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Transistor(1315)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Ingresso	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Condizione di prova	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Corrente - Interruzione collettore (max)	Termistore NTC	Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Figura di rumore (dB tipo @ f)
MS2874	-	Richiesta di offerta	3320	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto										-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
MRFC544	-	Richiesta di offerta	9627	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto										-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
MS2321	-	Richiesta di offerta	9490	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	200°C (TJ)	Montaggio su telaio	M105				87,5 W		M105	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	OBSOLETO	0000.00.0000	1				10dB												65 V	1,5 A									NPN		-	1,025 GHz ~ 1,15 GHz	-
MS2586	-	Richiesta di offerta	4620	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto										-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
MS2562	-	Richiesta di offerta	2848	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto										-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
JANTX2N2221AL	8.9775	Richiesta di offerta	3512	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/255	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-206AA, TO-18-3 Contenitore in metallo	2N2221			500 mW		TO-18 (TO-206AA)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0095	1																50 V	800 mA						50nA			NPN	1 V a 50 mA, 500 mA	40 a 150 mA, 10 V	-
JANTXV2N6800U	-	Richiesta di offerta	3086	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/557	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	18-CLCC			MOSFET (ossido di metallo)			18-ULCC (9,14x7,49)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN			400 V	3A (Tc)	10 V	1,1 Ohm a 3 A, 10 V	4 V a 250 µA	34,75 nC a 10 V	±20 V		-	800 mW (Ta), 25 W (Tc)
APTM20TDUM16PG	-	Richiesta di offerta	6102	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP6	APTM20		MOSFET (ossido di metallo)	390 W		SP6-P	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	6 canali N (ponte trifase)				200 V	104A		19 mOhm a 52 A, 10 V	5 V a 2,5 mA	140 nC a 10 V		7220 pF a 25 V	-
2N6249T1	-	Richiesta di offerta	3143	Microsemi Corporation	-	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C	Foro passante	TO-254-3, TO-254AA	2N6249			6 W		TO-254AA	scaricamento	RoHS non conforme		REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	100																200 V	10A						1mA			NPN	1,5 V a 1 A, 10 A	10 a 10 A, 3 V	-
SD1444	-	Richiesta di offerta	6460	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo				5 W		TO-39	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1				8dB												16V	400mA									NPN		20 a 50 mA, 5 V	450 MHz~512 MHz	-
MRF555G	-	Richiesta di offerta	4751	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-						3 W			-		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0075	1.000				12,5dB												16V	500mA									NPN		50 a 100 mA, 5 V	470 MHz	-
JANTXV2N4957UB	-	Richiesta di offerta	4318	Microsemi Corporation	-	Massa	Interrotto alla SIC	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo				200 mW		UB	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0095	1				25dB												30 V	30mA									PNP		30 a 5 mA, 10 V	-	3,5 dB a 450 MHz
JANTX2N6251T1	-	Richiesta di offerta	1265	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/510	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-254-3, TO-254AA (cavi diritti)	2N6251			6 W		TO-254AA	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1																350 V	10A						1mA			NPN	1,5 V a 1,67 A, 10 A	6 a 10 A, 3 V	-
APTGF150DU120TG	-	Richiesta di offerta	4177	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-	Montaggio su telaio	SP4				961 W	Standard	SP4	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Doppia fonte comune														TNP	1200 V	200A		3,7 V a 15 V, 150 A				350 µA	SÌ	10,2 nF a 25 V
APTC60AM242G	-	Richiesta di offerta	9968	Microsemi Corporation	CoolMOS™	Massa	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo	APTC60		MOSFET (ossido di metallo)	462 W			-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	2 canali N (mezzo ponte)				600 V	95A		24 mOhm a 47,5 A, 10 V	3,9 V a 5 mA	300 nC a 10 V		14400 pF a 25 V	-
