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Transistor(1222)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Tipo FET	Condizione di prova	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tempo di recupero inverso (trr)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C
AUIRLR3636TRL	-	Richiesta di offerta	9614	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	AUIRLR3636		MOSFET (ossido di metallo)		D-Pak	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		60 V	50A (Tc)		6,8 mOhm a 50 A, 10 V	2,5 V a 100 µA	49 nC a 4,5 V		3779 pF a 50 V	-	143 W(Tc)
IRG8P45N65UD1-EPBF	4.8600	Richiesta di offerta	3	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Obsoleto									-					EAR99	8542.39.0001	1
AUIRLR2905	-	Richiesta di offerta	6015	Raddrizzatore internazionale	Automotive, AEC-Q101, HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		D-Pak	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN		55 V	42A(Tc)		27 mOhm a 25 A, 10 V	2 V a 250 µA	48 nC a 5 V	±16V	1700 pF a 25 V	-	110 W (Tc)
IRFS7537PBF	-	Richiesta di offerta	1776	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®, StrongIRFET™	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		60 V	173A(Tc)	6 V, 10 V	3,3 mOhm a 100 A, 10 V	3,7 V a 150 µA	210 nC a 10 V	±20 V	7020 pF a 25 V	-	230 W(Tc)
IRFS7734PBF	-	Richiesta di offerta	2517	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	192	CanaleN		75 V	183A(Tc)		3,5 mOhm a 100 A, 10 V	3,7 V a 250 µA	270 nC a 10 V	±20 V	10150 pF a 25 V	-	290 W(Tc)
IRLR7833TRLPBF	-	Richiesta di offerta	9945	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		D-Pak	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	172	CanaleN		30 V	140A (Tc)	4,5 V, 10 V	4,5 mOhm a 15 A, 10 V	2,3 V a 250 µA	50 nC a 4,5 V	±20 V	4010 pF a 15 V	-	140 W(Tc)
AUIRFR3504TRL	0,9100	Richiesta di offerta	8	Raddrizzatore internazionale	Automotive, AEC-Q101, HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		TO-252AA	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		40 V	56A(Tc)		9,2 mOhm a 30 A, 10 V	4 V a 250 µA	71 nC a 10 V	±20 V	2150 pF a 25 V	-	140 W(Tc)
AUIRF7675M2TR	1.2800	Richiesta di offerta	472	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	DirectFET™ isometrico M2			MOSFET (ossido di metallo)		DirectFET™ isometrico M2	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	235	CanaleN		150 V	4,4 A (Ta), 18 A (Tc)	10 V	56 mOhm a 11 A, 10 V	5 V a 100 µA	32 nC a 10 V	±20 V	1360 pF a 25 V	-	2,7 W (Ta), 45 W (Tc)
IRFHM8337TRPBF-IR	-	Richiesta di offerta	4037	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN			MOSFET (ossido di metallo)		8-PQFN-Doppio (3.3x3.3), Power33	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	4.000	CanaleN		30 V	12A (Ta)		12,4 mOhm a 12 A, 10 V	2,35 V a 25 µA	8,1 nC a 4,5 V	±20 V	755 pF a 15 V	-	2,8 W (Ta), 25 W (Tc)
IRF7424TRPBF	-	Richiesta di offerta	1556	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)			MOSFET (ossido di metallo)		8-SO	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1	Canale P		30 V	11A (Ta)	4,5 V, 10 V	13,5 mOhm a 11 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	110 nC a 10 V	±20 V	4030 pF a 25 V	-	2,5 W(Ta)
AUIRFS3004-7P-IR	-	Richiesta di offerta	6647	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-7, D²Pak (6 derivazioni + linguetta)			MOSFET (ossido di metallo)		PG-TO263-7	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		40 V	240A(Tc)	10 V	1,25 mOhm a 195 A, 10 V	4 V a 250 µA	240 nC a 10 V	±20 V	9130 pF a 25 V	-	380 W(Tc)
IRG4BC30WPBF	1.3900	Richiesta di offerta	658	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3		Standard		100 W	TO-220AB	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		480 V, 12 A, 23 Ohm, 15 V												-	600 V	23A	92A	2,7 V a 15 V, 12 A	130μJ (acceso), 130μJ (spento)	51 nC	25ns/99ns
AUIRFSL8403	0,9000	Richiesta di offerta	3	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA			MOSFET (ossido di metallo)		TO-262	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN		40 V	123A(Tc)	10 V	3,3 mOhm a 70 A, 10 V	3,9 V a 100 µA	93 nC a 10 V	±20 V	3183 pF a 25 V	-	99 W (Tc)
IRFB3077PBF	-	Richiesta di offerta	1405	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1	CanaleN		75 V	120A (Tc)	10 V	3,3 mOhm a 75 A, 10 V	4 V a 250 µA	220 nC a 10 V	±20 V	9400 pF a 50 V	-	370 W(Tc)
IRF7607TRPBF	-	Richiesta di offerta	8338	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-TSSOP, 8-MSOP (0,118", larghezza 3,00 mm)	IRF7607		MOSFET (ossido di metallo)		Micro8™	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1	CanaleN		20 V	6,5A(Ta)	2,5 V, 4,5 V	30 mOhm a 6,5 A, 4,5 V	1,2 V a 250 µA	22 nC a 5 V	±12V	1310 pF a 15 V	-	1,8 W (Ta)
