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Transistor(1315)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Ingresso	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Condizione di prova	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Corrente - Interruzione collettore (max)	Termistore NTC	Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Figura di rumore (dB tipo @ f)
APTC90DDA12T1G	-	Richiesta di offerta	2767	Microsemi Corporation	CoolMOS™	Vassoio	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP1	APTC90		MOSFET (ossido di metallo)	250 W		SP1	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Canale 2 N (chopper doppio buck)				900 V	30A		120 mOhm a 26 A, 10 V	3,5 V a 3 mA	270nC a 10V		6800 pF a 100 V	Super giunzione
APTGF25DDA120T3G	-	Richiesta di offerta	4581	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-	Montaggio su telaio	SP3				208 W	Standard	SP3	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Chopper a doppia spinta														TNP	1200 V	40A		3,7 V a 15 V, 25 A			250 µA	SÌ	1,65 nF a 25 V
APTM120DA56T1G	-	Richiesta di offerta	3223	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP1			MOSFET (ossido di metallo)			SP1	-		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN			1200 V	18A (Tc)	10 V	672 mOhm a 14 A, 10 V	5 V a 2,5 mA	300 nC a 10 V	±30 V	7736 pF a 25 V	-	390 W(Tc)
2N6849	-	Richiesta di offerta	7125	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-205AF Lattina di metallo			MOSFET (ossido di metallo)			TO-39	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		Canale P			100 V	6,5 A(Tc)	10 V	320 mOhm a 6,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	34,8 nC a 10 V	±20 V		-	800 mW (Ta), 25 W (Tc)
66082B	-	Richiesta di offerta	8698	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto										-		Non applicabile		OBSOLETO	0000.00.0000	1
2N4957	-	Richiesta di offerta	5401	Microsemi Corporation	-	Massa	Interrotto alla SIC	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-72-3 Barattolo di metallo				200 mW		TO-72	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0095	1				25dB												30 V	30mA								PNP		30 a 5 mA, 10 V	-	3,5 dB a 450 MHz
0105-50	-	Richiesta di offerta	5264	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	200°C (TJ)	Montaggio su telaio	55JT				140 W		55JT	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	OBSOLETO	0000.00.0000	1				8,5dB~10dB												65 V	7A								NPN		10 a 1 A, 5 V	100 MHz~500 MHz	-
2A5	-	Richiesta di offerta	5393	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	200°C (TJ)	Montaggio a perno	55ET				5,3 W		55ET	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1				7dB~9dB												22V	3mA								NPN		20 a 100 mA, 5 V	3,4GHz~3,7GHz	-
APTC60DSKM70T3G	-	Richiesta di offerta	2689	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP3	APTC60		MOSFET (ossido di metallo)	250 W		SP3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	2 canali N (doppio)				600 V	39A		70 mOhm a 39 A, 10 V	3,9 V a 2,7 mA	259nC a 10 V		7000 pF a 25 V	-
JANTXV2N6782U	-	Richiesta di offerta	9803	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/556	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	18-CLCC			MOSFET (ossido di metallo)			18-ULCC (9,14x7,49)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN			100 V	3,5 A (TC)	10 V	610 mOhm a 3,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	8,1 nC a 10 V	±20 V		-	800 mW (Ta), 15 W (Tc)
APTC60DDAM70T3G	-	Richiesta di offerta	4479	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP3	APTC60		MOSFET (ossido di metallo)	250 W		SP3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	2 canali N (doppio)				600 V	39A		70 mOhm a 39 A, 10 V	3,9 V a 2,7 mA	259nC a 10 V		7000 pF a 25 V	-
APTGF200SK120D3G	-	Richiesta di offerta	5393	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo D-3				1400 W	Standard	D3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	Separare														TNP	1200 V	300 A		3,7 V a 15 V, 200 A			5 mA	NO	13 nF a 25 V
APT7F80K	-	Richiesta di offerta	7719	Microsemi Corporation	POWERMOS8™	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)			TO-220 [K]	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN			800 V	7A(Tc)	10 V	1,5 Ohm a 4 A, 10 V	5 V a 500 µA	43 nC a 10 V	±30 V	1335 pF a 25 V	-	225 W(Tc)
APT35SM70B	-	Richiesta di offerta	9262	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3			SiCFET (carburo di silicio)			TO-247-3	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN			700 V	35A (Tc)	20 V	145 mOhm a 10 A, 20 V	2,5 V a 1 mA	67 nC a 20 V	+25 V, -10 V	1035 pF a 700 V	-	176 W(Tc)
