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Transistor(1315)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Ingresso	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Condizione di prova	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Corrente - Interruzione collettore (max)	Termistore NTC	Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Figura di rumore (dB tipo @ f)
80277H	-	Richiesta di offerta	1979	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto										-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
SD8268-21H	-	Richiesta di offerta	4953	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto										-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
MS2294	-	Richiesta di offerta	8146	Microsemi Corporation	*	Massa	Obsoleto										-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
MS1001A	-	Richiesta di offerta	5444	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto										-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
MS1582	-	Richiesta di offerta	7960	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	200°C (TJ)	Montaggio su telaio	M173				135 W		M173	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1				9dB												30 V	8A									NPN		10 a 3 A, 5 V	470 MHz~860 MHz	-
APTM10DDAM19T3G	-	Richiesta di offerta	8819	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP3	APTM10		MOSFET (ossido di metallo)	208 W		SP3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	2 canali N (doppio)				100 V	70A		21 mOhm a 35 A, 10 V	4 V a 1 mA	200 nC a 10 V		5100 pF a 25 V	-
JANS2N2221AUBC	130.9606	Richiesta di offerta	1829	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/255	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo	2N2221			500 mW		3-SMD	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0095	1																50 V	800 mA						50nA			NPN	1 V a 50 mA, 500 mA	40 a 150 mA, 10 V	-
SD1015	-	Richiesta di offerta	8091	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	200°C	Montaggio a perno	M135				10 W		M135	-		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0075	1				10dB												18 V	1A									NPN		35 a 200 mA, 5 V	150 MHz	-
A4871T	-	Richiesta di offerta	5804	Microsemi Corporation	*	Massa	Obsoleto										-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
JANTXV2N6898	-	Richiesta di offerta	3311	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-204AA, TO-3			MOSFET (ossido di metallo)			TO-3	-	RoHS non conforme	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	4		Canale P			100 V	25A (Tc)	10 V	200 mOhm a 15,8 A, 10 V	4 V a 250 µA		±20 V	3000 pF a 25 V	-	150 W(Tc)
1002MP	-	Richiesta di offerta	5604	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	200°C (TJ)	Montaggio su telaio	55FW-1				7 W		55FW-1	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1				8,24dB~11dB												50 V	250 mA									-		20 a 100 mA, 5 V	960 MHz ~ 1.215 GHz	-
APT25GR120SSCD10	-	Richiesta di offerta	5487	Microsemi Corporation	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-268-3, D³Pak (2 cavi + linguatta), TO-268AA	APT25GR120	Standard		521 W		D3Pak	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1			600 V, 25 A, 4,3 Ohm, 15 V												TNP	1200 V	75A	100A	3,2 V a 15 V, 25 A	434μJ (acceso), 466μJ (spento)	203 nC	16ns/122ns
2N6756	-	Richiesta di offerta	9957	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-204AA, TO-3			MOSFET (ossido di metallo)			TO-204AA	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN			100 V	14A (Tc)	10 V	210 mOhm a 14 A, 10 V	4 V a 250 µA	35 nC a 10 V	±20 V		-	4 W (Ta), 75 W (Tc)
2N6768T1	-	Richiesta di offerta	7160	Microsemi Corporation	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-254-3, TO-254AA (cavi diritti)	2N6768		MOSFET (ossido di metallo)			TO-254AA	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN			400 V	14A (Ta)	10 V	400 mOhm a 14 A, 10 V	4 V a 250 µA	110 nC a 10 V	±20 V		-	4 W (Ta), 150 W (Tc)
APTGT35H120T1G	-	Richiesta di offerta	4218	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP1				208 W	Standard	SP1	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	Invertitore a ponte intero														Sosta sul campo di trincea	1200 V	55A		2,1 V a 15 V, 35 A				250 µA	SÌ	2,5 nF a 25 V
