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Transistor(1315)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Ingresso	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Condizione di prova	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Corrente - Interruzione collettore (max)	Termistore NTC	Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	Tipo di transistor	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Figura di rumore (dB tipo @ f)
APTM100H80FT1G	-	Richiesta di offerta	9861	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP1	APTM100		MOSFET (ossido di metallo)	208 W		SP1	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	4 canali N (mezzo ponte)				1000 V (1 kV)	11A		960 mOhm a 9 A, 10 V	5 V a 1 mA	150 nC a 10 V		3876pF a 25V	-
APT50GS60BRDLG	-	Richiesta di offerta	1328	Microsemi Corporation	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	APT50GS60	Standard		415 W		TO-247	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1			400 V, 50 A, 4,7 Ohm, 15 V												TNP	600 V	93A	195A	3,15 V a 15 V, 50 A	755μJ (spento)	235 nC	16ns/225ns
APTGT50DA170D1G	-	Richiesta di offerta	7140	Microsemi Corporation	-	Massa	Interrotto alla SIC	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	D1				310 W	Standard	D1	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Separare														Sosta sul campo di trincea	1700 V	70A		2,4 V a 15 V, 50 A				6 mA	NO	4,4 nF a 25 V
MS2200A	-	Richiesta di offerta	6040	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto										-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
APTGF350DU60G	-	Richiesta di offerta	9252	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-	Montaggio su telaio	SP6				1562 W	Standard	SP6	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Doppia fonte comune														TNP	600 V	430 A		2,5 V a 15 V, 360 A				200 µA	NO	17,2 nF a 25 V
TAN150A	-	Richiesta di offerta	5032	Microsemi Corporation	*	Massa	Obsoleto										-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
JANTXV2N6784U	-	Richiesta di offerta	8949	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/556	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	18-CLCC			MOSFET (ossido di metallo)			18-ULCC (9,14x7,49)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN			200 V	2,25 A(Tc)	10 V	1,6 Ohm a 2,25 A, 10 V	4 V a 250 µA	8,6 nC a 10 V	±20 V		-	800 mW (Ta), 15 W (Tc)
JANSR2N7381	-	Richiesta di offerta	6692	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/614	Vassoio	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-257-3			MOSFET (ossido di metallo)			TO-257	scaricamento		Non applicabile		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN			200 V	9,4 A(Tc)	12V	490 mOhm a 9,4 A, 12 V	4 V a 1 mA	50 nC a 12 V	±20 V		-	2 W (Ta), 75 W (Tc)
APT80SM120J	-	Richiesta di offerta	1845	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio su telaio	SOT-227-4, miniBLOC			SiCFET (carburo di silicio)			SOT-227	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN			1200 V	51A(Tc)	20 V	55 mOhm a 40 A, 20 V	2,5 V a 1 mA	235 nC a 20 V	+25 V, -10 V		-	273 W(Tc)
2N6901	-	Richiesta di offerta	1597	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-205AF Lattina di metallo			MOSFET (ossido di metallo)			TO-39	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN			100 V	1,69 A(Tc)	5 V	2,6 Ohm a 1,07 A, 5 V	2 V a 1 mA	1 nC a 5 V	±10 V		-	8,33 W(Tc)
APT28F60S	-	Richiesta di offerta	3468	Microsemi Corporation	POWERMOS8™	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-268-3, D³Pak (2 cavi + linguatta), TO-268AA	APT28F60		MOSFET (ossido di metallo)			D3Pak	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN			600 V	30A (Tc)	10 V	220 mOhm a 14 A, 10 V	5 V a 1 mA	140 nC a 10 V	±30 V	5575 pF a 25 V	-	520 W(Tc)
MS2441	-	Richiesta di offerta	3373	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	200°C (TJ)	Montaggio su telaio	M112				1458 W		M112	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1				6,5dB												65 V	22A									NPN	5 a 250 mA, 5 V	1,025 GHz ~ 1,15 GHz	-
MRF544	-	Richiesta di offerta	6748	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-	Foro passante	TO-39				3,5 W		TO-39	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0075	1				13,5dB												70 V	400mA									NPN	15 a 50 mA, 6 V	1,5GHz	-
APT1204R7KFLLG	-	Richiesta di offerta	5351	Microsemi Corporation	POWERMOS7®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)			TO-220 [K]	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN			1200 V	3,5 A (TC)	10 V	4,7 Ohm a 1,75 A, 10 V	5 V a 1 mA	31 nC a 10 V	±30 V	715 pF a 25 V	-	135 W(Tc)
