Richiesta di offerta
Distinta base
Contattaci

Tel: +86-0755-83501315

E-mail:sales@sic-components.com

Registrazione

Italiano

Transistor(1315)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Ingresso	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Figura di rumore	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Tensione - Prova	Corrente - Interruzione collettore (max)	Termistore NTC	Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Figura di rumore (dB tipo @ f)
APTC80SK15T1G	-	Richiesta di offerta	3079	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP1			MOSFET (ossido di metallo)			SP1	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN				800 V	28A (Tc)	10 V	150 mOhm a 14 A, 10 V	3,9 V a 2 mA	180 nC a 10 V	±30 V	4507 pF a 25 V	-	277 W(Tc)
0912-25	-	Richiesta di offerta	8027	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		200°C (TJ)	Montaggio su telaio	55CT				125 W		55CT	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	OBSOLETO	0000.00.0000	1					8,5dB~10dB													55 V	2,5 A						NPN		10 a 300 mA, 5 V	960 MHz ~ 1.215 GHz	-
JANTXV2N6249T1	-	Richiesta di offerta	2317	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/510	Massa	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-254-3, TO-254AA (diritti conduttori)	2N6249			6 W		TO-254AA	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1																		200 V	10A			1mA			NPN	1,5 V a 1 A, 10 A	10 a 10 A, 3 V	-
APTC90AM602G	-	Richiesta di offerta	5744	Microsemi Corporation	CoolMOS™	Vassoio	Obsoleto		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP2	APTC90		MOSFET (ossido di metallo)	462 W		SP2	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	2 canali N (mezzo ponte)					900 V	59A		60 mOhm a 52 A, 10 V	3,5 V a 6 mA	540nC a 10V		13600 pF a 100 V	Super giunzione
APTGF50VDA120T3G	-	Richiesta di offerta	8344	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		-	Montaggio su telaio	SP3				312 W	Standard	SP3	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Chopper a doppia spinta																TNP	1200 V	70A	3,7 V a 15 V, 50 A		250 µA	SÌ	3,45 nF a 25 V
APTGT150SK120TG	-	Richiesta di offerta	3934	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP4				690 W	Standard	SP4	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	Separare																Sosta sul campo di trincea	1200 V	220A	2,1 V a 15 V, 150 A		350 µA	SÌ	10,7 nF a 25 V
APTGF50X60T3G	-	Richiesta di offerta	9069	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		-	Montaggio su telaio	SP3				250 W	Standard	SP3	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Invertitore trifase																TNP	600 V	65A	2,45 V a 15 V, 50 A		250 µA	SÌ	2,2 nF a 25 V
JANSR2N7269U	-	Richiesta di offerta	6840	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/603	Vassoio	Obsoleto		-55°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo			MOSFET (ossido di metallo)			U1 (SMD-1)	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN				200 V	26A (Tc)	12V	110 mOhm a 26 A, 12 V	4 V a 1 mA	170 nC a 12 V	±20 V		-	150 W(Tc)
APTGT100SK120D1G	-	Richiesta di offerta	3169	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	D1				520 W	Standard	D1	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	Separare																Sosta sul campo di trincea	1200 V	150A	2,1 V a 15 V, 100 A		3 mA	NO	7 nF a 25 V
2224-6P	-	Richiesta di offerta	2340	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto											-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
JAN2N6898	-	Richiesta di offerta	6708	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-204AA, TO-3			MOSFET (ossido di metallo)			TO-3	-	RoHS non conforme	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	5		Canale P				100 V	25A (Tc)	10 V	200 mOhm a 15,8 A, 10 V	4 V a 250 µA		±20 V	3000 pF a 25 V	-	150 W(Tc)
APTM20UM09SG	-	Richiesta di offerta	9799	Microsemi Corporation	-	Massa	Interrotto alla SIC		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo J3			MOSFET (ossido di metallo)			Modulo	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN				200 V	195A(Tc)	10 V	9 mOhm a 74,5 A, 10 V	5 V a 4 mA	217 nC a 10 V	±30 V	12.300 pF a 25 V	-	780 W(Tc)
JANTX2N6766	-	Richiesta di offerta	8229	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/543	Massa	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-204AE			MOSFET (ossido di metallo)			TO-3	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN				200 V	30A (Tc)	10 V	90 mOhm a 30 A, 10 V	4 V a 250 µA	115 nC a 10 V	±20 V		-	4 W (Ta), 150 W (Tc)
