Richiesta di offerta
Distinta base
Contattaci

Tel: +86-0755-83501315

E-mail:sales@sic-components.com

Registrazione

Italiano

Transistor(1315)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Ingresso	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Condizione di prova	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Figura di rumore	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Corrente - Interruzione collettore (max)	Termistore NTC	Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	Tipo di transistor	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Figura di rumore (dB tipo @ f)
MRF559GT	-	Richiesta di offerta	3402	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-	-	-					2 W		-	-		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0075	1.000						9,5dB													16V	150mA									NPN	30 a 50 mA, 10 V	870 MHz	-
APT15GP60KG	-	Richiesta di offerta	3847	Microsemi Corporation	POWERMOS7®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	APT15GP60	Standard			250 W		TO-220 [K]	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	50				400 V, 15 A, 5 Ohm, 15 V														P.T	600 V	56A	65A	2,7 V a 15 V, 15 A	130μJ (acceso), 121μJ (spento)	55 nC	8ns/29ns
MS1014	-	Richiesta di offerta	4540	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto											-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
APTGF30A60T1G	-	Richiesta di offerta	2272	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-	Montaggio su telaio	SP1					140 W	Standard	SP1	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Mezzo ponte																	TNP	600 V	42A		2,45 V a 15 V, 30 A				250 µA	SÌ	1,35 nF a 25 V
JAN2N7334	-	Richiesta di offerta	7192	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/597	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	14 DIP (0,300", 7,62 mm)	2N733			MOSFET (ossido di metallo)	1,4 W		MO-036AB	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	4 canali N						100 V	1A		700 mOhm a 600 mA, 10 V	4 V a 250 µA	60nC a 10V		-	-
APTGF90SK60TG	-	Richiesta di offerta	9341	Microsemi Corporation	-	Massa	Interrotto alla SIC	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP4					416 W	Standard	SP4	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Separare																	TNP	600 V	110A		2,5 V a 15 V, 90 A				250 µA	SÌ	4,3 nF a 25 V
APT80SM120S	-	Richiesta di offerta	4284	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB				SiCFET (carburo di silicio)			D3Pak	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN					1200 V	80A (Tc)	20 V	55 mOhm a 40 A, 20 V	2,5 V a 1 mA	235 nC a 20 V	+25 V, -10 V		-	625 W(Tc)
APT50GF60JCU2	-	Richiesta di offerta	4817	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Telaio, montaggio con perno	SOT-227-4, miniBLOC					277 W	Standard	SOT-227	-		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Separare																	TNP	600 V	70A		2,45 V a 15 V, 50 A				250 µA	NO	2,2 nF a 25 V
1214-30	-	Richiesta di offerta	5303	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	200°C (TJ)	Montaggio su telaio	55AW					88 W		55AW	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1						7dB													50 V	4A									NPN	20 a 500 mA, 5 V	1,2GHz~1,4GHz	-
APTM50DHM35G	-	Richiesta di offerta	4534	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP6	APTM50			MOSFET (ossido di metallo)	781W		SP6	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	2 canali N (doppio) asimmetrico						500 V	99A		39 mOhm a 49,5 A, 10 V	5 V a 5 mA	280nC a 10V		14.000 pF a 25 V	-
1517-110M	-	Richiesta di offerta	2881	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-	Montaggio su telaio	55AW-1					350 W		55AW-1	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1						7,3dB~8,6dB													70 V	9A									NPN	20 a 1 A, 5 V	1,48GHz~1,65GHz	-
MS1336	-	Richiesta di offerta	6180	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	200°C (TJ)	Telaio, montaggio con perno	M135					70 W		M135	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1						10dB													18 V	8A									NPN	20 a 250 mA, 5 V	175 MHz	-
MS2209	-	Richiesta di offerta	9367	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	200°C (TJ)	Montaggio su telaio	M218					220 W		M218	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1						8,4dB													65 V	7A									NPN	20 a 2 A, 5 V	225 MHz	-
MRF5812MR1	-	Richiesta di offerta	1433	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto											-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
