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Transistor(1222)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Tipo FET	Condizione di prova	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tempo di recupero inverso (trr)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C
IRG4PC30FPBF	1.8800	Richiesta di offerta	1	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		100 W	TO-247AC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		480 V, 17 A, 23 Ohm, 15 V												-	600 V	31A	120A	1,8 V a 15 V, 17 A	230 µJ (acceso), 1,18 mJ (spento)	77 nC	21ns/200ns
IRFS59N10DTRLP	-	Richiesta di offerta	4464	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		PG-TO263-3-2	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		100 V	59A(Tc)		25 mOhm a 35,4 A, 10 V	5,5 V a 250 µA	114 nC a 10 V	±30 V	2450 pF a 25 V	-	3,8 W (Ta), 200 W (Tc)
IRFP4868PBF	-	Richiesta di offerta	4090	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-247AC	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN		300 V	70A (Tc)	10 V	32 mOhm a 42 A, 10 V	5 V a 250 µA	270 nC a 10 V	±20 V	10774 pF a 50 V	-	517 W(Tc)
AURFN8401TR	-	Richiesta di offerta	9001	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN			MOSFET (ossido di metallo)		PQFN (5x6)	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	4.000	CanaleN		40 V	84A(Tc)	10 V	4,6 mOhm a 50 A, 10 V	3,9 V a 50 µA	66 nC a 10 V	±20 V	2170 pF a 25 V	-	4,2 W (Ta), 63 W (Tc)
IRGP4640PBF	1.9000	Richiesta di offerta	10	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		250 W	TO-247AC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		400 V, 24 A, 10 Ohm, 15 V												-	600 V	65A	72A	1,9 V a 15 V, 24 A	100μJ (acceso), 600μJ (spento)	75 nC	40ns/105ns
IRGS4615DTRRPBF	-	Richiesta di offerta	3546	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB		Standard		99 W	D2PAK	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		400 V, 8 A, 47 Ohm, 15 V											60 ns	-	600 V	23A	24A	1,85 V a 15 V, 8 A	70μJ (acceso), 145μJ (spento)	19 nC	30ns/95ns
AUIRLR3110Z	-	Richiesta di offerta	5139	Raddrizzatore internazionale	Automotive, AEC-Q101, HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		D-Pak	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		100 V	42A(Tc)		14 mOhm a 38 A, 10 V	2,5 V a 100 µA	48 nC a 4,5 V	±16V	3980 pF a 25 V	-	140 W(Tc)
IRF7811AVTRBPBF	-	Richiesta di offerta	2547	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)			MOSFET (ossido di metallo)		8-SO	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	4.000	CanaleN		30 V	10,8A(Ta)	4,5 V	14 mOhm a 15 A, 4,5 V	3 V a 250 µA	26 nC a 5 V	±20 V	1801 pF a 10 V	-	2,5 W(Ta)
IRF7805TRPBF	0,4600	Richiesta di offerta	2	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)			MOSFET (ossido di metallo)		8-SO	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	4.000	CanaleN		30 V	13A (Ta)	4,5 V	11 mOhm a 7 A, 4,5 V	3 V a 250 µA	31 nC a 5 V	±12V		-	2,5 W(Ta)
IRG7PH35UD1MPBF	2.9700	Richiesta di offerta	88	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	IRG7PH35	Standard		179 W	TO-247 d.C	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1		600 V, 20 A, 10 Ohm, 15 V												Trincea	1200 V	50A	150A	2,2 V a 15 V, 20 A	620μJ (spento)	130 nC	-/160ns
IRF120CECC	-	Richiesta di offerta	6415	Raddrizzatore internazionale	*	Massa	Attivo				IRF120		-			-	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1											-
IRL3714ZSPBF	1.0000	Richiesta di offerta	9621	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	-	Conformità ROHS3				EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN		20 V	36A(Tc)	4,5 V, 10 V	16 mOhm a 15 A, 10 V	2,55 V a 250 µA	7,2 nC a 4,5 V	±20 V	550 pF a 10 V	-	35 W (Tc)
IRFS3806PBF	0,3500	Richiesta di offerta	7892	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	290	CanaleN		60 V	43A(Tc)	10 V	15,8 mOhm a 25 A, 10 V	4 V a 50 µA	30 nC a 10 V	±20 V	1150 pF a 50 V	-	71 W(Tc)
IRG4RC10UDTRLP-IR	-	Richiesta di offerta	9446	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63		Standard		38 W	TO-252AA	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	3.000		480 V, 5 A, 100 Ohm, 15 V											28 ns	-	600 V	8,5 A	34A	2,6 V a 15 V, 5 A	140μJ (acceso), 120μJ (spento)	15 nC	40ns/87ns
IRGP6690DPBF	4.7100	Richiesta di offerta	1465	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		483 W	TO-247AC	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	9		400 V, 75 A, 10 Ohm, 15 V											90 ns	-	600 V	140A	225A	1,95 V a 15 V, 75 A	3,1 mJ (acceso), 2,8 mJ (spento)	140 nC	85ns/222ns
