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Transistor(1222)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Condizione di prova	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tempo di recupero inverso (trr)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C
IRG4PC50UDPBF	-	Richiesta di offerta	4884	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		200 W	TO-247AC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1			480 V, 27 A, 5 Ohm, 15 V											50 n	-	600 V	55A	220A	2 V a 15 V, 27 A	990μJ (acceso), 590μJ (spento)	180 nC	46ns/140ns
IRGB4630DPBF	2.3200	Richiesta di offerta	650	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3		Standard		206 W	TO-220AC	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	130			400 V, 18 A, 22 Ohm, 15 V											100 n	-	600 V	47A	54A	1,95 V a 15 V, 18 A	95μJ (acceso), 350μJ (spento)	35 nC	40ns/105ns
IRG7PH44K10D-EPBF	4.3700	Richiesta di offerta	4	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		320 W	TO-247 d.C	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1			600 V, 25 A, 10 Ohm, 15 V											130 n	-	1200 V	70A	100A	2,4 V a 15 V, 25 A	2,1 mJ (acceso), 1,3 mJ (spento)	200 nC	75ns/315ns
IRGP4262DPBF	2.6300	Richiesta di offerta	1	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		250 W	TO-247AC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1			400 V, 24 A, 10 Ohm, 15 V											170 n	-	650 V	60A	96A	2,1 V a 15 V, 24 A	520μJ (acceso), 240μJ (spento)	70 nC	24ns/73ns
IRG4BC40KPBF-IR	1.0000	Richiesta di offerta	6494	Raddrizzatore internazionale	*	Massa	Attivo									-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1
IRG8P08N120KD-EPBF	2.3500	Richiesta di offerta	10	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		89 W	TO-247 d.C	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1			600 V, 5 A, 47 Ohm, 15 V											50 n	-	1200 V	15A	15A	2 V a 15 V, 5 A	300μJ (acceso), 300μJ (spento)	45 nC	20ns/160ns
IRG4PC30FDPBF	1.0000	Richiesta di offerta	9564	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		100 W	TO-247AC	-	Non applicabile	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1			480 V, 17 A, 23 Ohm, 15 V											42 ns	-	600 V	31A	120A	1,8 V a 15 V, 17 A	630 µJ (acceso), 1,39 mJ (spento)	51 nC	42ns/230ns
IRGB4610DPBF	1.0000	Richiesta di offerta	7090	Raddrizzatore internazionale	-	Tubo	Obsoleto	-40°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3		Standard		77 W	TO-220AB	-	Conformità ROHS3				EAR99	8541.29.0095	50			400 V, 6 A, 47 Ohm, 15 V											74 ns	-	600 V	16A	18A	2 V a 15 V, 6 A	56μJ (acceso), 122μJ (spento)	13 nC	27ns/75ns
IRFS23N15DTRLP	-	Richiesta di offerta	3798	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		150 V	23A(Tc)		90 mOhm a 14 A, 10 V	5,5 V a 250 µA	56 nC a 10 V	±30 V	1200 pF a 25 V	-	3,8 W (Ta), 136 W (Tc)
AUIRFS4310	-	Richiesta di offerta	3245	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		100 V	75A (Tc)	10 V	7 mOhm a 75 A, 10 V	4 V a 250 µA	250 nC a 10 V	±20 V	7670 pF a 50 V	-	300 W(Tc)
IRF7842PBF	1.0000	Richiesta di offerta	3265	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)			MOSFET (ossido di metallo)		8-SO	scaricamento	Conformità ROHS3				EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		40 V	18A (Ta)	4,5 V, 10 V	5 mOhm a 17 A, 10 V	2,25 V a 250 µA	50 nC a 4,5 V	±20 V	4500 pF a 20 V	-	2,5 W(Ta)
AUIRF3710Z	-	Richiesta di offerta	2231	Raddrizzatore internazionale	Automotive, AEC-Q101, HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		100 V	59A(Tc)		18 mOhm a 35 A, 10 V	4 V a 250 µA	120 nC a 10 V	±20 V	2900 pF a 25 V	-	160 W(Tc)
IRF3315PBF	-	Richiesta di offerta	9658	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		150 V	23A (Tc)		70 mOhm a 12 A, 10 V	4 V a 250 µA	95 nC a 10 V	±20 V	1300 pF a 25 V	-	94 W (Tc)
IRF3708PBF	-	Richiesta di offerta	6193	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		30 V	62A(Tc)	2,8 V, 10 V	12 mOhm a 15 A, 10 V	2 V a 250 µA	24 nC a 4,5 V	±12V	2417 pF a 15 V	-	87 W(Tc)
IRFS4310TRRPBF	-	Richiesta di offerta	4204	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		PG-TO263-3-2	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		100 V	130A (Tc)		7 mOhm a 75 A, 10 V	4 V a 250 µA	250 nC a 10 V	±20 V	7670 pF a 50 V	-	300 W(Tc)
IRLS3036-7PPBF	-	Richiesta di offerta	2232	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-7, D²Pak (6 derivazioni + linguatta), TO-263CB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK (7 conduttori)	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		60 V	240A(Tc)	4,5 V, 10 V	1,9 mOhm a 180 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	160 nC a 4,5 V	±16V	11270 pF a 50 V	-	380 W(Tc)
