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Transistor(1315)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Ingresso	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Condizione di prova	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Corrente - Interruzione collettore (max)	Termistore NTC	Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Figura di rumore (dB tipo @ f)
SD1536-08	-	Richiesta di offerta	7496	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	200°C (TJ)	Montaggio su telaio	M105	SD1536			292 W		M105	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1				8,4dB												65 V	10A									NPN		5 a 100 mA, 5 V	1,025 GHz ~ 1,15 GHz	-
2N7225U	-	Richiesta di offerta	2166	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-267AB			MOSFET (ossido di metallo)			TO-267AB	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN			200 V	27,4 A(Tc)	10 V	100 mOhm a 17 A, 10 V	4 V a 250 µA	115 nC a 10 V	±20 V		-	4 W (Ta), 150 W (Tc)
MS2441	-	Richiesta di offerta	3373	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	200°C (TJ)	Montaggio su telaio	M112				1458 W		M112	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1				6,5dB												65 V	22A									NPN		5 a 250 mA, 5 V	1,025 GHz ~ 1,15 GHz	-
64030	-	Richiesta di offerta	7861	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto										-		Non applicabile		OBSOLETO	0000.00.0000	1
JAN2N4957UB	-	Richiesta di offerta	2690	Microsemi Corporation	-	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo	2N4957			200 mW		UB	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0095	1				25dB												30 V	30mA									PNP		30 a 5 mA, 10 V	-	3,5 dB a 450 MHz
APTM120SK56T1G	-	Richiesta di offerta	5832	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP1			MOSFET (ossido di metallo)			SP1	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN			1200 V	18A (Tc)	10 V	672 mOhm a 14 A, 10 V	5 V a 2,5 mA	300 nC a 10 V	±30 V	7736 pF a 25 V	-	390 W(Tc)
75060B	-	Richiesta di offerta	5377	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto										-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
APT11F80S	-	Richiesta di offerta	6544	Microsemi Corporation	POWERMOS8™	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-268-3, D³Pak (2 cavi + linguatta), TO-268AA	APT11F80		MOSFET (ossido di metallo)			D3Pak	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN			800 V	12A (Tc)	10 V	900 mOhm a 6 A, 10 V	5 V a 1 mA	80 nC a 10 V	±30 V	2471 pF a 25 V	-	337 W(Tc)
2N6790U	-	Richiesta di offerta	5573	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	18-CLCC			MOSFET (ossido di metallo)			18-ULCC (9,14x7,49)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0095	1		CanaleN			200 V	2,8 A(Tc)	10 V	800 mOhm a 2,25 A, 10 V	4 V a 250 µA	14,3 nC a 10 V	±20 V		-	800 mW(Tc)
75101H	-	Richiesta di offerta	4834	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto										-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
75102	-	Richiesta di offerta	9199	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto										-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
2315G	-	Richiesta di offerta	4841	Microsemi Corporation	*	Massa	Obsoleto										-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
APTML102UM09R004T3AG	-	Richiesta di offerta	8404	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP3	APTML102		MOSFET (ossido di metallo)	480W		SP3	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	2 canali N (doppio)				100 V	154A(Tc)		10 mOhm a 69,5 A, 10 V	4 V a 2,5 mA	-		9875 pF a 25 V	-
JAN2N6762	-	Richiesta di offerta	4932	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/542	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-204AA, TO-3			MOSFET (ossido di metallo)			TO-204AA (TO-3)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN			500 V	4,5 A(Tc)	10 V	1,8 Ohm a 4,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	40 nC a 10 V	±20 V		-	4 W (Ta), 75 W (Tc)
APTGT35DA120D1G	-	Richiesta di offerta	6218	Microsemi Corporation	-	Massa	Interrotto alla SIC	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	D1				205 W	Standard	D1	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Separare														Sosta sul campo di trincea	1200 V	55A		2,1 V a 15 V, 35 A				5 mA	NO	2,5 nF a 25 V
