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Transistor(1315)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Ingresso	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Figura di rumore	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Tensione - Prova	Tensione - Rottura (V(BR)GSS)	Corrente - Assorbimento (Idss) @ Vds (Vgs=0)	Tensione - Interruzione (VGS disattivato) @ Id	Corrente - Interruzione collettore (max)	Termistore NTC	Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	Resistenza - RDS(On)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Figura di rumore (dB tipo @ f)
APT30M85BVFRG	-	Richiesta di offerta	5926	Microsemi Corporation	POWER MOS V®	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3			MOSFET (ossido di metallo)			TO-247 [B]	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN				300 V	40A (Tc)	10 V	85 mOhm a 500 mA, 10 V	4 V a 1 mA	195 nC a 10 V	±30 V	4950 pF a 25 V	-	300 W(Tc)
APTGF15A120T1G	-	Richiesta di offerta	8942	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		-	Montaggio su telaio	SP1				140 W	Standard	SP1	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Mezzo ponte																TNP	1200 V	25A	3,7 V a 15 V, 15 A					250 µA	SÌ	1 nF a 25 V
1014-6A	-	Richiesta di offerta	1686	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		200°C (TJ)	Montaggio su telaio	55LV				19 W		55LV	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1					7dB~7,5dB													50 V	1A										NPN		-	1GHz~1,4GHz	-
APTGF75DA120T1G	-	Richiesta di offerta	6340	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		-	Montaggio su telaio	SP1				500 W	Standard	SP1	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Separare																TNP	1200 V	100A	3,7 V a 15 V, 75 A					250 µA	SÌ	5,1 nF a 25 V
APT5020SVRG	-	Richiesta di offerta	1482	Microsemi Corporation	POWER MOS V®	Tubo	Obsoleto		-	Montaggio superficiale	TO-268-3, D³Pak (2 cavi + linguatta), TO-268AA			MOSFET (ossido di metallo)			D3 [S]	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN				500 V	26A (Tc)	10 V	200 mOhm a 500 mA, 10 V	4 V a 1 mA	225 nC a 10 V	-	4440 pF a 25 V	-	-
APTMC120HRM40CT3G	-	Richiesta di offerta	2705	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	1200 V (1,2 kV)		Montaggio su telaio	SP3	APTMC120					SP3	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1																													Canale 2 N (fase di fase + doppio emettitore comune)
JANTX2N4857	-	Richiesta di offerta	1811	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-206AA, TO-18-3 Contenitore in metallo				360 mW		TO-18	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0095	1		CanaleN				40 V							18 pF a 10 V (VGS)									40 V	100 mA a 15 V	6 V a 500 pA				40 Ohm
APTML202UM18R010T3AG	-	Richiesta di offerta	7447	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP3	APTML202		MOSFET (ossido di metallo)	480W		SP3	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	2 canali N (doppio)					200 V	109A(Tc)		19 mOhm a 50 A, 10 V	4 V a 2,5 mA	-		9880 pF a 25 V	-
APTGF25H120T2G	-	Richiesta di offerta	8075	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		-	Montaggio su telaio	SP2				208 W	Standard	SP2	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Invertitore a ponte intero																TNP	1200 V	40A	3,7 V a 15 V, 25 A					250 µA	SÌ	1,65 nF a 25 V
SD1127	-	Richiesta di offerta	7301	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo				8 W		TO-39	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	500					12dB													18 V	640mA										NPN		10 a 50 mA, 5 V	175 MHz	-
JANTX2N6796U	-	Richiesta di offerta	2604	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/557	Massa	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	18-CLCC			MOSFET (ossido di metallo)			18-ULCC (9,14x7,49)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN				100 V	8A (Tc)	10 V	195 mOhm a 8 A, 10 V	4 V a 250 µA	28,51 nC a 10 V	±20 V		-	800 mW (Ta), 25 W (Tc)
APTGF25DSK120T3G	-	Richiesta di offerta	4415	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		-	Montaggio su telaio	SP3				208 W	Standard	SP3	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Doppio elicottero Buck																TNP	1200 V	40A	3,7 V a 15 V, 25 A					250 µA	SÌ	1,65 nF a 25 V
APTGT25A120D1G	-	Richiesta di offerta	6254	Microsemi Corporation	-	Massa	Interrotto alla SIC		-	Montaggio su telaio	D1				140 W	Standard	D1	-	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Mezzo ponte																Sosta sul campo di trincea	1200 V	40A	2,1 V a 15 V, 25 A					5 mA	NO	1,8 nF a 25 V
APTM20DUM10TG	-	Richiesta di offerta	3956	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP4	APTM20		MOSFET (ossido di metallo)	694W		SP4	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	2 canali N (doppio)					200 V	175A		12 mOhm a 87,5 A, 10 V	5 V a 5 mA	224nC a 10 V		13700 pF a 25 V	-
