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Transistor(1222)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Tipo FET	Condizione di prova	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tempo di recupero inverso (trr)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C
IRGP6660D-EPBF	3.7200	Richiesta di offerta	1	Raddrizzatore internazionale	-	Tubo	Obsoleto	-40°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		330 W	TO-247 d.C	scaricamento	Conformità ROHS3				EAR99	8541.29.0095	25		400 V, 48 A, 10 Ohm, 15 V											70 ns	-	600 V	95A	144A	1,95 V a 15 V, 48 A	600 µJ (acceso), 1,3 mJ (spento)	95 nC	60ns/155ns
IRFHM8330TRPBF	-	Richiesta di offerta	8838	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN			MOSFET (ossido di metallo)		8-PQFN (3,3x3,3)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	4.000	CanaleN		30 V	16A (Ta), 55A (Tc)		6,6 mOhm a 20 A, 10 V	2,35 V a 25 µA	20 nC a 10 V	±20 V	1450 pF a 25 V	-	2,7 W (Ta), 33 W (Tc)
IRF7473PBF	-	Richiesta di offerta	4124	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)			MOSFET (ossido di metallo)		8-SO	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		100 V	6,9A(Ta)	10 V	26 mOhm a 4,1 A, 10 V	5,5 V a 250 µA	61 nC a 10 V	±20 V	3180 pF a 25 V	-	2,5 W(Ta)
IRF8304MTRPBF	0,8400	Richiesta di offerta	1	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	MX isometrico DirectFET™			MOSFET (ossido di metallo)		MX isometrico DirectFET™	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	356	CanaleN		30 V	28A (Ta), 170A (Tc)	4,5 V, 10 V	2,2 mOhm a 28 A, 10 V	2,35 V a 100 µA	42 nC a 4,5 V	±20 V	4700 pF a 15 V	-	2,8 W (Ta), 100 W (Tc)
IRFF9211	-	Richiesta di offerta	7628	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-	Foro passante	TO-205AF Lattina di metallo			MOSFET (ossido di metallo)		TO-205AF (TO-39)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	0000.00.0000	145	CanaleN		150 V	1,6 A	-	-	-		-		-	15 W
AUIRFZ48ZS	-	Richiesta di offerta	4676	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN		55 V	61A(Tc)	10 V	11 mOhm a 37 A, 10 V	4 V a 250 µA	64 nC a 10 V	±20 V	1720 pF a 25 V	-	91 W (Tc)
IRFP044NPBF	-	Richiesta di offerta	9289	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-247AC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		55 V	53A(Tc)	10 V	20 mOhm a 29 A, 10 V	4 V a 250 µA	61 nC a 10 V	±20 V	1500 pF a 25 V	-	120 W (Tc)
IRFR6215TRRPBF-IR	-	Richiesta di offerta	9716	Raddrizzatore internazionale	Automotive, AEC-Q101, HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		TO-252AA	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	0000.00.0000	3.000	Canale P		150 V	13A (Tc)		295 mOhm a 6,6 A, 10 V	4 V a 250 µA	66 nC a 10 V	±20 V	860 pF a 25 V	-	110 W (Tc)
IRFF1210	1.0000	Richiesta di offerta	9966	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo									scaricamento						0000.00.0000	1
IRG7PH42UDPBF	8.7600	Richiesta di offerta	787	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		320 W	TO-247AC	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1		600 V, 30 A, 10 Ohm, 15 V											153 ns	Trincea	1200 V	85A	90A	2 V a 15 V, 30 A	2,11 mJ (acceso), 1,18 mJ (spento)	157 nC	25ns/229ns
AUIRFS4610TRL	-	Richiesta di offerta	8690	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN		100 V	73A(Tc)		14 mOhm a 44 A, 10 V	4 V a 100 µA	140 nC a 10 V		3550 pF a 50 V	-	190 W(Tc)
IRF6618TRPBF	-	Richiesta di offerta	1163	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	MT isometrica DirectFET™			MOSFET (ossido di metallo)		DIRECTFETTM MT	scaricamento		Venditore non definito	REACH Inalterato	2156-IRF6618TRPBF-600047			1	CanaleN		30 V	30A (Ta), 170A (Tc)	4,5 V, 10 V	2,2 mOhm a 30 A, 10 V	2,35 V a 250 µA	65 nC a 4,5 V	±20 V	5640 pF a 15 V	-	2,8 W (Ta), 89 W (Tc)
IRFR4615PBF	-	Richiesta di offerta	4318	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		D-Pak	scaricamento						0000.00.0000	1	CanaleN		150 V	33A(Tc)	10 V	42 mOhm a 21 A, 10 V	5 V a 100 µA	26 nC a 10 V	±20 V	1750 pF a 50 V	-	144 W(Tc)
IRF7495PBF	-	Richiesta di offerta	3316	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)			MOSFET (ossido di metallo)		8-SO	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		100 V	7,3A(Ta)	10 V	22 mOhm a 4,4 A, 10 V	4 V a 250 µA	51 nC a 10 V	±20 V	1530 pF a 25 V	-	2,5 W(Ta)
IRF2807ZSPBF	1.0000	Richiesta di offerta	1190	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		PG-TO263-3-2	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		75 V	75A (Tc)		9,4 mOhm a 53 A, 10 V	4 V a 250 µA	110 nC a 10 V	±20 V	3270 pF a 25 V	-	170 W(Tc)
