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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Tecnologia | Potenza: max | Ingresso | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Tipo FET | Condizione di prova | Guadagno | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Tipo IGBT | Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | Corrente - Collettore (Ic) (Max) | Corrente - Collettore pulsato (Icm) | Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic | Cambiare energia | Carica di cancello | Td (acceso/spento) @ 25°C | Corrente - Interruzione collettore (max) | Termistore NTC | Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | Tipo di transistor | Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic | Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequenza - Transizione | Figura di rumore (dB tipo @ f) | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|  | BFR92ALT1 | - |  | 3762 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | 150°C | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 273 mW | SOT-23 | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | - | 15 V | 25 mA | - | 40 a 14 mA, 10 V | 4,5GHz | 3 dB a 500 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
|  | 2225-4L | - |  | 5353 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | 200°C (TJ) | Montaggio su telaio | 55LV | 10 W | 55LV | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 8,5dB | 40 V | 600mA | NPN | 20 a 200 mA, 5 V | 2,2GHz~2,5GHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||
|  | 68201A | - |  | 4964 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | - | Non applicabile | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | SD1224-02 | - |  | 6463 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | 200°C (TJ) | Montaggio su telaio | M113 | SD122 | 60 W | M113 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 7,6dB | 35 V | 5A | NPN | 20 a 500 mA, 5 V | 175 MHz | - | ||||||||||||||||||||||||||||
|  | 46007T | - |  | 9262 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | - | Non applicabile | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | MRF555GT | - |  | 9515 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | - | 3 W | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 12,5dB | 16V | 500mA | NPN | 50 a 100 mA, 5 V | 470 MHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTXV2N5012S | - |  | 6078 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/727 | Massa | Obsoleto | -65°C ~ 200°C (TJ) | Foro passante | TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo | 1 W | TO-39 (TO-205AD) | - | RoHS non conforme | Non applicabile | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 700 V | 200 mA | 10nA (ICBO) | NPN | 30 a 25 mA, 10 V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
|  | 2N6251T1 | - |  | 4147 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | -65°C ~ 200°C | Foro passante | TO-254-3, TO-254AA | 2N6251 | 6 W | TO-254AA | scaricamento | RoHS non conforme | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 350 V | 10A | 1mA | NPN | 1,5 V a 1,67 A, 10 A | 6 a 10 A, 3 V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
|  | MSC1350M | - |  | 6677 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | 200°C (TJ) | Montaggio su telaio | M218 | 720 W | M218 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 7dB~7,1dB | 65 V | 19,8A | NPN | 15 a 1 A, 5 V | 1,025 GHz ~ 1,15 GHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||
|  | MS1087T | - |  | 4002 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | - | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | JAN2N6250T1 | - |  | 8576 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/510 | Massa | Attivo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Foro passante | TO-254-3, TO-254AA (cavi diritti) | 2N6250 | 6 W | TO-254AA | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 275 V | 10A | 1mA | NPN | 1,5 V a 1,25 A, 10 A | 8 a 10 A, 3 V | - | |||||||||||||||||||||||||||
|  | MS1801 | - |  | 5577 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | - | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | APTGT75DA170T1G | - |  | 8674 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | SP1 | 465 W | Standard | SP1 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Separare | Sosta sul campo di trincea | 1700 V | 130A | 2,4 V a 15 V, 75 A | 250 µA | SÌ | 6,8 nF a 25 V | |||||||||||||||||||||||||||
|  | MS2587 | - |  | 9308 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | - | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | APTGF350SK60G | - |  | 2234 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | - | Montaggio su telaio | SP6 | 1562 W | Standard | SP6 | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Separare | TNP | 600 V | 430 A | 2,5 V a 15 V, 360 A | 200 µA | NO | 17,2 nF a 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||