JANTXV2N6849U	-	Richiesta di offerta	7845	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/564	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	18-CLCC			MOSFET (ossido di metallo)			18-ULCC (9,14x7,49)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		Canale P			100 V	6,5 A(Tc)	10 V	320 mOhm a 6,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	34,8 nC a 10 V	±20 V		-	800 mW (Ta), 25 W (Tc)
1090MP	-	Richiesta di offerta	8052	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	200°C (TJ)	Montaggio su telaio	55FW-1				250 W		55FW-1	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1				8,08dB~8,5dB												65 V	6,5 A									NPN		15 a 500 mA, 5 V	1,025 GHz ~ 1,15 GHz	-
1004MP	-	Richiesta di offerta	8413	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	200°C (TJ)	Montaggio su telaio	55FW-1				7 W		55FW-1	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1				7dB~9dB												50 V	300mA									-		20 a 100 mA, 5 V	960 MHz ~ 1.215 GHz	-
DME500	-	Richiesta di offerta	9257	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	200°C (TJ)	Montaggio su telaio	55KT				1700 W		55KT	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1				6dB~6,5dB												55 V	40A									NPN		10 a 500 mA, 5 V	1,025 GHz ~ 1,15 GHz	-
0510-50A	-	Richiesta di offerta	1950	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	200°C (TJ)	Montaggio su telaio	55AV				50 W		55AV	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1				7dB												27 V	3,7 A									-		10 a 500 mA, 5 V	500 MHz~1 GHz	-
2N6800	-	Richiesta di offerta	7454	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-205AF Lattina di metallo			MOSFET (ossido di metallo)			TO-39	-	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN			400 V	3A (Tc)	10 V	1 Ohm a 2 A, 10 V	4 V a 250 µA	5,75 nC a 10 V	±20 V		-	800 mW (Ta), 25 W (Tc)
APTGV15H120T3G	-	Richiesta di offerta	4579	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP3				115 W	Standard	SP3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	Invertitore a ponte intero														TNP, Fermata ai campi di trincea	1200 V	25A		2,1 V a 15 V, 15 A				250 µA	SÌ	1,1 nF a 25 V
APTGF50A60T1G	-	Richiesta di offerta	1778	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP1				250 W	Standard	SP1	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	Mezzo ponte														TNP	600 V	65A		2,45 V a 15 V, 50 A				250 µA	SÌ	2,2 nF a 25 V
APTGF165A60D1G	-	Richiesta di offerta	4615	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-	Montaggio su telaio	D1				781 W	Standard	D1	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	Mezzo ponte														TNP	600 V	230A		2,45 V a 15 V, 200 A				250 µA	NO	9 nF a 25 V
JANTX2N7228	-	Richiesta di offerta	8561	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/592	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-254-3, TO-254AA (cavi diritti)			MOSFET (ossido di metallo)			TO-254AA	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN			500 V	12A (Tc)	10 V	515 mOhm a 12 A, 10 V	4 V a 250 µA	120 nC a 10 V	±20 V		-	4 W (Ta), 150 W (Tc)
APT130SM70S	-	Richiesta di offerta	5151	Microsemi Corporation	*	Massa	Obsoleto										-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
JAN2N6770T1	-	Richiesta di offerta	7998	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/543	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-254-3, TO-254AA (cavi diritti)			MOSFET (ossido di metallo)			TO-254AA	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN			500 V	12A (Tc)	10 V	500 mOhm a 12 A, 10 V	4 V a 250 µA	120 nC a 10 V	±20 V		-	4 W (Ta), 150 W (Tc)
APTM50DSKM65T3G	-	Richiesta di offerta	3508	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP3	APTM50		MOSFET (ossido di metallo)	390 W		SP3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	2 canali N (doppio)				500 V	51A		78 mOhm a 25,5 A, 10 V	5 V a 2,5 mA	140 nC a 10 V		7000 pF a 25 V	-
44010	-	Richiesta di offerta	5553	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto										-		Non applicabile		OBSOLETO	0000.00.0000	1
0912-25	-	Richiesta di offerta	8027	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	200°C (TJ)	Montaggio su telaio	55CT				125 W		55CT	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	OBSOLETO	0000.00.0000	1				8,5dB~10dB												55 V	2,5 A									NPN		10 a 300 mA, 5 V	960 MHz ~ 1.215 GHz	-