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Transistor(1222)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Condizione di prova	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tempo di recupero inverso (trr)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C
IRLI540NPBF	1.0000	Richiesta di offerta	3385	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB Pacchetto completo	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1		CanaleN		100 V	23A(Tc)	4 V, 10 V	44 mOhm a 12 A, 10 V	2 V a 250 µA	74 nC a 5 V	±16V	1800 pF a 25 V	-	54 W (Tc)
IRFR120ZPBF	-	Richiesta di offerta	9316	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		TO-252AA	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		100 V	8,7 A(Tc)		190 mOhm a 5,2 A, 10 V	4 V a 250 µA	10 nC a 10 V	±20 V	310 pF a 25 V	-	35 W (Tc)
IRGP4650D-EPBF	-	Richiesta di offerta	8420	Raddrizzatore internazionale	*	Massa	Attivo									scaricamento		Venditore non definito	REACH Inalterato	2156-IRGP4650D-EPBF-600047			1
IRF7205TRPBF	0,3000	Richiesta di offerta	32	Raddrizzatore internazionale	*	Massa	Attivo									scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1.013
AUIRF7640S2TR	1.0000	Richiesta di offerta	2236	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	DirectFET™ SB isometrico			MOSFET (ossido di metallo)		DIRECTFET SB	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		60 V	5,8 A (Ta), 21 A (Tc)	10 V	36 mOhm a 13 A, 10 V	5 V a 25 µA	11 nC a 10 V	±20 V	450 pF a 25 V	-	2,4 W (Ta), 30 W (Tc)
IRF3315SPBF	-	Richiesta di offerta	1127	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		150 V	21A(Tc)	10 V	82 mOhm a 12 A, 10 V	4 V a 250 µA	95 nC a 10 V	±20 V	1300 pF a 25 V	-	3,8 W (Ta), 94 W (Tc)
IRG4PH50S-EPBF	-	Richiesta di offerta	5439	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		200 W	TO-247 d.C	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1			960 V, 33 A, 5 Ohm, 15 V												-	1200 V	57A	114A	1,7 V a 15 V, 33 A	1,8 mJ (acceso), 19,6 mJ (spento)	167 nC	32ns/845ns
AUIRFU540Z	-	Richiesta di offerta	9290	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA			MOSFET (ossido di metallo)		I-PAK	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	96		CanaleN		100 V	35A (Tc)	10 V	28,5 mOhm a 21 A, 10 V	4 V a 50 µA	59 nC a 10 V	±20 V	1690 pF a 25 V	-	91 W (Tc)
IRFAF20	3.5700	Richiesta di offerta	620	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-	Foro passante	TO-204AA, TO-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-204AA (TO-3)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8542.39.0001	85		CanaleN		900 V	1,6 A	-	-	-		-		-	50 W
AUIRLR3105	1.0000	Richiesta di offerta	6933	Raddrizzatore internazionale	Automotive, AEC-Q101, HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		TO-252AA	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		55 V	25A (Tc)		37 mOhm a 15 A, 10 V	3 V a 250 µA	20 nC a 5 V	±16V	710 pF a 25 V	-	57 W(Tc)
AUIRFSL4010-313TRL	1.0000	Richiesta di offerta	9944	Raddrizzatore internazionale	Automotive, AEC-Q101, HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA			MOSFET (ossido di metallo)		TO-262-3	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		100 V	180A(Tc)	10 V	4,7 mOhm a 106 A, 10 V	4 V a 250 µA	215 nC a 10 V	±8 V	9575 pF a 50 V	-	375 W(Tc)
IRFS7434PBF	-	Richiesta di offerta	3548	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®, StrongIRFET™	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3				EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN		40 V	195A(Tc)	6 V, 10 V	1,6 mOhm a 100 A, 10 V	3,9 V a 250 µA	324 nC a 10 V	±20 V	10820 pF a 25 V	-	294 W(Tc)
IRG4BC40W-SPBF	-	Richiesta di offerta	6338	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB		Standard		160 W	D2PAK	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1			480 V, 20 A, 10 Ohm, 15 V												-	600 V	40A	160A	2,5 V a 15 V, 20 A	110μJ (acceso), 230μJ (spento)	98 nC	27ns/100ns
IRG7PK35UD1-EPBF	2.9400	Richiesta di offerta	944	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		167 W	TO-247 d.C	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	0000.00.0000	1			600 V, 20 A, 10 Ohm, 15 V												-	1400 V	40A	200A	2,35 V a 15 V, 20 A	650μJ (spento)	98 nC	-/150ns
IRG4PH50UPBF	-	Richiesta di offerta	9259	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		200 W	TO-247AC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1			960 V, 24 A, 5 Ohm, 15 V												-	1200 V	45A	180A	3,7 V a 15 V, 24 A	530 µJ (acceso), 1,41 mJ (spento)	160 nC	35ns/200ns