|  | 1214-370M | - |  | 8618 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | 200°C (TJ) | Montaggio su telaio | 55ST | 600 W | 55ST | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 8,7dB~9dB | 75 V | 25A | NPN | 10 a 5 A, 5 V | 1,2GHz~1,4GHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||
|  | APT20GF120BRG | - |  | 9712 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-247-3 | APT20GF120 | Standard | 200 W | TO-247 [B] | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | - | TNP | 1200 V | 32A | 64A | 3,2 V a 15 V, 15 A | 2,7 milioni di J | 95 nC | 17ns/105ns | |||||||||||||||||||||||||
|  | APTML502UM90R020T3AG | - |  | 9261 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | SP3 | APTML502 | MOSFET (ossido di metallo) | 568 W | SP3 | - | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canali N (doppio) | 500 V | 52A | 108 mOhm a 26 A, 10 V | 4 V a 2,5 mA | - | 7600 pF a 25 V | - | ||||||||||||||||||||||||||
|  | APT7F80K | - |  | 7719 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | POWERMOS8™ | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-220 [K] | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | CanaleN | 800 V | 7A(Tc) | 10 V | 1,5 Ohm a 4 A, 10 V | 5 V a 500 µA | 43 nC a 10 V | ±30 V | 1335 pF a 25 V | - | 225 W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||
|  | 2N5578 | - |  | 7202 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Interrotto alla SIC | - | - | - | - | - | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
|  | 2N3251AUB | - |  | 7429 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | -65°C ~ 200°C (TJ) | Montaggio superficiale | 3-SMD, senza piombo | 2N3251 | 360 mW | UB | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 V | 200 mA | 10 µA (ICBO) | PNP | 500mV a 5mA, 50mA | 100 a 10 mA, 1 V | - | |||||||||||||||||||||||||||
|  | MS2210A | - |  | 4140 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | - | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | APTGT75A170D1G | - |  | 4082 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | - | Montaggio su telaio | D1 | 520 W | Standard | D1 | - | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Mezzo ponte | Sosta sul campo di trincea | 1700 V | 120A | 2,4 V a 15 V, 75 A | 5 mA | NO | 6,5 nF a 25 V | |||||||||||||||||||||||||||
|  | APTGF165DA60D1G | - |  | 3191 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | - | Montaggio su telaio | D1 | 730 W | Standard | D1 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Separare | TNP | 600 V | 230A | 2,5 V a 15 V, 200 A | 500 µA | NO | 9 nF a 25 V | |||||||||||||||||||||||||||
|  | 2N5097 | - |  | 7947 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | - | Foro passante | TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo | 4 W | TO-5 | - | RoHS non conforme | Non applicabile | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 600 V | 1A | - | NPN | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||
|  | MS2472 | - |  | 4268 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | 200°C (TJ) | Montaggio su telaio | M112 | 1350 W | M112 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 5,6dB | 65 V | 40A | NPN | 5 a 250 mA, 5 V | 1,025 GHz ~ 1,15 GHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||
|  | 2224-6L | - |  | 9447 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | 200°C (TJ) | Montaggio su telaio | 55LV | 22 W | 55LV | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 7dB | 40 V | 1,25 A | NPN | 20 a 1 A, 5 V | 2,2GHz~2,4GHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||
|  | 2A5 | - |  | 5393 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | 200°C (TJ) | Montaggio a perno | 55ET | 5,3 W | 55ET | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 7dB~9dB | 22V | 3mA | NPN | 20 a 100 mA, 5 V | 3,4GHz~3,7GHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||
|  | APT8075BN | - |  | 6466 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | POWER MOS IV® | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-247-3 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-247 d.C | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | CanaleN | 800 V | 13A(Tc) | 10 V | 750 mOhm a 6,5 A, 10 V | 4 V a 1 mA | 130 nC a 10 V | ±30 V | 2950 pF a 25 V | - | 310 W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||
|  | MS2216H | - |  | 1574 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | * | Massa | Obsoleto | - | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | 

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