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Transistor(1315)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Ingresso	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Corrente - Interruzione collettore (max)	Termistore NTC	Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Figura di rumore (dB tipo @ f)
APTGT50TA170PG	-	Richiesta di offerta	1668	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP6			310 W	Standard	SP6-P	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	Tre fasi													Sosta sul campo di trincea	1700 V	70A	2,4 V a 15 V, 50 A	250 µA	NO	4,4 nF a 25 V
APTGT50DSK120T3G	-	Richiesta di offerta	8065	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP3			270 W	Standard	SP3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	Doppio elicottero Buck													Sosta sul campo di trincea	1200 V	75A	2,1 V a 15 V, 50 A	250 µA	SÌ	3,6 nF a 25 V
10502	-	Richiesta di offerta	8861	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	230°C (TJ)	Montaggio su telaio	55SM			1458 W		55SM	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1			8,5dB												65 V	40A					NPN		20 a 5 A, 5 V	-	-
APTM120DA68T1G	-	Richiesta di offerta	3214	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP1		MOSFET (ossido di metallo)			SP1	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		1200 V	15A (Tc)	10 V	816 mOhm a 12 A, 10 V	5 V a 2,5 mA	260 nC a 10 V	±30 V	6696 pF a 25 V	-	357 W(Tc)
SD1853-02H	-	Richiesta di offerta	3821	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto									-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
APTGT75SK120T1G	-	Richiesta di offerta	3648	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP1			357 W	Standard	SP1	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	Separare													Sosta sul campo di trincea	1200 V	110A	2,1 V a 15 V, 75 A	250 µA	SÌ	5,34 nF a 25 V
APT6017B2LLG	-	Richiesta di offerta	3534	Microsemi Corporation	POWERMOS7®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	Variante TO-247-3		MOSFET (ossido di metallo)			T-MAX™ [B2]	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN		600 V	35A (Tc)	10 V	170 mOhm a 17,5 A, 10 V	5 V a 2,5 mA	100 nC a 10 V	±30 V	4500 pF a 25 V	-	500 W(Tc)
UTV010	-	Richiesta di offerta	4219	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	200°C (TJ)	Telaio, montaggio con perno	55 piedi			15 W		55 piedi	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	OBSOLETO	0000.00.0000	1			11,5dB												24 V	1,25 A					NPN		15 a 200 mA, 5 V	470 MHz~860 MHz	-
APTM100A40FT1G	-	Richiesta di offerta	2624	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP1	APTM100	MOSFET (ossido di metallo)	390 W		SP1	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	2 canali N (mezzo ponte)			1000 V (1 kV)	21A		480 mOhm a 18 A, 10 V	5 V a 2,5 mA	305nC a 10 V		7868pF a 25V	-
JANTXV2N6766	-	Richiesta di offerta	6051	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/543	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-204AE		MOSFET (ossido di metallo)			TO-3	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		200 V	30A (Tc)	10 V	90 mOhm a 30 A, 10 V	4 V a 250 µA	115 nC a 10 V	±20 V		-	4 W (Ta), 150 W (Tc)
MS2502A	-	Richiesta di offerta	9925	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto									-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
MSC86580	-	Richiesta di offerta	2127	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto									-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
SD1309-01H	-	Richiesta di offerta	5726	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto									-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
SD1536-03	-	Richiesta di offerta	3708	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	200°C (TJ)	Montaggio su telaio	M115	SD1536		292 W		M115	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	OBSOLETO	0000.00.0000	1			8,4dB												65 V	10A					NPN		5 a 100 mA, 5 V	1,025 GHz ~ 1,15 GHz	-
APT15F50K	-	Richiesta di offerta	2463	Microsemi Corporation	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3		MOSFET (ossido di metallo)			TO-220 [K]	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN		500 V	15A (Tc)		390 mOhm a 7 A, 10 V	5 V a 500 µA	55 nC a 10 V		2250 pF a 25 V	-	223 W(Tc)
MRF8372MR1	-	Richiesta di offerta	6714	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto									-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