IRF7101PBF	-	Richiesta di offerta	9113	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	IRF71		MOSFET (ossido di metallo)	2 W	8-SO	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1	2 canali N (doppio)			20 V	3,5 A		100 mOhm a 1,8 A, 10 V	3 V a 250 µA	15nC a 10V		320 pF a 15 V	Porta a livello logico
IRLR6225PBF	-	Richiesta di offerta	8922	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		TO-252AA	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		20 V	100A (Tc)		4 mOhm a 21 A, 4,5 V	1,1 V a 50 µA	72 nC a 4,5 V	±12V	3770 pF a 10 V	-	63 W (Tc)
IRF7465PBF	-	Richiesta di offerta	1353	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)			MOSFET (ossido di metallo)		8-SO	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		150 V	1,9A(Ta)	10 V	280 mOhm a 1,14 A, 10 V	5,5 V a 250 µA	15 nC a 10 V	±30 V	330 pF a 25 V	-	2,5 W(Ta)
IRFSL3206PBF	-	Richiesta di offerta	1386	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA			MOSFET (ossido di metallo)		TO-262	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1		CanaleN		60 V	120A (Tc)	10 V	3 mOhm a 75 A, 10 V	4 V a 150 µA	170 nC a 10 V	±20 V	6540 pF a 50 V	-	300 W(Tc)
IRF6724MTRPBF	1.0000	Richiesta di offerta	3114	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	DirectFET™ MX isometrico			MOSFET (ossido di metallo)		DIRECTFET™MX	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1		CanaleN		30 V	27A (Ta), 150A (Tc)	4,5 V, 10 V	2,5 mOhm a 27 A, 10 V	2,35 V a 100 µA	54 nC a 4,5 V	±20 V	4404 pF a 15 V	-	2,8 W (Ta), 89 W (Tc)
IRG4BC20KDPBF-IR	-	Richiesta di offerta	3640	Raddrizzatore internazionale	*	Massa	Attivo									-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1
IRF430	1.4000	Richiesta di offerta	7	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-204AA, TO-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-204AA (TO-3)	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1		CanaleN		500 V	4,5 A(Tc)	10 V	1,8 Ohm a 4,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	40 nC a 10 V	±20 V	610 pF a 25 V	-	75 W (Tc)
IRFBA1405PPBF	-	Richiesta di offerta	3070	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-273AA			MOSFET (ossido di metallo)		SUPER-220™ (TO-273AA)	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1		CanaleN		55 V	174A(Tc)	10 V	5 mOhm a 101 A, 10 V	4 V a 250 µA	260 nC a 10 V	±20 V	5480 pF a 25 V	-	330 W(Tc)
AUIRL1404ZL	1.5200	Richiesta di offerta	1	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA			MOSFET (ossido di metallo)		TO-262	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		40 V	160A(Tc)	4,5 V, 10 V	3,1 mOhm a 75 A, 10 V	2,7 V a 250 µA	110 nC a 5 V	±16V	5080 pF a 25 V	-	200 W (Tc)
AUIRFR1018E-IR	-	Richiesta di offerta	1703	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		D-Pak	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		60 V	56A(Tc)	10 V	8,4 mOhm a 47 A, 10 V	4 V a 100 µA	69 nC a 10 V	±20 V	2290 pF a 50 V	-	110 W (Tc)
IRG8P15N120KD-EPBF	3.3700	Richiesta di offerta	8	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		125 W	TO-247 d.C	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	90			600 V, 10 A, 10 Ohm, 15 V											60 ns	-	1200 V	30A	30A	2 V a 15 V, 10 A	600μJ (acceso), 600μJ (spento)	98 nC	15ns/170ns
IRF9383MTRPBF	1.4100	Richiesta di offerta	12	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	DirectFET™ MX isometrico			MOSFET (ossido di metallo)		DIRECTFET™MX	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	214		Canale P		30 V	22A (Ta), 160A (Tc)	4,5 V, 10 V	2,9 mOhm a 22 A, 10 V	2,4 V a 150 µA	130 nC a 10 V	±20 V	7305 pF a 15 V	-	2,1 W (Ta), 113 W (Tc)
IRGS4B60KD1TRLP	0,8000	Richiesta di offerta	1168	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	IRGS4B60	Standard		63 W	D2PAK	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8542.39.0001	266			400 V, 4 A, 100 Ohm, 15 V											93 ns	TNP	600 V	11A	22A	2,5 V a 15 V, 4 A	73μJ (acceso), 47μJ (spento)	12 nC	22ns/100ns
IRGS4B60KD1TRRP	1.1800	Richiesta di offerta	259	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	IRGS4B60	Standard		63 W	D2PAK	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8542.39.0001	259			400 V, 4 A, 100 Ohm, 15 V											93 ns	TNP	600 V	11A	22A	2,5 V a 15 V, 4 A	73μJ (acceso), 47μJ (spento)	12 nC	22ns/100ns
IRF6810STRPBF	0,7300	Richiesta di offerta	4	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	DirectFET™ isometrico S1			MOSFET (ossido di metallo)		DIRECTFET S1	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		25 V	16A (Ta), 50A (Tc)	4,5 V, 10 V	5,2 mOhm a 16 A, 10 V	2,1 V a 25 µA	11 nC a 4,5 V	±16V	1038 pF a 13 V	-	2,1 W (Ta), 20 W (Tc)