APT15GP90KG	-	Richiesta di offerta	1950	Microsemi Corporation	POWERMOS7®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	APT15GP90	Standard		250 W		TO-220 [K]	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	50			600 V, 15 A, 4,3 Ohm, 15 V												P.T	900 V	43A	60A	3,9 V a 15 V, 15 A	200μJ (spento)	60 nC	9ns/33ns
APTGL90SK120T1G	-	Richiesta di offerta	6207	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP1				385 W	Standard	SP1	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	Separare														Sosta sul campo di trincea	1200 V	110A		2,25 V a 15 V, 75 A				250 µA	SÌ	4,4 nF a 25 V
PP9348	-	Richiesta di offerta	9282	Microsemi Corporation	*	Massa	Obsoleto										-	RoHS non conforme	Non applicabile		OBSOLETO	0000.00.0000	1
APTGF30TL601G	-	Richiesta di offerta	6847	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-	Montaggio su telaio	SP1				140 W	Standard	SP1	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Invertitore a tre livelli														TNP	600 V	42A		2,45 V a 15 V, 30 A				250 µA	NO	1,35 nF a 25 V
APTC60DAM24T1G	-	Richiesta di offerta	4965	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP1			MOSFET (ossido di metallo)			SP1	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN			600 V	95A (Tc)	10 V	24 mOhm a 47,5 A, 10 V	3,9 V a 5 mA	300 nC a 10 V	±20 V	14.400 pF a 25 V	-	462 W(Tc)
MRF581G	-	Richiesta di offerta	1701	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Ceramica Micro-X (84C)	MRF581			1,25 W		Ceramica Micro-X (84C)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	500				13dB~15,5dB												18 V	200mA									NPN		50 a 50 mA, 5 V	5GHz	3 dB ~ 3,5 dB a 500 MHz
2N1016D	-	Richiesta di offerta	5233	Microsemi Corporation	-	Massa	Attivo	-65°C ~ 150°C (TJ)			2N1016			150 W		TO-82	scaricamento	RoHS non conforme		REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1																200 V	7,5 A						1mA			NPN	2,5 V a 1 A, 5 A	6 a 7,5 A, 4 V	-
APT5012JN	-	Richiesta di offerta	2325	Microsemi Corporation	POWER MOS IV®	Vassoio	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SOT-227-4, miniBLOC			MOSFET (ossido di metallo)			ISOTOP®	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN			500 V	43A(Tc)	10 V	120 mOhm a 21,5 A, 10 V	4 V a 2,5 mA	370 nC a 10 V	±30 V	6500 pF a 25 V	-	520 W(Tc)
68231H	-	Richiesta di offerta	7101	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto										-		Non applicabile		OBSOLETO	0000.00.0000	1
APTGT100DA170D1G	-	Richiesta di offerta	5133	Microsemi Corporation	-	Massa	Interrotto alla SIC	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	D1				695 W	Standard	D1	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Separare														Sosta sul campo di trincea	1700 V	200A		2,4 V a 15 V, 100 A				3 mA	NO	8,5 nF a 25 V
APTGT150DA120D1G	-	Richiesta di offerta	9152	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-	Montaggio su telaio	D1				700 W	Standard	D1	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	Separare														Sosta sul campo di trincea	1200 V	220A		2,1 V a 15 V, 150 A				4 mA	NO	10,8 nF a 25 V
75096A	-	Richiesta di offerta	2812	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto										-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
2N7225	-	Richiesta di offerta	7882	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-254-3, TO-254AA (diritti conduttori)			MOSFET (ossido di metallo)			TO-254AA	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN			200 V	27,4 A(Tc)	10 V	100 mOhm a 17 A, 10 V	4 V a 250 µA	115 nC a 10 V	±20 V		-	4 W (Ta), 150 W (Tc)
JAN2N6766T1	-	Richiesta di offerta	2000	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/543	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-254-3, TO-254AA (diritti conduttori)			MOSFET (ossido di metallo)			TO-254AA	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN			200 V	30A (Tc)	10 V	90 mOhm a 30 A, 10 V	4 V a 250 µA	115 nC a 10 V	±20 V		-	4 W (Ta), 150 W (Tc)
64051	-	Richiesta di offerta	9149	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto										-		Non applicabile		OBSOLETO	0000.00.0000	1