MS2205	-	Richiesta di offerta	5853	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	200°C (TJ)	Montaggio su telaio	M105				21,9 W		M105	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	OBSOLETO	0000.00.0000	1				9,5dB												45 V	1A									NPN		10 a 100 mA, 5 V	1,025 GHz ~ 1,15 GHz	-
APT75GN60B2DQ3G	-	Richiesta di offerta	9775	Microsemi Corporation	-	Tubo	Obsoleto	-	Foro passante	TO-264-3, TO-264AA	APT75GN60	Standard		536 W		-	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	30			400 V, 75 A, 1 Ohm, 15 V												-	600 V	155A	225A	1,85 V a 15 V, 75 A	2500μJ (acceso), 2140μJ (spento)	485 nC	47ns/385ns
JANTXV2N2221AL	10.7464	Richiesta di offerta	7867	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/255	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-206AA, TO-18-3 Contenitore in metallo	2N2221			500 mW		TO-18 (TO-206AA)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0095	1																50 V	800 mA						50nA			NPN	1 V a 50 mA, 500 mA	40 a 150 mA, 10 V	-
MS1015E	-	Richiesta di offerta	3022	Microsemi Corporation	*	Massa	Obsoleto										-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
APTGF25DDA120T3G	-	Richiesta di offerta	4581	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-	Montaggio su telaio	SP3				208 W	Standard	SP3	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Chopper a doppia spinta														TNP	1200 V	40A		3,7 V a 15 V, 25 A				250 µA	SÌ	1,65 nF a 25 V
APTM120DA56T1G	-	Richiesta di offerta	3223	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP1			MOSFET (ossido di metallo)			SP1	-		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN			1200 V	18A (Tc)	10 V	672 mOhm a 14 A, 10 V	5 V a 2,5 mA	300 nC a 10 V	±30 V	7736 pF a 25 V	-	390 W(Tc)
66082B	-	Richiesta di offerta	8698	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto										-		Non applicabile		OBSOLETO	0000.00.0000	1
2N4957	-	Richiesta di offerta	5401	Microsemi Corporation	-	Massa	Interrotto alla SIC	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-72-3 Barattolo di metallo				200 mW		TO-72	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0095	1				25dB												30 V	30mA									PNP		30 a 5 mA, 10 V	-	3,5 dB a 450 MHz
0105-50	-	Richiesta di offerta	5264	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	200°C (TJ)	Montaggio su telaio	55JT				140 W		55JT	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	OBSOLETO	0000.00.0000	1				8,5dB~10dB												65 V	7A									NPN		10 a 1 A, 5 V	100 MHz~500 MHz	-
APTC60DSKM70T3G	-	Richiesta di offerta	2689	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP3	APTC60		MOSFET (ossido di metallo)	250 W		SP3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	2 canali N (doppio)				600 V	39A		70 mOhm a 39 A, 10 V	3,9 V a 2,7 mA	259nC a 10 V		7000 pF a 25 V	-
JANTXV2N6782U	-	Richiesta di offerta	9803	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/556	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	18-CLCC			MOSFET (ossido di metallo)			18-ULCC (9,14x7,49)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN			100 V	3,5 A (TC)	10 V	610 mOhm a 3,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	8,1 nC a 10 V	±20 V		-	800 mW (Ta), 15 W (Tc)
APTC60DDAM70T3G	-	Richiesta di offerta	4479	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP3	APTC60		MOSFET (ossido di metallo)	250 W		SP3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	2 canali N (doppio)				600 V	39A		70 mOhm a 39 A, 10 V	3,9 V a 2,7 mA	259nC a 10 V		7000 pF a 25 V	-
APT7F80K	-	Richiesta di offerta	7719	Microsemi Corporation	POWERMOS8™	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)			TO-220 [K]	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN			800 V	7A(Tc)	10 V	1,5 Ohm a 4 A, 10 V	5 V a 500 µA	43 nC a 10 V	±30 V	1335 pF a 25 V	-	225 W(Tc)
APT35SM70B	-	Richiesta di offerta	9262	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3			SiCFET (carburo di silicio)			TO-247-3	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN			700 V	35A (Tc)	20 V	145 mOhm a 10 A, 20 V	2,5 V a 1 mA	67 nC a 20 V	+25 V, -10 V	1035 pF a 700 V	-	176 W(Tc)
APTM120SK15G	-	Richiesta di offerta	2674	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP6			MOSFET (ossido di metallo)			SP6	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN			1200 V	60A (Tc)	10 V	175 mOhm a 30 A, 10 V	5 V a 10 mA	748 nC a 10 V	±30 V	20600 pF a 25 V	-	1250 W(Tc)