nC a 4,5 V	±16V	2510 pF a 13 V	-	2,1 W (Ta), 42 W (Tc)
IRG8P08N120KDPBF	1.8600	Richiesta di offerta	39	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		89 W	TO-247AC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	0000.00.0000	1			600 V, 5 A, 47 Ohm, 15 V											50 n	-	1200 V	15A	15A	2 V a 15 V, 5 A	300μJ (acceso), 300μJ (spento)	45 nC	20ns/160ns
IRF2804LPBF	-	Richiesta di offerta	9475	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA	IRF2804		MOSFET (ossido di metallo)		TO-262	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1		CanaleN		40 V	75A (Tc)		2,3 mOhm a 75 A, 10 V	4 V a 250 µA	240 nC a 10 V		6450 pF a 25 V	-	300 W(Tc)
AUIRFN7107TR-IR	-	Richiesta di offerta	7590	Raddrizzatore internazionale	Automotive, AEC-Q101, HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale, fianco bagnabile	8-PowerVDFN			MOSFET (ossido di metallo)		PG-TDSON-8-10	-	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-AUIRFN7107TR-IR	EAR99	0000.00.0000	4.000		CanaleN		75 V	14A (Ta), 75A (Tc)		8,5 mOhm a 45 A, 10 V	4 V a 100 µA	77 nC a 10 V	±20 V	3001 pF a 25 V	-	4,4 W (Ta), 125 W (Tc)
AUIRL2203N	1.0000	Richiesta di offerta	3	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		30 V	75A (Tc)	4,5 V, 10 V	7 mOhm a 60 A, 10 V	1 V a 250 µA	60 nC a 4,5 V	±16V	3290 pF a 25 V	-	180 W(Tc)
IRGSL10B60KDPBF	1.5800	Richiesta di offerta	4	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA		Standard		156 W	TO-262	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1			400 V, 10 A, 47 Ohm, 15 V											90 ns	TNP	600 V	22A	44A	2,2 V a 15 V, 10 A	140μJ (acceso), 250μJ (spento)	38 nC	30ns/230ns
AUIRF1405	1.8600	Richiesta di offerta	1	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		55 V	75A (Tc)		5,3 mOhm a 101 A, 10 V	4 V a 250 µA	260 nC a 10 V	±20 V	5480 pF a 25 V	-	330 W(Tc)