IRF7328PBF	1.0000	Richiesta di offerta	1583	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	IRF732		MOSFET (ossido di metallo)	2 W	8-SO	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1	2 canali P (doppio)			30 V	8A		21 mOhm a 8 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	78nC a 10V		2675 pF a 25 V	Porta a livello logico
IRFAUIRF3805S	-	Richiesta di offerta	6345	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo									scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1
AUIRGSL4062D1	3.3900	Richiesta di offerta	10	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA	AUIRGSL4062	Standard		246 W	TO-262	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1			400 V, 24 A, 10 Ohm, 15 V											102 nn	Trincea	600 V	59A	72A	1,77 V a 15 V, 24 A	532μJ (acceso), 311μJ (spento)	77 nC	19ns/90ns
IRFU7746PBF	0,6200	Richiesta di offerta	3	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA			MOSFET (ossido di metallo)		IPAK (TO-251AA)	scaricamento	RoHS non conforme		Venditore non definito	2156-IRFU7746PBF	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		75 V	56A(Tc)	6 V, 10 V	11,2 mOhm a 35 A, 10 V	3,7 V a 100 µA	89 nC a 10 V	±20 V	3107 pF a 25 V	-	99 W (Tc)
AUIRF7749L2TR	-	Richiesta di offerta	6915	Raddrizzatore internazionale	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	DirectFET™ isometrico L8			MOSFET (ossido di metallo)		DIRECTFET L8	scaricamento		Venditore non definito	REACH Inalterato	2156-AUIRF7749L2TR-600047			1		CanaleN		60 V	36A (Ta), 345A (Tc)	10 V	1,5 mOhm a 120 A, 10 V	4 V a 250 µA	275 nC a 10 V	±20 V	10655 pF a 25 V	-	3,8 W (Ta), 341 W (Tc)
IRGS6B60KDTRRP	1.2400	Richiesta di offerta	7372	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB		Standard		90 W	D2PAK	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	64			400 V, 5 A, 100 Ohm, 15 V											70 ns	TNP	600 V	13A	26A	2,2 V a 15 V, 5 A	110μJ (acceso), 135μJ (spento)	18,2 nC	25ns/215ns
IRGS6B60KDTRLP	1.2500	Richiesta di offerta	2	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	IRGS6B60	Standard		90 W	D2PAK	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8542.39.0001	1			400 V, 5 A, 100 Ohm, 15 V											70 ns	TNP	600 V	13A	26A	2,2 V a 15 V, 5 A	110μJ (acceso), 135μJ (spento)	18,2 nC	25ns/215ns
AUIRFS8408TRR	1.4000	Richiesta di offerta	490	Raddrizzatore internazionale	Automotive, AEC-Q101, HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		40 V	195A(Tc)		1,6 mOhm a 100 A, 10 V	3,9 V a 250 µA	324 nC a 10 V	±20 V	10820 pF a 25 V	-	294 W(Tc)
IRGP4266-EPBF	4.0100	Richiesta di offerta	9	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		455 W	TO-247AC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1			400 V, 75 A, 10 Ohm, 15 V												-	650 V	140A	300 A	2,1 V a 15 V, 75 A	3,2 mJ (acceso), 1,7 mJ (spento)	210 nC	80ns/200ns
IRFF131	-	Richiesta di offerta	8627	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-	Foro passante	TO-205AF Lattina di metallo			MOSFET (ossido di metallo)		TO-205AF (TO-39)	scaricamento	RoHS non conforme	3 (168 ore)	Venditore non definito		EAR99	0000.00.0000	35		CanaleN		80 V	8A (Tc)		-	-		-		-	-
IRFSL7537PBF	1.4900	Richiesta di offerta	800	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®, StrongIRFET™	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA			MOSFET (ossido di metallo)		TO-262	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1		CanaleN		60 V	173A(Tc)	6 V, 10 V	3,3 mOhm a 100 A, 10 V	3,7 V a 150 µA	210 nC a 10 V	±20 V	7020 pF a 25 V	-	230 W(Tc)
IRGB14C40LPBF	1.2600	Richiesta di offerta	262	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3		Logica		125 W	TO-220AB	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	262			-												-	430 V	20A		1,75 V a 5 V, 14 A	-	27 nC	900ns/6μs
IRGP4750DPBF	3.5900	Richiesta di offerta	31	Raddrizzatore internazionale	-	Tubo	Obsoleto	-40°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		273 W	TO-247AC	scaricamento	Conformità ROHS3				EAR99	8541.29.0095	25			400 V, 35 A, 10 Ohm, 15 V											150 n	-	650 V	70A	105A	2 V a 15 V, 35 A	1,3 mJ (acceso), 500 µJ (spento)	105 nC	50ns/105ns
IRFHM8342TRPBF	1.0000	Richiesta di offerta	7246	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN			MOSFET (ossido di metallo)		8-PQFN-Doppio (3.3x3.3), Power33	scaricamento		Venditore non definito	REACH Inalterato	2156-IRFHM8342TRPBF-600047			1		CanaleN		30 V	10A (Ta), 28A (Tc)		16 mOhm a 17 A, 10 V	2,35 V a 25 µA	10 nC a 10 V	±20 V	560 pF a 25 V	-	2,6 W (Ta), 20 W (Tc)