APTGF50TDU120PG	-	Richiesta di offerta	7403	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		-	Montaggio su telaio	SP6				312 W	Standard	SP6-P	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Tripla, doppia - Sorgente comune																TNP	1200 V	75A	3,7 V a 15 V, 50 A		250 µA	NO	3,45 nF a 25 V
JANTXV2N4957	-	Richiesta di offerta	1848	Microsemi Corporation	-	Massa	Interrotto alla SIC		-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-72-3 Barattolo di metallo				200 mW		TO-72	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0095	1					25dB													30 V	30mA						PNP		30 a 5 mA, 10 V	-	3,5 dB a 450 MHz
ARF448BG	-	Richiesta di offerta	1071	Microsemi Corporation	-	Tubo	Obsoleto	450 V			TO-247-3	ARF448	40,68 MHz	MOSFET			TO-247	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN		15A	140 W	15dB											-					150 V
MS1701	-	Richiesta di offerta	4345	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto											-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
STA8142	-	Richiesta di offerta	2263	Microsemi Corporation	*	Massa	Obsoleto											-	RoHS non conforme	Non applicabile		OBSOLETO	0000.00.0000	1
MRF8372R1	-	Richiesta di offerta	2328	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)				2,2 W		8-SO	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0075	2.500					8dB~9,5dB													16V	200mA						NPN		30 a 50 mA, 5 V	870 MHz	-
76020H	-	Richiesta di offerta	2640	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto											-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
JANTXV2N7236	-	Richiesta di offerta	8253	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/595	Massa	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-254-3, TO-254AA (diritti conduttori)			MOSFET (ossido di metallo)			TO-254AA	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		Canale P				100 V	18A (Tc)	10 V	220 mOhm a 18 A, 10 V	4 V a 250 µA	60 nC a 10 V	±20 V		-	4 W (Ta), 125 W (Tc)
2N6768T1	-	Richiesta di offerta	7160	Microsemi Corporation	-	Massa	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-254-3, TO-254AA (diritti conduttori)	2N6768		MOSFET (ossido di metallo)			TO-254AA	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN				400 V	14A (Ta)	10 V	400 mOhm a 14 A, 10 V	4 V a 250 µA	110 nC a 10 V	±20 V		-	4 W (Ta), 150 W (Tc)
SD1015	-	Richiesta di offerta	8091	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		200°C	Montaggio a perno	M135				10 W		M135	-		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0075	1					10dB													18 V	1A						NPN		35 a 200 mA, 5 V	150 MHz	-
APTGT50DU170TG	-	Richiesta di offerta	6803	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP4				312 W	Standard	SP4	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	Doppia fonte comune																Sosta sul campo di trincea	1700 V	75A	2,4 V a 15 V, 50 A		250 µA	SÌ	4,4 nF a 25 V
APTGF90DA60CT1G	-	Richiesta di offerta	8320	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		-	Montaggio su telaio	SP1				416 W	Standard	SP1	-		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Separare																TNP	600 V	110A	2,5 V a 15 V, 100 A		250 µA	SÌ	4,3 nF a 25 V
APTM10DDAM19T3G	-	Richiesta di offerta	8819	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP3	APTM10		MOSFET (ossido di metallo)	208 W		SP3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	2 canali N (doppio)					100 V	70A		21 mOhm a 35 A, 10 V	4 V a 1 mA	200 nC a 10 V		5100 pF a 25 V	-
2N6798	-	Richiesta di offerta	6311	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-205AF Lattina di metallo			MOSFET (ossido di metallo)			TO-39	-	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN				200 V	5,5 A (TC)	10 V	400 mOhm a 3,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	5,29 nC a 10 V	±20 V		-	800 mW (Ta), 25 W (Tc)
APTGF50SK120TG	-	Richiesta di offerta	9136	Microsemi Corporation	-	Massa	Interrotto alla SIC		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP4				312 W	Standard	SP4	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Separare																TNP	1200 V	75A	3,7 V a 15 V, 50 A		250 µA	SÌ	3,45 nF a 25 V
JANTXV2N6849U	-	Richiesta di offerta	7845	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/564	Massa	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	18-CLCC			MOSFET (ossido di metallo)			18-ULCC (9,14x7,49)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		Canale P				100 V	6,5 A(Tc)	10 V	320 mOhm a 6,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	34,8 nC a 10 V	±20 V		-	800 mW (Ta), 25 W (Tc)
1004MP	-	Richiesta di offerta	8413	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		200°C (TJ)	Montaggio su telaio	55FW-1				7 W		55FW-1	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1					7dB~9dB													50 V	300mA						-		20 a 100 mA, 5 V	960 MHz ~ 1.215 GHz	-