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Transistor(1222)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Tipo FET	Condizione di prova	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tempo di recupero inverso (trr)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C
IRFSL3207ZPBF	1.0000	Richiesta di offerta	6714	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA			MOSFET (ossido di metallo)		TO-262	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN		75 V	120A (Tc)	10 V	4,1 mOhm a 75 A, 10 V	4 V a 150 µA	170 nC a 10 V	±20 V	6920 pF a 50 V	-	300 W(Tc)
AUIRFS3206TRL-IR	-	Richiesta di offerta	5162	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	-	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-AUIRFS3206TRL-IR	EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		60 V	120A (Tc)	10 V	3 mOhm a 75 A, 10 V	4 V a 150 µA	170 nC a 10 V	±20 V	6540 pF a 50 V	-	300 W(Tc)
AUIRFR540ZTRL	-	Richiesta di offerta	1620	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		DPAK	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN		100 V	35A (Tc)	10 V	28,5 mOhm a 21 A, 10 V	4 V a 50 µA	59 nC a 10 V	±20 V	1690 pF a 25 V	-	91 W (Tc)
IRF640NSPBF	-	Richiesta di offerta	8104	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN		200 V	18A (Tc)		150 mOhm a 11 A, 10 V	4 V a 250 µA	67 nC a 10 V	±20 V	1160 pF a 25 V	-	150 W(Tc)
IRG4PC30WPBF	-	Richiesta di offerta	5171	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		100 W	TO-247AC	-					EAR99	8542.39.0001	1		480 V, 12 A, 23 Ohm, 15 V												-	600 V	23A	92A	2,7 V a 15 V, 12 A	130μJ (acceso), 130μJ (spento)	51 nC	25ns/99ns
IRGP4750D-EPBF	3.3700	Richiesta di offerta	9	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		273 W	TO-247 d.C	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		400 V, 35 A, 10 Ohm, 15 V											150 n	-	650 V	70A	105A	2 V a 15 V, 35 A	1,3 mJ (acceso), 500 µJ (spento)	105 nC	50ns/105ns
IRFB7446GPBF	0,7900	Richiesta di offerta	1	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®, StrongIRFET™	Massa	Attivo	-	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		40 V	120A (Tc)	6 V, 10 V	3,3 mOhm a 70 A, 10 V	3,9 V a 100 µA	93 nC a 10 V	±20 V	3183 pF a 25 V	-	99 W (Tc)
AUIRFZ46NL	-	Richiesta di offerta	1289	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA			MOSFET (ossido di metallo)		TO-262	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		55 V	39A(Tc)	10 V	16,5 mOhm a 28 A, 10 V	4 V a 250 µA	72 nC a 10 V	±20 V	1696 pF a 25 V	-	3,8 W (Ta), 107 W (Tc)
IRF2807ZSPBF	1.0000	Richiesta di offerta	1190	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		PG-TO263-3-2	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		75 V	75A (Tc)		9,4 mOhm a 53 A, 10 V	4 V a 250 µA	110 nC a 10 V	±20 V	3270 pF a 25 V	-	170 W(Tc)
IRF6620TRPBF	0,6800	Richiesta di offerta	1	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	DirectFET™ MX isometrico			MOSFET (ossido di metallo)		DIRECTFET™MX	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	439	CanaleN		20 V	27A (Ta), 150A (Tc)	4,5 V, 10 V	2,7 mOhm a 27 A, 10 V	2,45 V a 250 µA	42 nC a 4,5 V	±20 V	4130 pF a 10 V	-	2,8 W (Ta), 89 W (Tc)
IRF8308MTRPBF	1.1400	Richiesta di offerta	10	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	DirectFET™ MX isometrico			MOSFET (ossido di metallo)		DIRECTFET™MX	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	2.012	CanaleN		30 V	27A (Ta), 150A (Tc)	4,5 V, 10 V	2,5 mOhm a 27 A, 10 V	2,35 V a 100 µA	42 nC a 4,5 V	±20 V	4404 pF a 15 V	-	2,8 W (Ta), 89 W (Tc)
IRG7PH42UDPBF	8.7600	Richiesta di offerta	787	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		320 W	TO-247AC	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1		600 V, 30 A, 10 Ohm, 15 V											153 ns	Trincea	1200 V	85A	90A	2 V a 15 V, 30 A	2,11 mJ (acceso), 1,18 mJ (spento)	157 nC	25ns/229ns
IRF6618TRPBF	-	Richiesta di offerta	1163	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	MT isometrica DirectFET™			MOSFET (ossido di metallo)		DIRECTFETTM MT	scaricamento		Venditore non definito	REACH Inalterato	2156-IRF6618TRPBF-600047			1	CanaleN		30 V	30A (Ta), 170A (Tc)	4,5 V, 10 V	2,2 mOhm a 30 A, 10 V	2,35 V a 250 µA	65 nC a 4,5 V	±20 V	5640 pF a 15 V	-	2,8 W (Ta), 89 W (Tc)
IRFF1210	1.0000	Richiesta di offerta	9966	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo									scaricamento						0000.00.0000	1
IRFR4615PBF	-	Richiesta di offerta	4318	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		D-Pak	scaricamento						0000.00.0000	1	CanaleN		150 V	33A(Tc)	10 V	42 mOhm a 21 A, 10 V	5 V a 100 µA	26 nC a 10 V	±20 V	1750 pF a 50 V	-	144 W(Tc)
