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Transistor(1222)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Condizione di prova	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tempo di recupero inverso (trr)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C
IRFS4010TRRPBF	-	Richiesta di offerta	7522	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		100 V	180A(Tc)	10 V	4,7 mOhm a 106 A, 10 V	4 V a 250 µA	215 nC a 10 V	±20 V	9575 pF a 50 V	-	375 W(Tc)
IRG7PSH50UDPBF	7.7100	Richiesta di offerta	157	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		462 W	SUPER-247™ (TO-274AA)	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1			600 V, 50 A, 5 Ohm, 15 V											190 n	Trincea	1200 V	116A	150A	2 V a 15 V, 50 A	3,6 mJ (acceso), 2,2 mJ (spento)	440 nC	35ns/430ns
AUIRLR2905Z	-	Richiesta di offerta	4445	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		D-Pak	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		55 V	42A(Tc)	4,5 V, 10 V	13,5 mOhm a 36 A, 10 V	3 V a 250 µA	35 nC a 5 V	±16V	1570 pF a 25 V	-	110 W (Tc)
AUIRFSL3206	1.8800	Richiesta di offerta	250	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA			MOSFET (ossido di metallo)		TO-262	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		60 V	120A (Tc)		3 mOhm a 75 A, 10 V	4 V a 150 µA	170 nC a 10 V		6540 pF a 50 V	-	300 W(Tc)
IRF341	1.5600	Richiesta di offerta	2	Raddrizzatore internazionale	*	Massa	Attivo									scaricamento		Venditore non definito	RAGGIUNGERE Interessato	2156-IRF341-600047			1
IRL6297SDTRPBF	0,6000	Richiesta di offerta	84	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	DirectFET™ isometrico SA	IRL6297		MOSFET (ossido di metallo)	1,7 W	DIRECTFET™ SA	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1	2 canali N (doppio)			20 V	15A		4,9 mOhm a 15 A, 4,5 V	1,1 V a 35 µA	54nC a 10 V		2245 pF a 10 V	Porta a livello logico
AUIRFR4292TRL	-	Richiesta di offerta	9177	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		DPAK	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		250 V	9,3 A(Tc)	10 V	345 mOhm a 5,6 A, 10 V	5 V a 50 µA	20 nC a 10 V	±20 V	705 pF a 25 V	-	100 W (Tc)
IRG4PC50KDPBF	-	Richiesta di offerta	2019	Raddrizzatore internazionale	*	Massa	Attivo									scaricamento		Venditore non definito	REACH Inalterato	2156-IRG4PC50KDPBF-600047	EAR99	8541.29.0095	1
2N6787	3.3100	Richiesta di offerta	842	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-	Foro passante	TO-205AF Lattina di metallo			MOSFET (ossido di metallo)		TO-205AF (TO-39)	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		80 V	6A (Tc)	-	-	-		-		-	20 W
IRGP50B60PDPBF	-	Richiesta di offerta	8520	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		370 W	TO-247AC	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1			390 V, 33 A, 3,3 Ohm, 15 V											50 n	TNP	600 V	75A	150A	2,6 V a 15 V, 50 A	360μJ (acceso), 380μJ (spento)	360 nC	34ns/130ns
IRFR7740TRPBF	1.0000	Richiesta di offerta	7184	Raddrizzatore internazionale	*	Massa	Attivo									scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1
IRFU5410PBF	0,5100	Richiesta di offerta	282	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA			MOSFET (ossido di metallo)		IPAK (TO-251AA)	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	585		Canale P		100 V	13A(Tc)	10 V	205 mOhm a 7,8 A, 10 V	4 V a 250 µA	58 nC a 10 V	±20 V	760 pF a 25 V	-	66 W (Tc)
AUIRFS30067P	-	Richiesta di offerta	4578	Raddrizzatore internazionale	Automotive, AEC-Q101, HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	-	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		60 V	240A(Tc)		2,1 mOhm a 168 A, 10 V	4 V a 250 µA	300 nC a 10 V	±20 V	8850 pF a 50 V	-	375 W(Tc)
IRLU3705ZPBF	0,9000	Richiesta di offerta	1	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA			MOSFET (ossido di metallo)		IPAK (TO-251AA)	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1		CanaleN		55 V	42A(Tc)	4,5 V, 10 V	8 mOhm a 42 A, 10 V	3 V a 250 µA	66 nC a 5 V	±16V	2900 pF a 25 V	-	130 W(Tc)
IRFB4620PBF	1.0000	Richiesta di offerta	2310	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1		CanaleN		200 V	25A (Tc)	10 V	72,5 mOhm a 15 A, 10 V	5 V a 100 µA	38 nC a 10 V	±20 V	1710 pF a 50 V	-	144 W(Tc)
AUIRLR3705ZTRL	-	Richiesta di offerta	1184	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		D-Pak	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	98		CanaleN		55 V	42A(Tc)		8 mOhm a 42 A, 10 V	3 V a 250 µA	66 nC a 5 V		2900 pF a 25 V	-	130 W(Tc)
