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Transistor(1222)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Condizione di prova	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tempo di recupero inverso (trr)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C
AUIRF6218S-IR	-	Richiesta di offerta	6333	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		PG-TO263-3	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		Canale P		150 V	27A(Tc)	10 V	150 mOhm a 16 A, 10 V	5 V a 250 µA	110 nC a 10 V	±20 V	2210 pF a 25 V	-	250 W(Tc)
IRGS6B60KTRLPBF	1.5500	Richiesta di offerta	20	Raddrizzatore internazionale	*	Massa	Attivo									scaricamento		Venditore non definito	RAGGIUNGERE Interessato	2156-IRGS6B60KTRLPBF-600047			1
IRF7389PBF	1.0000	Richiesta di offerta	9724	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	IRF738		MOSFET (ossido di metallo)	2,5 W	8-SO	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1	Canali N e P			30 V	-		29 mOhm a 5,8 A, 10 V	1 V a 250 µA	33nC a 10 V		650 pF a 25 V	Porta a livello logico
IRFS4115TRL7PP	2.0900	Richiesta di offerta	25	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-7, D²Pak (6 derivazioni + linguatta), TO-263CB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK (7 conduttori)	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1		CanaleN		150 V	105A (Tc)	10 V	11,8 mOhm a 63 A, 10 V	5 V a 250 µA	110 nC a 10 V	±20 V	5320 pF a 50 V	-	380 W(Tc)
IRFPS3810PBF	-	Richiesta di offerta	6400	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-274AA			MOSFET (ossido di metallo)		SUPER-247 (TO-274AA)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		100 V	170A(Tc)		9 mOhm a 100 A, 10 V	5 V a 250 µA	390 nC a 10 V	±30 V	6790 pF a 25 V	-	580 W(Tc)
IRF6218PBF	-	Richiesta di offerta	8651	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Tubo	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	50		Canale P		150 V	27A(Tc)	10 V	150 mOhm a 16 A, 10 V	5 V a 250 µA	110 nC a 10 V	±20 V	2210 pF a 25 V	-	250 W(Tc)
IRFPS3815PBF	-	Richiesta di offerta	6082	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-274AA			MOSFET (ossido di metallo)		SUPER-247™ (TO-274AA)	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		150 V	105A (Tc)	10 V	15 mOhm a 63 A, 10 V	5 V a 250 µA	390 nC a 10 V	±30 V	6810 pF a 25 V	-	441 W(Tc)
IRL3713PBF	-	Richiesta di offerta	4040	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1		CanaleN		30 V	260A(Tc)	4,5 V, 10 V	3 mOhm a 38 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	110 nC a 4,5 V	±20 V	5890 pF a 15 V	-	330 W(Tc)
IRF224	2.3400	Richiesta di offerta	2	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-	Foro passante	TO-204AA, TO-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-204AA (TO-3)	scaricamento	RoHS non conforme	3 (168 ore)	Venditore non definito		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		250 V	3,8 A	-	-	-		-		-	40 W
IRFP4227PBF	-	Richiesta di offerta	9408	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-247AC	scaricamento						0000.00.0000	1		CanaleN		200 V	65A (Tc)	10 V	25 mOhm a 46 A, 10 V	5 V a 250 µA	98 nC a 10 V	±30 V	4600 pF a 25 V	-	330 W(Tc)
IRG4PH40UDPBF	-	Richiesta di offerta	4910	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		160 W	TO-247AC	-	Non applicabile	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1			800 V, 21 A, 10 Ohm, 15 V											63 ns	-	1200 V	41A	82A	3,1 V a 15 V, 21 A	1,8 mJ (acceso), 1,93 mJ (spento)	86 nC	46ns/97ns
IRFSL4310ZPBF	-	Richiesta di offerta	3516	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA			MOSFET (ossido di metallo)		TO-262	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		100 V	120A (Tc)	10 V	6 mOhm a 75 A, 10 V	4 V a 150 µA	170 nC a 10 V	±20 V	6860 pF a 50 V	-	250 W(Tc)
IRF6637TRPBF	0,8300	Richiesta di offerta	31	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	MP isometrica DirectFET™			MOSFET (ossido di metallo)		DIRECTFET™MP	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		30 V	14A (Ta), 59A (Tc)	4,5 V, 10 V	7,7 mOhm a 14 A, 10 V	2,35 V a 250 µA	17 nC a 4,5 V	±20 V	1330 pF a 15 V	-	2,3 W (Ta), 42 W (Tc)
IRFS77347PPBF	-	Richiesta di offerta	6797	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	-	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		75 V	197A(Tc)		3,05 mOhm a 100 A, 10 V	3,7 V a 250 µA	270 nC a 10 V	±20 V	10130 pF a 25 V	-	294 W(Tc)
