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Transistor(1315)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Corrente - Prova	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Figura di rumore	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Tensione - Prova	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Figura di rumore (dB tipo @ f)
1214-32L	-	Richiesta di offerta	6455	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		200°C (TJ)	Montaggio su telaio	55AW-1				125 W	55AW-1	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1						7,8dB~8,9dB												50 V	5A			NPN		20 a 1 A, 5 V	1,2GHz~1,4GHz	-
MS2553C	-	Richiesta di offerta	9328	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		200°C (TJ)	Montaggio su telaio	M220				175 W	M220	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1						10,5dB												25 V	4A			NPN		20 a 500 mA, 5 V	1,025 GHz ~ 1,15 GHz	-
60206	-	Richiesta di offerta	7497	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto										-		Non applicabile		OBSOLETO	0000.00.0000	1
JANTX2N7236U	-	Richiesta di offerta	4385	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/595	Massa	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-267AB			MOSFET (ossido di metallo)		TO-267AB	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		Canale P					100 V	18A (Tc)	10 V	220 mOhm a 18 A, 10 V	4 V a 250 µA	60 nC a 10 V	±20 V		-	4 W (Ta), 125 W (Tc)
APT20N60SC3G	-	Richiesta di offerta	3080	Microsemi Corporation	CoolMOS™	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-268-3, D³Pak (2 cavi + linguatta), TO-268AA			MOSFET (ossido di metallo)		D3Pak	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN					600 V	20,7 A(Tc)	10 V	190 mOhm a 13,1 A, 10 V	3,9 V a 1 mA	114 nC a 10 V	±20 V	2440 pF a 25 V	-	208 W(Tc)
MS2552	-	Richiesta di offerta	5724	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		250°C (TJ)	Montaggio su telaio	2NLFL				880W	2NLFL	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	OBSOLETO	0000.00.0000	1						6,7dB												65 V	24A			NPN		15 a 1 A, 5 V	1,025 GHz ~ 1,15 GHz	-
2N3811	-	Richiesta di offerta	4600	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-78-6 Lattina di metallo	2N380			350 mW	TO-78-6	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0095	1																		60 V	50mA		10μA (ICBO)	2 PNP (doppio)	250 mV a 100 µA, 1 mA	300 a 1 mA, 5 V	-
2N5093	-	Richiesta di offerta	6197	Microsemi Corporation	*	Massa	Attivo					2N5093					-	RoHS non conforme		REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1
APTM10TDUM19PG	-	Richiesta di offerta	9406	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP6	APTM10		MOSFET (ossido di metallo)	208 W	SP6-P	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	6 canali N (ponte trifase)						100 V	70A		21 mOhm a 35 A, 10 V	4 V a 1 mA	200 nC a 10 V		5100 pF a 25 V	-
APTM120H57FTG	-	Richiesta di offerta	9972	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP4	APTM120		MOSFET (ossido di metallo)	390 W	SP4	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	4 canali N (mezzo ponte)						1200 V (1,2 kV)	17A		684 mOhm a 8,5 A, 10 V	5 V a 2,5 mA	187nC a 10 V		5155pF a 25V	-
MRF8372R2	-	Richiesta di offerta	6919	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)				2,2 W	8-SO	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0075	2.500						8dB~9,5dB												16V	200mA			NPN		30 a 50 mA, 5 V	870 MHz	-
MSC1015M	-	Richiesta di offerta	3681	Microsemi Corporation	*	Massa	Obsoleto										-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
APTM120DU29TG	-	Richiesta di offerta	6384	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP4	APTM120		MOSFET (ossido di metallo)	780W	SP4	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	2 canali N (doppio)						1200 V (1,2 kV)	34A		348 mOhm a 17 A, 10 V	5 V a 5 mA	374nC a 10 V		10.300 pF a 25 V	-
0204-125	-	Richiesta di offerta	8875	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		200°C (TJ)	Montaggio su telaio	55JT				270 W	55JT	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1						7dB~8,5dB												60 V	16A			NPN		20 a 1 A, 5 V	225 MHz~400 MHz	-
APT70SM70J	-	Richiesta di offerta	5853	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio su telaio	SOT-227-4, miniBLOC			SiCFET (carburo di silicio)		SOT-227	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN					700 V	49A(Tc)	20 V	70 mOhm a 32,5 A, 20 V	2,5 V a 1 mA	125 nC a 20 V	+25 V, -10 V		-	165 W(Tc)
APT5518BFLLG	-	Richiesta di offerta	7059	Microsemi Corporation	POWERMOS7®	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-247-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN					550 V	31A(Tc)	10 V	180 mOhm a 15,5 A, 10 V	5 V a 1 mA	67 nC a 10 V	±30 V	3286 pF a 25 V	-	403 W(Tc)
JANTXV2N2221A	9.7489	Richiesta di offerta	3854	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/255	Massa	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-206AA, TO-18-3 Contenitore in metallo	2N2221			500 mW	TO-18 (TO-206AA)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0095	1																		50 V	800 mA		50nA	NPN	1 V a 50 mA, 500 mA	40 a 150 mA, 10 V	-
MS2204	-	Richiesta di offerta	6641	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		200°C (TJ)	Montaggio su telaio	M115				600 mW	M115	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0075	1						10,8dB												20 V	300mA			NPN		15 a 100 mA, 5 V	1,09GHz	-
JANTXV2N5015	-	Richiesta di offerta	5948	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/727	Massa	Obsoleto		-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo				1 W	TO-5	-	RoHS non conforme	Non applicabile		EAR99	8541.29.0095	1																		1000 V	200 mA		10nA (ICBO)	NPN		30 a 20 mA, 10 V	-
APT34F60BG	-	Richiesta di offerta	9484	Microsemi Corporation	POWERMOS8™	Tubo	Interrotto alla SIC		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-247-3	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN					600 V	34A(Tc)	10 V	210 mOhm a 17 A, 10 V	5 V a 1 mA	165 nC a 10 V	±30 V	6640 pF a 25 V	-	624 W(Tc)
SD1013-20H	-	Richiesta di offerta	4733	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto										-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
APTM120A65FT1G	-	Richiesta di offerta	8074	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP1	APTM120		MOSFET (ossido di metallo)	390 W	SP1	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	2 canali N (mezzo ponte)						1200 V (1,2 kV)	16A		780 mOhm a 14 A, 10 V	5 V a 2,5 mA	300 nC a 10 V		7736pF a 25V	-
ARF441	-	Richiesta di offerta	5487	Microsemi Corporation	-	Tubo	Obsoleto	150 V			-		13,56 MHz	MOSFET		-	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1	CanaleN		11A	200 mA	125 W	21dB											-			50 V
MRF559T	-	Richiesta di offerta	2339	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		-	-	-				2 W	-	-		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0075	1.000						9,5dB												16V	150mA			NPN		30 a 50 mA, 10 V	870 MHz	-
APTM120SK68T1G	-	Richiesta di offerta	7952	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP1			MOSFET (ossido di metallo)		SP1	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN					1200 V	15A (Tc)	10 V	816 mOhm a 12 A, 10 V	5 V a 2,5 mA	260 nC a 10 V	±30 V	6696 pF a 25 V	-	357 W(Tc)