APTM120SK15G	-	Richiesta di offerta	2674	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP6			MOSFET (ossido di metallo)			SP6	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN			1200 V	60A (Tc)	10 V	175 mOhm a 30 A, 10 V	5 V a 10 mA	748 nC a 10 V	±30 V	20600 pF a 25 V	-	1250 W(Tc)
MRF5812G	-	Richiesta di offerta	2881	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)				1,25 W		8-SO	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0075	2.500				13dB~15,5dB												15 V	200mA								NPN		50 a 50 mA, 5 V	5GHz	2 dB ~ 3 dB a 500 MHz
JANTX2N6784	-	Richiesta di offerta	6203	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/556	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-205AF Lattina di metallo			MOSFET (ossido di metallo)			TO-39	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN			200 V	2,25 A(Tc)	10 V	1,6 Ohm a 2,25 A, 10 V	4 V a 250 µA	8,6 nC a 10 V	±20 V		-	800 mW (Ta), 15 W (Tc)
23A008	-	Richiesta di offerta	6727	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	200°C (TJ)	Montaggio su telaio	55BT				5 W		55BT	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1				8,5dB~9,5dB												22V	400mA								NPN		20 a 100 mA, 5 V	3,7GHz	-
JANTX2N6770	-	Richiesta di offerta	2908	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/543	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-204AE			MOSFET (ossido di metallo)			TO-3	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN			500 V	12A (Tc)	10 V	500 mOhm a 12 A, 10 V	4 V a 250 µA	120 nC a 10 V	±20 V		-	4 W (Ta), 150 W (Tc)
APT95GR65JDU60	-	Richiesta di offerta	8121	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SOT-227-4, miniBLOC	APT95GR65	Standard		446 W		SOT-227	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1			433 V, 95 A, 4,3 Ohm, 15 V												TNP	650 V	135A	380A	2,4 V a 15 V, 95 A	420 nC	29ns/226ns
MS2472	-	Richiesta di offerta	4268	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	200°C (TJ)	Montaggio su telaio	M112				1350 W		M112	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1				5,6dB												65 V	40A								NPN		5 a 250 mA, 5 V	1,025 GHz ~ 1,15 GHz	-
APTGF50DU120TG	-	Richiesta di offerta	5314	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP4				312 W	Standard	SP4	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	Doppia fonte comune														TNP	1200 V	75A		3,7 V a 15 V, 50 A			250 µA	SÌ	3,45 nF a 25 V
JANTXV2N3251A	-	Richiesta di offerta	1862	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/323	Massa	Obsoleto	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo	2N3251			360 mW		TO-39 (TO-205AD)	-		Non applicabile		EAR99	8541.21.0095	1																60 V	200 mA					10 µA (ICBO)			PNP	500mV a 5mA, 50mA	100 a 10 mA, 1 V	-
MS1030	-	Richiesta di offerta	4963	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto										-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
MRF581A	-	Richiesta di offerta	3282	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Ceramica Micro-X (84C)	MRF581			1,25 W		Ceramica Micro-X (84C)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	500				13dB~15,5dB												15 V	200mA								NPN		90 a 50 mA, 5 V	5GHz	3 dB ~ 3,5 dB a 500 MHz
JANTX2N5013	-	Richiesta di offerta	9097	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/727	Massa	Obsoleto	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo				1 W		TO-5	-	RoHS non conforme	Non applicabile		EAR99	8541.29.0095	1																800 V	200 mA					10nA (ICBO)			NPN		30 a 20 mA, 10 V	-
JANTXV2N5012	-	Richiesta di offerta	7344	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/727	Massa	Obsoleto	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo				1 W		TO-5	-	RoHS non conforme	Non applicabile		EAR99	8541.29.0095	1																700 V	200 mA					10nA (ICBO)			NPN		30 a 25 mA, 10 V	-
2N6798U	-	Richiesta di offerta	5073	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	18-CLCC			MOSFET (ossido di metallo)			18-ULCC (9,14x7,49)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN			200 V	5,5 A (TC)	10 V	400 mOhm a 3,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	5,29 nC a 10 V	±20 V		-	800 mW (Ta), 25 W (Tc)
64017H	-	Richiesta di offerta	8864	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto										-		Non applicabile		OBSOLETO	0000.00.0000	1
2124-12L	-	Richiesta di offerta	3970	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	200°C (TJ)	Montaggio su telaio	55AW				44W		55AW	scaricamento		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1				7,5dB												45 V	3A								NPN		15 a 1 A, 5 V	-	-