APTGT30SK170T1G	-	Richiesta di offerta	2194	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP1				210 W	Standard	SP1	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	Separare																Sosta sul campo di trincea	1700 V	45A	2,4 V a 15 V, 30 A					250 µA	SÌ	2,5 nF a 25 V
JANSR2N7261U	-	Richiesta di offerta	2055	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/601	Vassoio	Obsoleto		-55°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	18-CLCC			MOSFET (ossido di metallo)			18-ULCC (9,14x7,49)	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN				100 V	8A (Tc)	12V	185 mOhm a 8 A, 12 V	4 V a 1 mA	50 nC a 12 V	±20 V		-	25 W (Tc)
APTGV50H120BTPG	-	Richiesta di offerta	2882	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		-	Montaggio su telaio	SP6				270 W	Standard	SP6-P	-		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Boost Chopper, ponte intero																TNP, Fermata ai campi di trincea	1200 V	75A	2,1 V a 15 V, 50 A					250 µA	SÌ	3,6 nF a 25 V
2C5012	-	Richiesta di offerta	3130	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		-	-	-						-	-	RoHS non conforme	Non applicabile		OBSOLETO	0000.00.0000	1																									-				-	-	-	-
JAN2N6790U	-	Richiesta di offerta	4404	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/555	Massa	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	18-CLCC			MOSFET (ossido di metallo)			18-ULCC (9,14x7,49)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0095	1		CanaleN				200 V	2,8 A(Tc)	10 V	850 mOhm a 3,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	14,3 nC a 10 V	±20 V		-	800 mW(Tc)
ARF447G	-	Richiesta di offerta	7675	Microsemi Corporation	-	Massa	Attivo	900 V			TO-247-3	ARF447	40,68 MHz	MOSFET			TO-247	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1	CanaleN		6,5 A	140 W	15dB											-					250 V
APTGT30A60T1G	-	Richiesta di offerta	5070	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP1				90 W	Standard	SP1	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	Mezzo ponte																Sosta sul campo di trincea	600 V	50A	1,9 V a 15 V, 30 A					250 µA	SÌ	1,6 nF a 25 V
APT75GN120JDQ3G	-	Richiesta di offerta	4063	Microsemi Corporation	-	Tubo	Interrotto alla SIC		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	ISOTOP				379 W	Standard	ISOTOP®	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	30	Separare																Sosta sul campo di trincea	1200 V	124A	2,1 V a 15 V, 75 A					200 µA	NO	4,8 nF a 25 V
APT15GF120JCU2	-	Richiesta di offerta	1431	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		-	Telaio, montaggio con perno	SOT-227-4, miniBLOC				156 W	Standard	SOT-227	-		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Separare																TNP	1200 V	30A	3,7 V a 15 V, 15 A					250 µA	NO	1 nF a 25 V
APTGT200SK60TG	-	Richiesta di offerta	8084	Microsemi Corporation	-	Massa	Interrotto alla SIC		-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP4				625 W	Standard	SP4	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Separare																Sosta sul campo di trincea	600 V	290A	1,9 V a 15 V, 200 A					250 µA	SÌ	12,3 nF a 25 V
APTGF90DH60TG	-	Richiesta di offerta	3765	Microsemi Corporation	-	Massa	Interrotto alla SIC		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP4				416 W	Standard	SP4	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Ponte asimmetrico																TNP	600 V	110A	2,5 V a 15 V, 90 A					250 µA	SÌ	4,3 nF a 25 V
JANTX2N7227U	-	Richiesta di offerta	6780	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/592	Massa	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-267AB			MOSFET (ossido di metallo)			TO-267AB	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN				400 V	14A (Tc)	10 V	415 mOhm a 14 A, 10 V	4 V a 250 µA	110 nC a 10 V	±20 V		-	4 W (Ta), 150 W (Tc)
APTM120DA29TG	-	Richiesta di offerta	6353	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP4			MOSFET (ossido di metallo)			SP4	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN				1200 V	34A (Tc)	10 V	348 mOhm a 17 A, 10 V	5 V a 5 mA	374 nC a 10 V	±30 V	10.300 pF a 25 V	-	780 W(Tc)
APTM120SK56T1G	-	Richiesta di offerta	5832	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP1			MOSFET (ossido di metallo)			SP1	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN				1200 V	18A (Tc)	10 V	672 mOhm a 14 A, 10 V	5 V a 2,5 mA	300 nC a 10 V	±30 V	7736 pF a 25 V	-	390 W(Tc)
2N6790U	-	Richiesta di offerta	5573	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	18-CLCC			MOSFET (ossido di metallo)			18-ULCC (9,14x7,49)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0095	1		CanaleN				200 V	2,8 A(Tc)	10 V	800 mOhm a 2,25 A, 10 V	4 V a 250 µA	14,3 nC a 10 V	±20 V		-	800 mW(Tc)
75060B	-	Richiesta di offerta	5377	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto											-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1