IRLL2705PBF	1.0000	Richiesta di offerta	9871	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA			MOSFET (ossido di metallo)		SOT-223	-	Conformità ROHS3				EAR99	8541.29.0095	1.760	CanaleN		55 V	3,8A(Ta)	4 V, 10 V	40 mOhm a 3,8 A, 10 V	2 V a 250 µA	48 nC a 10 V	±16V	870 pF a 25 V	-	1 W (Ta)
IRFB33N15DPBF	0,8800	Richiesta di offerta	404	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	404	CanaleN		150 V	33A(Tc)	10 V	56 mOhm a 20 A, 10 V	5,5 V a 250 µA	90 nC a 10 V	±30 V	2020 pF a 25 V	-	3,8 W (Ta), 170 W (Tc)
AUIRFR2607Z	-	Richiesta di offerta	3644	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		D-Pak	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	451	CanaleN		75 V	42A(Tc)	10 V	22 mOhm a 30 A, 10 V	4 V a 50 µA	51 nC a 10 V	±20 V	1440 pF a 25 V	-	110 W (Tc)
AUIRF1010Z	1.0700	Richiesta di offerta	12	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	281	CanaleN		55 V	75A (Tc)		7,5 mOhm a 75 A, 10 V	4 V a 250 µA	95 nC a 10 V		2840 pF a 25 V	-	140 W(Tc)
AUIRF7732S2TR	0,9400	Richiesta di offerta	3	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	DirectFET™ SC isometrico			MOSFET (ossido di metallo)		DIRECTFET™SC	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN		40 V	14A (Ta)	10 V	6,95 mOhm a 33 A, 10 V	4 V a 50 µA	45 nC a 10 V	±20 V	1700 pF a 25 V	-	2,5 W (Ta), 41 W (Tc)
IRFAUIRF4905	-	Richiesta di offerta	8218	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo									scaricamento					EAR99	8541.29.0095	95
AUIRF2804S-7P-IR	-	Richiesta di offerta	8609	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-7, D²Pak (6 derivazioni + linguatta), TO-263CB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK (7 conduttori)	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-AUIRF2804S-7P-IR	EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		40 V	240A(Tc)	10 V	1,6 mOhm a 160 A, 10 V	4 V a 250 µA	260 nC a 10 V	±20 V	6930 pF a 25 V	-	330 W(Tc)
IRFF9213	-	Richiesta di offerta	5237	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-	Foro passante	TO-205AF Lattina di metallo			MOSFET (ossido di metallo)		TO-205AF (TO-39)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		150 V	1,3 A(Tc)		-	-		-		-	15 W
AUIRLS4030-7P	2.7000	Richiesta di offerta	1	Raddrizzatore internazionale	Automotive, AEC-Q101, HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-7, D²Pak (6 derivazioni + linguetta)			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK (7 conduttori)	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	121	CanaleN		100 V	190A(Tc)	4,5 V, 10 V	3,9 mOhm a 110 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	140 nC a 4,5 V	±16V	11490 pF a 50 V	-	370 W(Tc)
IRGP4620DPBF	1.6800	Richiesta di offerta	30	Raddrizzatore internazionale	-	Tubo	Obsoleto	-40°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		140 W	TO-247AC	scaricamento	Conformità ROHS3				EAR99	8541.29.0095	25		400 V, 12 A, 22 Ohm, 15 V											68 ns	-	600 V	32A	36A	1,85 V a 15 V, 12 A	75μJ (acceso), 225μJ (spento)	25 nC	31ns/83ns
IRF7476TRPBF	1.0000	Richiesta di offerta	5279	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)			MOSFET (ossido di metallo)		8-SO	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	4.000	CanaleN		12 V	15A (Ta)	2,8 V, 4,5 V	8 mOhm a 15 A, 4,5 V	1,9 V a 250 µA	40 nC a 4,5 V	±12V	2550 pF a 6 V	-	2,5 W(Ta)
IRFU1018EPBF	0,5500	Richiesta di offerta	763	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA			MOSFET (ossido di metallo)		IPAK (TO-251AA)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	547	CanaleN		60 V	56A(Tc)		8,4 mOhm a 47 A, 10 V	4 V a 100 µA	69 nC a 10 V	±20 V	2290 pF a 50 V	-	110 W (Tc)
AUIRFR9024N	0,6600	Richiesta di offerta	3873	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		D-PAK (TO-252AA)	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1	Canale P		55 V	11A(Tc)	10 V	175 mOhm a 6,6 A, 10 V	4 V a 250 µA	19 nC a 10 V	±20 V	350 pF a 25 V	-	38 W (Tc)
AUIRFR4104	1.1300	Richiesta di offerta	8	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		D-Pak	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		40 V	42A(Tc)	10 V	5,5 mOhm a 42 A, 10 V	4 V a 250 µA	89 nC a 10 V	±20 V	2950 pF a 25 V	-	140 W(Tc)
IRG4BC15UDPBF	-	Richiesta di offerta	5419	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3		Standard		49 W	TO-220AB	-	RoHS non conforme		Venditore non definito	2156-IRG4BC15UDPBF-600047			1		480 V, 7,8 A, 75 Ohm, 15 V											28 ns	-	600 V	14A	42A	2,4 V a 15 V, 7,8 A	240μJ (acceso), 260μJ (spento)	23 nC	17ns/160ns