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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Tecnologia | Potenza: max | Ingresso | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Tipo FET | Condizione di prova | Guadagno | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Tempo di recupero inverso (trr) | Tipo IGBT | Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | Corrente - Collettore (Ic) (Max) | Corrente - Collettore pulsato (Icm) | Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic | Carica di cancello | Td (acceso/spento) @ 25°C | Corrente - Interruzione collettore (max) | Termistore NTC | Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | Tipo di transistor | Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic | Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequenza - Transizione | Figura di rumore (dB tipo @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | APT45GR65BSCD10 | - | ![]() | 5467 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-247-3 | APT45GR65 | Standard | 543 W | TO-247 | - | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 433 V, 45 A, 4,3 Ohm, 15 V | 80 ns | TNP | 650 V | 118A | 224A | 2,4 V a 15 V, 45 A | 203 nC | 15ns/100ns | |||||||||||||||||||||||||
| JAN2N6802 | - | ![]() | 2975 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/557 | Massa | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-205AF Lattina di metallo | MOSFET (ossido di metallo) | TO-39 | - | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | CanaleN | 500 V | 2,5 A (TC) | 10 V | 1,6 Ohm a 2,5 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 33 nC a 10 V | ±20 V | - | 800 mW (Ta), 25 W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||
| APT8024LLLG | - | ![]() | 2059 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | POWERMOS7® | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-264-3, TO-264AA | MOSFET (ossido di metallo) | TO-264 [L] | - | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | CanaleN | 800 V | 31A(Tc) | 10 V | 240 mOhm a 15,5 A, 10 V | 5 V a 2,5 mA | 160 nC a 10 V | ±30 V | 4670 pF a 25 V | - | 565 W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTX2N6802 | - | ![]() | 3743 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/557 | Massa | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-205AF Lattina di metallo | MOSFET (ossido di metallo) | TO-205AF (TO-39) | - | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | CanaleN | 500 V | 2,5 A (TC) | 10 V | 1,6 Ohm a 2,5 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 33 nC a 10 V | ±20 V | - | 800 mW (Ta), 25 W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | APT40M70JVFR | - | ![]() | 3255 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | POWER MOS V® | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | SOT-227-4, miniBLOC | MOSFET (ossido di metallo) | ISOTOP® | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | CanaleN | 400 V | 53A(Tc) | 10 V | 70 mOhm a 26,5 A, 10 V | 4 V a 2,5 mA | 495 nC a 10 V | ±30 V | 8890 pF a 25 V | - | 450 W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 62144 | - | ![]() | 7652 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | - | Non applicabile | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTXV2N7224 | - | ![]() | 2605 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/592 | Massa | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-254-3, TO-254AA (diritti conduttori) | MOSFET (ossido di metallo) | TO-254AA | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | CanaleN | 100 V | 34A(Tc) | 10 V | 81 mOhm a 34 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 125 nC a 10 V | ±20 V | - | 4 W (Ta), 150 W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGF25A120T1G | - | ![]() | 9431 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | - | Montaggio su telaio | SP1 | 208 W | Standard | SP1 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Mezzo ponte | TNP | 1200 V | 40A | 3,7 V a 15 V, 25 A | 250 µA | SÌ | 1,65 nF a 25 V | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTM100A23SCTG | - | ![]() | 7619 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | SP4 | APTM100 | Carburo di silicio (SiC) | 694W | SP4 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canali N (mezzo ponte) | 1000 V (1 kV) | 36A | 270 mOhm a 18 A, 10 V | 5 V a 5 mA | 308nC a 10V | 8700 pF a 25 V | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | UMIL3 | - | ![]() | 4147 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | 150°C (TJ) | Telaio, montaggio con perno | 55 piedi | 11 W | 55 piedi | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 11,8dB~13dB | 30 V | 700mA | NPN | 10 a 100 A, 5 V | 225 MHz~400 MHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3960UB | - | ![]() | 4947 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Montaggio superficiale | 3-SMD, senza piombo | 400 mW | UB | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 100 | 12 V | 10μA (ICBO) | NPN | 300 mV a 3 mA, 30 mA | 60 a 10 mA, 1 V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MS1076A | - | ![]() | 8116 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | - | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MS2575A | - | ![]() | 9629 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | - | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JAN2N6766T1 | - | ![]() | 2000 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/543 | Massa | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-254-3, TO-254AA (diritti conduttori) | MOSFET (ossido di metallo) | TO-254AA | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | CanaleN | 200 V | 30A (Tc) | 10 V | 90 mOhm a 30 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 115 nC a 10 V | ±20 V | - | 4 W (Ta), 150 W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | UTV8100B | - | ![]() | 8059 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | 200°C (TJ) | Montaggio su telaio | 55RT | 290 W | 55RT | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 8,5dB~9,5dB | 60 V | 15A | NPN | 20 a 1 A, 5 V | 470 MHz~860 MHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 64051 | - | ![]() | 9149 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | - | Non applicabile | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N7225 | - | ![]() | 7882 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-254-3, TO-254AA (diritti conduttori) | MOSFET (ossido di metallo) | TO-254AA | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | CanaleN | 200 V | 27,4 A(Tc) | 10 V | 100 mOhm a 17 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 115 nC a 10 V | ±20 V | - | 4 W (Ta), 150 W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2A8 | - | ![]() | 6714 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | 55UE | 5,3 W | 55UE | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 7dB~9dB | 21 V | 300mA | NPN | 20 a 100 mA, 5 V | 2GHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 70061A | - | ![]() | 3639 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | - | Non applicabile | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSC1175M | - | ![]() | 1033 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | 250°C (TJ) | Montaggio su telaio | M218 | 400 W | M218 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 8dB | 65 V | 12A | NPN | 15 a 1 A, 5 V | 1,025 GHz ~ 1,15 GHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N1016C | - | ![]() | 7822 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | -65°C ~ 150°C (TJ) | 2N1016 | 150 W | TO-82 | scaricamento | RoHS non conforme | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 150 V | 7,5 A | 1mA | NPN | 2,5 V a 1 A, 5 A | 10 a 5 A, 4 V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STN6005 | - | ![]() | 7499 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | * | Massa | Obsoleto | - | RoHS non conforme | Non applicabile | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF555 | - | ![]() | 3320 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | - | Montaggio superficiale | Macro di potenza | MRF555 | 3 W | Macro di potenza | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | 11dB~13dB | 16V | 500mA | NPN | 30 a 250 mA, 5 V | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MDS400 | - | ![]() | 3160 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | 200°C (TJ) | Montaggio su telaio | 55KT | 1450W | 55KT | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 6,5dB | 55 V | 40A | NPN | 10 a 1 A, 5 V | 1,03GHz~1,09GHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MS2284 | - | ![]() | 2388 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | - | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT35A120D1G | - | ![]() | 5031 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Interrotto alla SIC | - | Montaggio su telaio | D1 | 205 W | Standard | D1 | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Mezzo ponte | Sosta sul campo di trincea | 1200 V | 55A | 2,1 V a 15 V, 35 A | 5 mA | NO | 2,5 nF a 25 V | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 10A015 | - | ![]() | 8272 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | 200°C (TJ) | Montaggio a perno | 55 piedi | 6 W | 55 piedi | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 9dB~9,5dB | 24 V | 750mA | NPN | 20 a 100 mA, 5 V | 2,7GHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 40033 | - | ![]() | 7727 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | - | Non applicabile | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF559G | - | ![]() | 8209 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | - | Montaggio superficiale | Ceramica Micro-X (84C) | 2 W | Ceramica Micro-X (84C) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | 9,5dB | 16V | 150mA | NPN | 30 a 50 mA, 10 V | 870 MHz | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MS2341 | - | ![]() | 1716 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | 200°C (TJ) | Montaggio su telaio | M115 | 87,5 W | M115 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 9dB | 65 V | 2,6 A | NPN | - | 1,025 GHz ~ 1,15 GHz | - |

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