IRF1405ZSPBF	-	Richiesta di offerta	8083	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		PG-TO263-3-2	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		55 V	75A (Tc)		4,9 mOhm a 75 A, 10 V	4 V a 250 µA	180 nC a 10 V	±20 V	4780 pF a 25 V	-	230 W(Tc)
IRGP6630D-EPBF	2.1600	Richiesta di offerta	937	Raddrizzatore internazionale	-	Tubo	Obsoleto	-40°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		192 W	TO-247 d.C	scaricamento	Conformità ROHS3				EAR99	8541.29.0095	25		400 V, 18 A, 22 Ohm, 15 V											70 ns	-	600 V	47A	54A	1,95 V a 15 V, 18 A	75μJ (acceso), 350μJ (spento)	30 nC	40ns/95ns
AUIRFS3004	-	Richiesta di offerta	9432	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK-3 (TO-263)	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN		40 V	195A(Tc)	10 V	1,75 mOhm a 195 A, 10 V	4 V a 250 µA	240 nC a 10 V	±20 V	9200 pF a 25 V	-	380 W(Tc)
AUIRFR5410TRL	1.0000	Richiesta di offerta	7598	Raddrizzatore internazionale	Automotive, AEC-Q101, HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		DPAK	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1	Canale P		100 V	13A (Tc)	10 V	205 mOhm a 7,8 A, 10 V	4 V a 250 µA	58 nC a 10 V	±20 V	760 pF a 25 V	-	66 W (Tc)
IRG4RC10SDPBF	-	Richiesta di offerta	8471	Raddrizzatore internazionale	S	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63		Standard		38 W	D-PAK (TO-252AA)	-	RoHS non conforme		Venditore non definito	2156-IRG4RC10SDPBF-600047			1		480 V, 8 A, 100 Ohm, 15 V											28 ns	-	600 V	14A	18A	1,8 V a 15 V, 8 A	310 µJ (acceso), 3,28 mJ (spento)	15 nC	76ns/815ns
AUIRF1404ZL	-	Richiesta di offerta	5521	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA			MOSFET (ossido di metallo)		TO-262	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN		40 V	160A(Tc)	10 V	3,7 mOhm a 75 A, 10 V	4 V a 250 µA	150 nC a 10 V	±20 V	4340 pF a 25 V	-	200 W (Tc)
IRGPS40B120UPBF	5.4700	Richiesta di offerta	6	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-274AA		Standard		595 W	SUPER-247™ (TO-274AA)	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1		600 V, 40 A, 4,7 Ohm, 15 V												TNP	1200 V	80A	160A	3,71 V a 15 V, 50 A	1,4 mJ (acceso), 1,65 mJ (spento)	340 nC	-
IRGP4066-EPBF	-	Richiesta di offerta	8788	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		454 W	TO-247AC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		400 V, 75 A, 10 Ohm, 15 V												Trincea	600 V	140A	225A	2,1 V a 15 V, 75 A	2.465 mJ (acceso), 2.155 mJ (spento)	225 nC	50ns/200ns
IRGS4B60KD1TRLP	0,8000	Richiesta di offerta	1168	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	IRGS4B60	Standard		63 W	D2PAK	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8542.39.0001	266		400 V, 4 A, 100 Ohm, 15 V											93 nn	TNP	600 V	11A	22A	2,5 V a 15 V, 4 A	73μJ (acceso), 47μJ (spento)	12 nC	22ns/100ns
IRGS4B60KD1TRRP	1.1800	Richiesta di offerta	259	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	IRGS4B60	Standard		63 W	D2PAK	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8542.39.0001	259		400 V, 4 A, 100 Ohm, 15 V											93 nn	TNP	600 V	11A	22A	2,5 V a 15 V, 4 A	73μJ (acceso), 47μJ (spento)	12 nC	22ns/100ns
IRGP4790-EPBF	4.0600	Richiesta di offerta	1	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		455 W	TO-247 d.C	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		400 V, 75 A, 10 Ohm, 15 V												-	650 V	140A	225A	2 V a 15 V, 75 A	2,5 mJ (acceso), 2,2 mJ (spento)	210 nC	50ns/200ns
IRGP6650D-EPBF	3.0000	Richiesta di offerta	750	Raddrizzatore internazionale	-	Tubo	Obsoleto	-40°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		306 W	TO-247 d.C	scaricamento	Conformità ROHS3				EAR99	8541.29.0095	25		400 V, 35 A, 10 Ohm, 15 V											50 n	-	600 V	80A	105A	1,95 V a 15 V, 35 A	300μJ (acceso), 630μJ (spento)	75 nC	40ns/105ns
AUIRFP2907Z	-	Richiesta di offerta	6415	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-247AC	-					EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN		75 V	170A(Tc)	10 V	4,5 mOhm a 90 A, 10 V	4 V a 250 µA	270 nC a 10 V	±20 V	7500 pF a 25 V	-	310 W(Tc)
IRF431	1.2400	Richiesta di offerta	1	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-204AA, TO-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-3	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		450 V	4,5 A		1,5 Ohm a 2,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	30 nC a 10 V	±20 V	800 pF a 25 V	-	75 W (Tc)
IRGB20B60PD1PBF	-	Richiesta di offerta	4048	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3		Standard		215 W	TO-220AB	-	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		390 V, 13 A, 10 Ohm, 15 V											28 ns	TNP	600 V	40A	80A	2,8 V a 15 V, 20 A	95μJ (acceso), 100μJ (spento)	68 nC	20ns/115ns