JAN2N7227U	-	Richiesta di offerta	4202	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/592	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-267AB				MOSFET (ossido di metallo)			TO-267AB	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN					400 V	14A (Tc)	10 V	415 mOhm a 14 A, 10 V	4 V a 250 µA	110 nC a 10 V	±20 V		-	4 W (Ta), 150 W (Tc)
APTGF50TA120PG	-	Richiesta di offerta	3607	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-	Montaggio su telaio	SP6					312 W	Standard	SP6-P	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Tre fasi																	TNP	1200 V	75A		3,7 V a 15 V, 50 A				250 µA	NO	3,45 nF a 25 V
APTGL60DH120T3G	-	Richiesta di offerta	1825	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP3					280 W	Standard	SP3	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	Ponte asimmetrico																	Sosta sul campo di trincea	1200 V	80A		2,25 V a 15 V, 50 A				250 µA	SÌ	2,77 nF a 25 V
ARF444	-	Richiesta di offerta	3686	Microsemi Corporation	-	Tubo	Obsoleto			-			-	-			-	-	RoHS non conforme	1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1	-		-		-	-											-
JANTXV2N7335	-	Richiesta di offerta	8926	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/599	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	14 DIP (0,300", 7,62 mm)	2N733			MOSFET (ossido di metallo)	1,4 W		MO-036AB	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	4 canali P						100 V	750mA		1,4 Ohm a 500 mA, 10 V	4 V a 250 µA	-		-	-
2N6849U	-	Richiesta di offerta	9099	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	18-CLCC				MOSFET (ossido di metallo)			18-ULCC (9,14x7,49)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		Canale P					100 V	6,5 A(Tc)	10 V	300 mOhm a 4,1 A, 10 V	4 V a 250 µA	34,8 nC a 10 V	±20 V		-	800 mW (Ta), 25 W (Tc)
APTM20DUM05TG	-	Richiesta di offerta	9604	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP4	APTM20			MOSFET (ossido di metallo)	1250 W		SP4	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	2 canali N (doppio)						200 V	333A		5 mOhm a 166,5 A, 10 V	4 V a 8 mA	1184nC a 10 V		40800 pF a 25 V	-
23A025	-	Richiesta di offerta	9756	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	200°C (TJ)	Montaggio su telaio	55BT					9 W		55BT	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1						6dB~6,3dB													22V	1,2A									NPN	20 a 420 mA, 5 V	3,7GHz	-
2N5091	19.0722	Richiesta di offerta	8472	Microsemi Corporation	*	Massa	Attivo											-	RoHS non conforme		REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1
APTGF75SK60D1G	-	Richiesta di offerta	6033	Microsemi Corporation	-	Massa	Interrotto alla SIC	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	D1					355 W	Standard	D1	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Separare																	TNP	600 V	100A		2,45 V a 15 V, 75 A				500 µA	NO	3,3 nF a 25 V
JANSR2N7380	-	Richiesta di offerta	9108	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/614	Vassoio	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-257-3				MOSFET (ossido di metallo)			TO-257	scaricamento		Non applicabile		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN					100 V	14,4 A(Tc)	12V	200 mOhm a 14,4 A, 12 V	4 V a 1 mA	40 nC a 12 V	±20 V		-	2 W (Ta), 75 W (Tc)
JAN2N5013S	-	Richiesta di offerta	6480	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/727	Massa	Obsoleto	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo					1 W		TO-39 (TO-205AD)	-	RoHS non conforme	Non applicabile		EAR99	8541.29.0095	1																			800 V	200 mA						10nA (ICBO)			NPN	30 a 20 mA, 10 V	-
APTGF90DA60TG	-	Richiesta di offerta	8081	Microsemi Corporation	-	Massa	Interrotto alla SIC	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP4					416 W	Standard	SP4	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Separare																	TNP	600 V	110A		2,5 V a 15 V, 90 A				250 µA	SÌ	4,3 nF a 25 V
JAN2N7228U	-	Richiesta di offerta	8973	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/592	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-267AB				MOSFET (ossido di metallo)			TO-267AB	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN					500 V	12A (Tc)	10 V	515 mOhm a 12 A, 10 V	4 V a 250 µA	120 nC a 10 V	±20 V		-	4 W (Ta), 150 W (Tc)
64042	-	Richiesta di offerta	1124	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto											-		Non applicabile		OBSOLETO	0000.00.0000	1
1000MP	-	Richiesta di offerta	5789	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-	Montaggio su telaio	55FW					5,3 W		55FW	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1						10,8dB													-	300mA									NPN	15 a 100 mA, 5 V	1,15GHz	-