AUIRFS4610TRL	-	Richiesta di offerta	8690	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN		100 V	73A(Tc)		14 mOhm a 44 A, 10 V	4 V a 100 µA	140 nC a 10 V		3550 pF a 50 V	-	190 W(Tc)
IRF7495PBF	-	Richiesta di offerta	3316	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)			MOSFET (ossido di metallo)		8-SO	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		100 V	7,3A(Ta)	10 V	22 mOhm a 4,4 A, 10 V	4 V a 250 µA	51 nC a 10 V	±20 V	1530 pF a 25 V	-	2,5 W(Ta)
IRFU7540PBF	-	Richiesta di offerta	4150	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®, StrongIRFET™	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA			MOSFET (ossido di metallo)		IPAK (TO-251AA)	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1	CanaleN		60 V	90A (Tc)	6 V, 10 V	4,8 mOhm a 66 A, 10 V	3,7 V a 100 µA	130 nC a 10 V	±20 V	4360 pF a 25 V	-	140 W(Tc)
AUIRL1404Z	1.7400	Richiesta di offerta	22	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN		40 V	160A(Tc)	4,5 V, 10 V	3,1 mOhm a 75 A, 10 V	2,7 V a 250 µA	110 nC a 5 V	±16V	5080 pF a 25 V	-	200 W (Tc)
IRG8P08N120KDPBF	1.8600	Richiesta di offerta	39	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		89 W	TO-247AC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	0000.00.0000	1		600 V, 5 A, 47 Ohm, 15 V											50 n	-	1200 V	15A	15A	2 V a 15 V, 5 A	300μJ (acceso), 300μJ (spento)	45 nC	20ns/160ns
IRG4BC30SPBF	1.4000	Richiesta di offerta	6	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3		Standard		100 W	TO-220AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		480 V, 18 A, 23 Ohm, 15 V												-	600 V	34A	68A	1,6 V a 15 V, 18 A	260 µJ (acceso), 3,45 mJ (spento)	75 nC	22ns/540ns
IRF2804LPBF	-	Richiesta di offerta	9475	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA	IRF2804		MOSFET (ossido di metallo)		TO-262	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1	CanaleN		40 V	75A (Tc)		2,3 mOhm a 75 A, 10 V	4 V a 250 µA	240 nC a 10 V		6450 pF a 25 V	-	300 W(Tc)
AUIRF2804S-7P	-	Richiesta di offerta	2449	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-7, D²Pak (6 derivazioni + linguatta), TO-263CB	AUIRRF2804		MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK (7 conduttori)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN		40 V	240A(Tc)	10 V	1,6 mOhm a 160 A, 10 V	4 V a 250 µA	260 nC a 10 V	±20 V	6930 pF a 25 V	-	330 W(Tc)
IRF6892STRPBF	0,7700	Richiesta di offerta	3	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	DirectFET™ S3C isometrico			MOSFET (ossido di metallo)		DIRECTFET™ S3C	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		25 V	28A (Ta), 125A (Tc)	4,5 V, 10 V	1,7 mOhm a 28 A, 10 V	2,1 V a 50 µA	25 nC a 4,5 V	±16V	2510 pF a 13 V	-	2,1 W (Ta), 42 W (Tc)
IRFZ44ESPBF	-	Richiesta di offerta	6663	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		60 V	48A(Tc)	10 V	23 mOhm a 29 A, 10 V	4 V a 250 µA	60 nC a 10 V	±20 V	1360 pF a 25 V	-	110 W (Tc)
IRGS14C40LTRLP	-	Richiesta di offerta	1076	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB		Logica		125 W	TO-263AB	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1		-												-	430 V	20A		1,75 V a 5 V, 14 A	-	27 nC	900ns/6μs
IRFHS8242TRPBF	0,1800	Richiesta di offerta	177	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-PowerVDFN			MOSFET (ossido di metallo)		6-PQFN (2x2)	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1.689	CanaleN		25 V	9,9 A (Ta), 21 A (Tc)	4,5 V, 10 V	13 mOhm a 8,5 A, 10 V	2,35 V a 25 µA	10,4 nC a 10 V	±20 V	653 pF a 10 V	-	2,1 W (Ta)
IRF143	1.5300	Richiesta di offerta	203	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-204AA, TO-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-3	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	0000.00.0000	203	CanaleN		60 V	24A (Tc)		110 mOhm a 15 A, 10 V	4 V a 250 µA	60 nC a 10 V	±20 V	1600 pF a 25 V	-	125 W (Tc)
IRF1405ZSTRLPBF	1.2000	Richiesta di offerta	410	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		55 V	75A (Tc)	10 V	4,9 mOhm a 75 A, 10 V	4 V a 250 µA	180 nC a 10 V	±20 V	4780 pF a 25 V	-	230 W(Tc)
AUIRF1405ZS-7TRL	1.0000	Richiesta di offerta	5434	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-7, D²Pak (6 derivazioni + linguatta), TO-263CB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK (7 conduttori)	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN		55 V	120A (Tc)	10 V	4,9 mOhm a 88 A, 10 V	4 V a 150 µA	230 nC a 10 V	±20 V	5360 pF a 25 V	-	230 W(Tc)