2N7225U	-	Richiesta di offerta	2166	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-267AB			MOSFET (ossido di metallo)			TO-267AB	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN			200 V	27,4 A(Tc)	10 V	100 mOhm a 17 A, 10 V	4 V a 250 µA	115 nC a 10 V	±20 V		-	4 W (Ta), 150 W (Tc)
APTML102UM09R004T3AG	-	Richiesta di offerta	8404	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP3	APTML102		MOSFET (ossido di metallo)	480W		SP3	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	2 canali N (doppio)				100 V	154A(Tc)		10 mOhm a 69,5 A, 10 V	4 V a 2,5 mA	-		9875 pF a 25 V	-
JAN2N6762	-	Richiesta di offerta	4932	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/542	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-204AA, TO-3			MOSFET (ossido di metallo)			TO-204AA (TO-3)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN			500 V	4,5 A(Tc)	10 V	1,8 Ohm a 4,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	40 nC a 10 V	±20 V		-	4 W (Ta), 75 W (Tc)
APTC60DSKM45CT1G	-	Richiesta di offerta	1308	Microsemi Corporation	CoolMOS™	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP1	APTC60		MOSFET (ossido di metallo)	250 W		SP1	-		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	2 canali N (doppio)				600 V	49A		45 mOhm a 24,5 A, 10 V	3,9 V a 3 mA	150 nC a 10 V		7200 pF a 25 V	Super giunzione
SD1536-08	-	Richiesta di offerta	7496	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	200°C (TJ)	Montaggio su telaio	M105	SD1536			292 W		M105	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1				8,4dB												65 V	10A									NPN	5 a 100 mA, 5 V	1,025 GHz ~ 1,15 GHz	-
APTGT150A170D1G	-	Richiesta di offerta	8558	Microsemi Corporation	-	Massa	Interrotto alla SIC	-	Montaggio su telaio	D1				780 W	Standard	D1	-	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Mezzo ponte														Sosta sul campo di trincea	1700 V	280A		2,4 V a 15 V, 150 A				4 mA	NO	13 nF a 25 V
62028	-	Richiesta di offerta	8529	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto										-		Non applicabile		OBSOLETO	0000.00.0000	1
APTC80DSK29T3G	-	Richiesta di offerta	6852	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP3	APTC80		MOSFET (ossido di metallo)	156 W		SP3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	2 canali N (doppio)				800 V	15A		290 mOhm a 7,5 A, 10 V	3,9 V a 1 mA	90nC a 10V		2254 pF a 25 V	-
APT20N60BC3G	-	Richiesta di offerta	3471	Microsemi Corporation	CoolMOS™	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3			MOSFET (ossido di metallo)			TO-247-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN			600 V	20,7 A(Tc)	10 V	190 mOhm a 13,1 A, 10 V	3,9 V a 1 mA	114 nC a 10 V	±20 V	2440 pF a 25 V	-	208 W(Tc)
APTM10DHM09TG	-	Richiesta di offerta	3898	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP4	APTM10		MOSFET (ossido di metallo)	390 W		SP4	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	2 canali N (doppio) asimmetrico				100 V	139A		10 mOhm a 69,5 A, 10 V	4 V a 2,5 mA	350 nC a 10 V		9875 pF a 25 V	-
APTGF100A120T3AG	-	Richiesta di offerta	4266	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-	Montaggio su telaio	SP3				780 W	Standard	SP3	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Mezzo ponte														TNP	1200 V	130A		3,7 V a 15 V, 100 A				250 µA	SÌ	6,5 nF a 25 V
MRF8372	-	Richiesta di offerta	9377	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)				2,2 W		8-SO	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0075	2.500				8dB~9,5dB												16V	200mA									NPN	30 a 50 mA, 5 V	870 MHz	-
APTM20SKM05G	-	Richiesta di offerta	5369	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP6			MOSFET (ossido di metallo)			SP6	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN			200 V	317A(Tc)	10 V	6 mOhm a 158,5 A, 10 V	5 V a 10 mA	448 nC a 10 V	±30 V	27400 pF a 25 V	-	1136W(Tc)
APT4012BVRG	-	Richiesta di offerta	5068	Microsemi Corporation	POWER MOS V®	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3			MOSFET (ossido di metallo)			TO-247 d.C	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN			400 V	37A(Tc)	10 V	120 mOhm a 18,5 A, 10 V	4 V a 1 mA	290 nC a 10 V	±30 V	5400 pF a 25 V	-	370 W(Tc)
1214-150L	-	Richiesta di offerta	6228	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	200°C (TJ)	Montaggio su telaio	55ST-1				320 W		55ST-1	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1				7,15dB~8,7dB												65 V	15A									NPN	20 a 1 A, 5 V	1,2GHz~1,4GHz	-
APTM10DUM05TG	-	Richiesta di offerta	1714	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP4	APTM10		MOSFET (ossido di metallo)	780W		SP4	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	2 canali N (doppio)				100 V	278A		5 mOhm a 125 A, 10 V	4 V a 5 mA	700 nC a 10 V		20.000 pF a 25 V	-