AUIRLR3110ZTRL	-	Richiesta di offerta	3497	Raddrizzatore internazionale	Automotive, AEC-Q101, HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		D-Pak	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		100 V	42A(Tc)		14 mOhm a 38 A, 10 V	2,5 V a 100 µA	48 nC a 4,5 V	±16V	3980 pF a 25 V	-	140 W(Tc)
IRL60HS118	-	Richiesta di offerta	3321	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	Tampone esposto 6-VDFN			MOSFET (ossido di metallo)		6-PQFN (2x2)	scaricamento						0000.00.0000	1		CanaleN		60 V	18,5 A(Tc)	4,5 V, 10 V	17 mOhm a 11 A, 10 V	2,3 V a 10 µA	8 nC a 4,5 V	±20 V	660 pF a 25 V	-	11,5 W(Tc)
IRGS30B60KTRRP	1.0000	Richiesta di offerta	7851	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	IRGS30B60	Standard		370 W	D2PAK	-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito				1			400 V, 30 A, 10 Ohm, 15 V												TNP	600 V	78A	120A	2,35 V a 15 V, 30 A	350μJ (acceso), 825μJ (spento)	102 nC	46ns/185ns
IRFB4410ZGPBF	1.0600	Richiesta di offerta	300	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	300		CanaleN		100 V	97A(Tc)	10 V	9 mOhm a 58 A, 10 V	4 V a 150 µA	120 nC a 10 V	±20 V	4820 pF a 50 V	-	230 W(Tc)
IRGP6630DPBF	-	Richiesta di offerta	4635	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		192 W	TO-247AC	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1			400 V, 18 A, 22 Ohm, 15 V											70 ns	-	600 V	47A	54A	1,95 V a 15 V, 18 A	75μJ (acceso), 350μJ (spento)	30 nC	40ns/95ns
IRFR3411TRPBF	-	Richiesta di offerta	4330	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		D-Pak	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	60		CanaleN		100 V	32A(Tc)	10 V	44 mOhm a 16 A, 10 V	4 V a 250 µA	71 nC a 10 V	±20 V	1960 pF a 25 V	-	130 W(Tc)
IRGR3B60KD2TRP	-	Richiesta di offerta	5663	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	IRGR3B60	Standard		52 W	D-Pak	-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0095	1			400 V, 3 A, 100 Ohm, 15 V											77 ns	TNP	600 V	7,8 A	15,6 A	2,4 V a 15 V, 3 A	62μJ (acceso), 39μJ (spento)	13 nC	18ns/110ns
IRGR4610DTRPBF	-	Richiesta di offerta	2274	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	176-LQFP		Standard		77 W	176-LQFP (24x24)	scaricamento	Conformità ROHS3				EAR99	8541.29.0095	33			400 V, 6 A, 47 Ohm, 15 V											74 nn	-	600 V	16A	18A	2 V a 15 V, 6 A	56μJ (acceso), 122μJ (spento)	13 nC	27ns/75ns
IRF6641TRPBF	2.0100	Richiesta di offerta	22	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	DirectFET™ isometrico MZ	IRF6641		MOSFET (ossido di metallo)		DIRECTFET™MZ	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1		CanaleN		200 V	4,6 A (Ta), 26 A (Tc)	10 V	59,9 mOhm a 5,5 A, 10 V	4,9 V a 150 µA	48 nC a 10 V	±20 V	2290 pF a 25 V	-	2,8 W (Ta), 89 W (Tc)
IRL6283MTRPBF	1.0000	Richiesta di offerta	4	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®, StrongIRFET™	Massa	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	MD isometrico DirectFET™			MOSFET (ossido di metallo)		DIRECTFET™MD	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		20 V	38A (Ta), 211A (Tc)	2,5 V, 4,5 V	0,75 mOhm a 50 A, 10 V	1,1 V a 100 µA	158 nC a 4,5 V	±12V	8292 pF a 10 V	-	2,1 W (Ta), 63 W (Tc)
AUIRFR3710Z	-	Richiesta di offerta	7548	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		D-Pak	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		100 V	42A(Tc)	10 V	18 mOhm a 33 A, 10 V	4 V a 250 µA	100 nC a 10 V	±20 V	2930 pF a 25 V	-	140 W(Tc)
IRLIZ44NPBF-IR	-	Richiesta di offerta	3871	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB Pacchetto completo	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		55 V	30A (Tc)	4 V, 10 V	22 mOhm a 17 A, 10 V	2 V a 250 µA	48 nC a 5 V	±16V	1700 pF a 25 V	-	45 W (Tc)
IRF7314PBF	-	Richiesta di offerta	9305	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	IRF731		MOSFET (ossido di metallo)	2 W	8-SO	scaricamento	Conformità ROHS3				EAR99	8541.29.0095	3.800	2 canali P (doppio)			20 V	5.3A		58 mOhm a 2,9 A, 4,5 V	700mV a 250μA	29nC a 4,5 V		780 pF a 15 V	Porta a livello logico
IRF7420PBF	1.0000	Richiesta di offerta	7766	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)			MOSFET (ossido di metallo)		8-SO	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1		Canale P		12 V	11,5 A(Tc)	1,8 V, 4,5 V	14 mOhm a 11,5 A, 4,5 V	900 mV a 250 µA	38 nC a 4,5 V	±8 V	3529 pF a 10 V	-	2,5 W(Ta)