JANTXV2N6758	-	Richiesta di offerta	4361	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/542	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-204AA, TO-3		MOSFET (ossido di metallo)			TO-204AA (TO-3)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		200 V	9A (Tc)	10 V	490 mOhm a 9 A, 10 V	4 V a 250 µA	39 nC a 10 V	±20 V		-	4 W (Ta), 75 W (Tc)
APTML60U12R020T1AG	-	Richiesta di offerta	9180	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP1		MOSFET (ossido di metallo)			SP1	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		600 V	45A (Tc)	10 V	150 mOhm a 22,5 A, 10 V	4 V a 2,5 mA		±30 V	7600 pF a 25 V	-	568 W(Tc)
APTGF50A120TG	-	Richiesta di offerta	5735	Microsemi Corporation	-	Massa	Interrotto alla SIC	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP4			312 W	Standard	SP4	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Mezzo ponte													TNP	1200 V	75A	3,7 V a 15 V, 50 A	250 µA	SÌ	3,45 nF a 25 V
JAN2N1016D	-	Richiesta di offerta	2325	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/102	Massa	Attivo	-65°C ~ 150°C (TJ)			2N1016		150 W		TO-82	-	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1															200 V	7,5 A		1mA			NPN	2,5 V a 1 A, 5 A	6 a 7,5 A, 4 V	-
APTSM120AM25CT3AG	-	Richiesta di offerta	6362	Microsemi Corporation	-	Massa	Attivo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP3	APTSM120	Carburo di silicio (SiC)	937W		SP3	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	2 canali N (doppio), Schottky			1200 V (1,2 kV)	148A(Tc)		25 mOhm a 80 A, 20 V	3 V a 4 mA	544nC a 20 V		10200 pF a 1000 V	-
APTGT20DSK60T3G	-	Richiesta di offerta	3148	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP3			62 W	Standard	SP3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	Doppio elicottero Buck													Sosta sul campo di trincea	600 V	32A	1,9 V a 15 V, 20 A	250 µA	SÌ	1,1 nF a 25 V
JAN2N7227	-	Richiesta di offerta	7593	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/592	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-254-3, TO-254AA (cavi diritti)		MOSFET (ossido di metallo)			TO-254AA	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		400 V	14A (Tc)	10 V	415 mOhm a 14 A, 10 V	4 V a 250 µA	110 nC a 10 V	±20 V		-	4 W (Ta), 150 W (Tc)
APTM50DHM65T3G	-	Richiesta di offerta	9594	Microsemi Corporation	POWERMOS8™	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP3	APTM50	MOSFET (ossido di metallo)	390 W		SP3	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	2 canali N (doppio) asimmetrico			500 V	51A		78 mOhm a 42 A, 10 V	5 V a 2,5 mA	340 nC a 10 V		10800 pF a 25 V	-
1015MP	-	Richiesta di offerta	3548	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	200°C (TJ)	Montaggio su telaio	55FW			50 W		55FW	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1			10dB~11dB												65 V	1A					NPN		20 a 100 mA, 5 V	1,025 GHz ~ 1,15 GHz	-
MS1512	-	Richiesta di offerta	9928	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	200°C (TJ)	Telaio, montaggio con perno	M122			19,4 W		M122	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1			10dB												25 V	1,2A					NPN		-	860 MHz	-
JANTXV2N7228U	-	Richiesta di offerta	6190	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/592	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-267AB		MOSFET (ossido di metallo)			TO-267AB	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		500 V	12A (Tc)	10 V	515 mOhm a 12 A, 10 V	4 V a 250 µA	120 nC a 10 V	±20 V		-	4 W (Ta), 150 W (Tc)
JAN2N6764T1	-	Richiesta di offerta	2286	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/543	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-254-3, TO-254AA (cavi diritti)		MOSFET (ossido di metallo)			TO-254AA	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		100 V	38A(Tc)	10 V	65 mOhm a 38 A, 10 V	4 V a 250 µA	125 nC a 10 V	±20 V		-	4 W (Ta), 150 W (Tc)
APT31N80JC3	-	Richiesta di offerta	3316	Microsemi Corporation	CoolMOS™	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SOT-227-4, miniBLOC		MOSFET (ossido di metallo)			ISOTOP®	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	10		CanaleN		800 V	31A(Tc)	10 V	145 mOhm a 22 A, 10 V	3,9 V a 2 mA	355 nC a 10 V	±20 V	4510 pF a 25 V	-	833 W(Tc)
APTGF50DH60TG	-	Richiesta di offerta	7642	Microsemi Corporation	-	Massa	Interrotto alla SIC	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP4			250 W	Standard	SP4	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Ponte asimmetrico													TNP	600 V	65A	2,45 V a 15 V, 50 A	250 µA	SÌ	2,2 nF a 25 V