IRFB4115GPBF	-	Richiesta di offerta	3297	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		150 V	104A(Tc)	10 V	11 mOhm a 62 A, 10 V	5 V a 250 µA	120 nC a 10 V	±20 V	5270 pF a 50 V	-	380 W(Tc)
IRF1407LPBF	-	Richiesta di offerta	1444	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Tubo	Obsoleto		Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA			MOSFET (ossido di metallo)		TO-262	scaricamento	Conformità ROHS3				EAR99	8541.29.0095	150		CanaleN		75 V	100A (Tc)		7,8 mOhm a 78 A, 10 V	4 V a 250 µA	250 nC a 10 V		5600 pF a 25 V	-
IRF9Z34NSTRRPBF	-	Richiesta di offerta	4590	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	800		Canale P		55 V	19A(Tc)	10 V	100 mOhm a 10 A, 10 V	4 V a 250 µA	35 nC a 10 V	±20 V	620 pF a 25 V	-	3,8 W (Ta), 68 W (Tc)
IRFH5250DTRPBF	0,8300	Richiesta di offerta	902	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN			MOSFET (ossido di metallo)		8-PQFN (5x6)	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	362		CanaleN		25 V	40A (Ta), 100A (Tc)	4,5 V, 10 V	1,4 mOhm a 50 A, 10 V	2,35 V a 150 µA	83 nC a 10 V	±20 V	6115 pF a 13 V	-	3,6 W (Ta), 156 W (Tc)
IRF8113GPBF	0,3300	Richiesta di offerta	950	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)			MOSFET (ossido di metallo)		8-SO	scaricamento	Conformità ROHS3				EAR99	8541.29.0095	950		CanaleN		30 V	17,2A (Ta)	4,5 V, 10 V	5,6 mOhm a 17,2 A, 10 V	2,2 V a 250 µA	36 nC a 4,5 V	±20 V	2910 pF a 15 V	-	2,5 W(Ta)
IRGP4760PBF	2.9400	Richiesta di offerta	2	Raddrizzatore internazionale	-	Tubo	Obsoleto	-40°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		325 W	TO-247AC	scaricamento	Conformità ROHS3				EAR99	8541.29.0095	25			400 V, 48 A, 10 Ohm, 15 V												-	650 V	90A	144A	2 V a 15 V, 48 A	1,7 mJ (acceso), 1 mJ (spento)	145 nC	70ns/140ns
AUIRF6215	1.0000	Richiesta di offerta	5014	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1		Canale P		150 V	13A (Tc)	10 V	290 mOhm a 6,6 A, 10 V	4 V a 250 µA	66 nC a 10 V	±20 V	860 pF a 25 V	-	110 W (Tc)
IRG8P50N120KD-EPBF	6.5000	Richiesta di offerta	7	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		350 W	TO-247 d.C	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1			600 V, 35 A, 5 Ohm, 15 V											170 n	-	1200 V	80A	105A	2 V a 15 V, 35 A	2,3 mJ (acceso), 1,9 mJ (spento)	315 nC	35ns/190ns
AUIRF7805Q	0,8800	Richiesta di offerta	1826	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)			MOSFET (ossido di metallo)		8-SO	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	90		CanaleN		30 V	13A (Ta)	4,5 V	11 mOhm a 7 A, 4,5 V	3 V a 250 µA	31 nC a 5 V	±12V		-	2,5 W(Ta)
IRLR7833TRPBF	-	Richiesta di offerta	7124	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		D-Pak	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1		CanaleN		30 V	140A (Tc)	4,5 V, 10 V	4,5 mOhm a 15 A, 10 V	2,3 V a 250 µA	50 nC a 4,5 V	±20 V	4010 pF a 15 V	-	140 W(Tc)
AUIRGSL30B60K	2.3500	Richiesta di offerta	8	Raddrizzatore internazionale	*	Massa	Attivo				AUIRGSL30					scaricamento		Venditore non definito	RAGGIUNGERE Interessato	2156-AUIRGSL30B60K-600047			1
AUIRFP4310Z	1.0000	Richiesta di offerta	2800	Raddrizzatore internazionale	Automotive, AEC-Q101, HEXFET®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3			MOSFET (ossido di metallo)		PG-TO247-3	-	Conformità ROHS3				EAR99	8541.29.0095	25		CanaleN		100 V	128A(Tc)	10 V	6 mOhm a 77 A, 10 V	4 V a 150 µA	188 nC a 10 V	±20 V	7120 pF a 50 V	-	278 W(Tc)
AUIRF7734M2TR	0,9400	Richiesta di offerta	4	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	DirectFET™ isometrico M2			MOSFET (ossido di metallo)		DirectFET™ isometrico M2	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		40 V	17A (Ta)	10 V	4,9 mOhm a 43 A, 10 V	4 V a 100 µA	72 nC a 10 V	±20 V	2545 pF a 25 V	-	2,5 W (Ta), 46 W (Tc)
AUIRFU8403	0,9600	Richiesta di offerta	17	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA			MOSFET (ossido di metallo)		I-PAK	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		40 V	100A (Tc)	10 V	3,1 mOhm a 76 A, 10 V	3,9 V a 100 µA	99 nC a 10 V	±20 V	3171 pF a 25 V	-	99 W (Tc)
IRFZ34NSPBF	-	Richiesta di offerta	3502	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	7		CanaleN		55 V	29A(Tc)		40 mOhm a 16 A, 10 V	4 V a 250 µA	34 nC a 10 V	±20 V	700 pF a 25 V	-	3,8 W (Ta), 68 W (Tc)
IRG4PC30FPBF	1.8800	Richiesta di offerta	1	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		100 W	TO-247AC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1			480 V, 17 A, 23 Ohm, 15 V												-	600 V	31A	120A	1,8 V a 15 V, 17 A	230 µJ (acceso), 1,18 mJ (spento)	77 nC	21ns/200ns