IRF8308MTRPBF	1.1400	Richiesta di offerta	10	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	MX isometrico DirectFET™			MOSFET (ossido di metallo)		DIRECTFET™MX	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	2.012	CanaleN		30 V	27A (Ta), 150A (Tc)	4,5 V, 10 V	2,5 mOhm a 27 A, 10 V	2,35 V a 100 µA	42 nC a 4,5 V	±20 V	4404 pF a 15 V	-	2,8 W (Ta), 89 W (Tc)
IRF6620TRPBF	0,6800	Richiesta di offerta	1	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	MX isometrico DirectFET™			MOSFET (ossido di metallo)		DIRECTFET™MX	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	439	CanaleN		20 V	27A (Ta), 150A (Tc)	4,5 V, 10 V	2,7 mOhm a 27 A, 10 V	2,45 V a 250 µA	42 nC a 4,5 V	±20 V	4130 pF a 10 V	-	2,8 W (Ta), 89 W (Tc)
AUIRFR4105ZTRL	-	Richiesta di offerta	5466	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	AUIRFR4105		MOSFET (ossido di metallo)		D-Pak	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN		55 V	20A (Tc)	10 V	24,5 mOhm a 18 A, 10 V	4 V a 250 µA	27 nC a 10 V	±20 V	740 pF a 25 V	-	48 W(Tc)
IRFIB41N15DPBF	-	Richiesta di offerta	5703	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB Pacchetto completo	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		150 V	41A(Tc)	10 V	45 mOhm a 25 A, 10 V	5,5 V a 250 µA	110 nC a 10 V	±20 V	2520 pF a 25 V	-	48 W(Tc)
IRF4104SPBF	1.0000	Richiesta di offerta	2451	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento						0000.00.0000	1	CanaleN		40 V	75A (Tc)	10 V	5,5 mOhm a 75 A, 10 V	4 V a 250 µA	100 nC a 10 V	±20 V	3000 pF a 25 V	-	140 W(Tc)
IRLMS1503TRPBF	-	Richiesta di offerta	9212	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-23-6			MOSFET (ossido di metallo)		Micro6™(TSOP-6)	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1	CanaleN		30 V	3,2A(Ta)	4,5 V, 10 V	100 mOhm a 2,2 A, 10 V	1 V a 250 µA	9,6 nC a 10 V	±20 V	210 pF a 25 V	-	1,7 W (Ta)
IRLU3802PBF	0,4800	Richiesta di offerta	6	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA			MOSFET (ossido di metallo)		I-PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		12 V	84A(Tc)	2,8 V, 4,5 V	8,5 mOhm a 15 A, 4,5 V	1,9 V a 250 µA	41 nC a 5 V	±12V	2490 pF a 6 V	-	88 W (Tc)
AUIRFS3107TRL	1.0000	Richiesta di offerta	7943	Raddrizzatore internazionale	Automotive, AEC-Q101, HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN		75 V	195A(Tc)	10 V	3 mOhm a 140 A, 10 V	4 V a 250 µA	240 nC a 10 V	±20 V	9370 pF a 50 V	-	370 W(Tc)
2N6763	2.5900	Richiesta di offerta	7858	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-204AA, TO-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-3	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	24	CanaleN		60 V	31A(Tc)	10 V	80 mOhm a 20 A, 10 V	4 V a 1 mA		±20 V	3000 pF a 25 V	-	150 W
IRGR4045DTRPBF	0,9200	Richiesta di offerta	6	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63		Standard		77 W	D-Pak	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	2.000		400 V, 6 A, 47 Ohm, 15 V											74 ns	Trincea	600 V	12A	12A	2 V a 15 V, 6 A	56μJ (acceso), 122μJ (spento)	19,5 nC	27ns/75ns
IRFHS8342TR2PBF	1.0000	Richiesta di offerta	6854	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Obsoleto		Montaggio superficiale	6-PowerVDFN			MOSFET (ossido di metallo)		PG-TSDSON-6	scaricamento	Conformità ROHS3				EAR99	8541.29.0095	400	CanaleN		30 V	8,8 A (Ta), 19 A (Tc)		16 mOhm a 8,5 A, 10 V	2,35 V a 25 µA	8,7 nC a 10 V		600 pF a 25 V	-
AUIRF2907Z	1.0000	Richiesta di offerta	6182	Raddrizzatore internazionale	Automotive, AEC-Q101, HEXFET®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento	Conformità ROHS3				EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN		75 V	75A (Tc)		4,5 mOhm a 75 A, 10 V	4 V a 250 µA	270 nC a 10 V	±20 V	7500 pF a 25 V	-	300 W(Tc)
IRGP4263D-EPBF	4.8200	Richiesta di offerta	6	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		325 W	TO-247 d.C	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		400 V, 48 A, 10 Ohm, 15 V											170 n	-	650 V	90A	192A	2,1 V a 15 V, 48 A	2,9 mJ (acceso), 1,4 mJ (spento)	145 nC	70ns/140ns
IRF3710ZLPBF	-	Richiesta di offerta	5873	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA			MOSFET (ossido di metallo)		TO-262	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		100 V	59A(Tc)	10 V	18 mOhm a 35 A, 10 V	4 V a 250 µA	120 nC a 10 V	±20 V	2900 pF a 25 V	-	160 W(Tc)
AUIRF1324STRL	2.5200	Richiesta di offerta	15	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN		24 V	195A(Tc)	10 V	1,65 mOhm a 195 A, 10 V	4 V a 250 µA	240 nC a 10 V	±20 V	7590 pF a 24 V	-	300 W(Tc)