Richiesta di offerta
Distinta base
Contattaci

Tel: +86-0755-83501315

E-mail:sales@sic-components.com

Registrazione

Italiano

Transistor(1315)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Ingresso	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Condizione di prova	Corrente - Prova	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Figura di rumore	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Tensione - Prova	Corrente - Interruzione collettore (max)	Termistore NTC	Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Figura di rumore (dB tipo @ f)
APTM100U13SG	-	Richiesta di offerta	6195	Microsemi Corporation	-	Massa	Interrotto alla SIC		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo J3				MOSFET (ossido di metallo)			Modulo	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN						1000 V	65A (Tc)	10 V	145 mOhm a 32,5 A, 10 V	4 V a 10 mA	2000 nC a 10 V	±30 V	31600 pF a 25 V	-	1250 W(Tc)
MRF4427R2	-	Richiesta di offerta	4640	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		-	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)					1,5 W		8-SO	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0075	2.500							20dB													20 V	400mA										NPN		10 a 10 mA, 5 V	-	-
61046	-	Richiesta di offerta	1705	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto												-		Non applicabile		OBSOLETO	0000.00.0000	1
APTGV25H120BG	-	Richiesta di offerta	2599	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		-	Montaggio su telaio	SP4					156 W	Standard	SP4	-		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Boost Chopper, ponte intero																		TNP, Fermata ai campi di trincea	1200 V	40A		2,1 V a 15 V, 25 A					250 µA	NO	1,8 nF a 25 V
APTGF50VDA120T3G	-	Richiesta di offerta	8344	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		-	Montaggio su telaio	SP3					312 W	Standard	SP3	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Chopper a doppia spinta																		TNP	1200 V	70A		3,7 V a 15 V, 50 A					250 µA	SÌ	3,45 nF a 25 V
MRF8372R1	-	Richiesta di offerta	2328	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)					2,2 W		8-SO	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0075	2.500							8dB~9,5dB													16V	200mA										NPN		30 a 50 mA, 5 V	870 MHz	-
APTGT200DA60TG	-	Richiesta di offerta	8087	Microsemi Corporation	-	Massa	Interrotto alla SIC		-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP4					625 W	Standard	SP4	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Separare																		Sosta sul campo di trincea	600 V	290A		1,9 V a 15 V, 200 A					250 µA	SÌ	12,3 nF a 25 V
76020H	-	Richiesta di offerta	2640	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto												-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
APTGT50DU170TG	-	Richiesta di offerta	6803	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP4					312 W	Standard	SP4	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	Doppia fonte comune																		Sosta sul campo di trincea	1700 V	75A		2,4 V a 15 V, 50 A					250 µA	SÌ	4,4 nF a 25 V
APTGF90DA60CT1G	-	Richiesta di offerta	8320	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		-	Montaggio su telaio	SP1					416 W	Standard	SP1	-		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Separare																		TNP	600 V	110A		2,5 V a 15 V, 100 A					250 µA	SÌ	4,3 nF a 25 V
APT15GN120KG	-	Richiesta di offerta	6344	Microsemi Corporation	POWERMOS7®	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	APT15GN120	Standard			195 W		TO-220 [K]	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	30				800 V, 15 A, 4,3 Ohm, 15 V															Sosta sul campo di trincea	1200 V	45A	45A	2,1 V a 15 V, 15 A	410μJ (acceso), 950μJ (spento)	90 nC	10ns/150ns
2N5010	19.4180	Richiesta di offerta	5654	Microsemi Corporation	-	Massa	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo	2N5010				1 W		TO-5AA	scaricamento	RoHS non conforme		REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0095	1																				500 V	200 mA							10nA (ICBO)			NPN	1,4 V a 5 mA, 25 mA	30 a 25 mA, 10 V	-
APTGT100A60TG	-	Richiesta di offerta	9684	Microsemi Corporation	-	Massa	Interrotto alla SIC		-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP4					340 W	Standard	SP4	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Mezzo ponte																		Sosta sul campo di trincea	600 V	150A		1,9 V a 15 V, 100 A					250 µA	SÌ	6,1 nF a 25 V
APTC80DA15T1G	-	Richiesta di offerta	1020	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP1				MOSFET (ossido di metallo)			SP1	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN						800 V	28A (Tc)	10 V	150 mOhm a 14 A, 10 V	3,9 V a 2 mA	180 nC a 10 V	±30 V	4507 pF a 25 V	-	277 W(Tc)
JAN2N2221AUA	15.4945	Richiesta di offerta	5422	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/255	Massa	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	4-SMD, senza piombo	2N2221				650 mW		UA	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0095	1																				50 V	800 mA							50nA			NPN	1 V a 50 mA, 500 mA	40 a 150 mA, 10 V	-
MS1701	-	Richiesta di offerta	4345	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto												-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
JANTXV2N7236	-	Richiesta di offerta	8253	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/595	Massa	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-254-3, TO-254AA (cavi diritti)				MOSFET (ossido di metallo)			TO-254AA	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		Canale P						100 V	18A (Tc)	10 V	220 mOhm a 18 A, 10 V	4 V a 250 µA	60 nC a 10 V	±20 V		-	4 W (Ta), 125 W (Tc)
VRF3933	113.5000	Richiesta di offerta	28	Microsemi Corporation	-	Massa	Attivo	250 V			M177	VRF3933		30 MHz	MOSFET			M177	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1	CanaleN		20A		250 mA	300 W	22dB											-									100 V
1214-300M	-	Richiesta di offerta	8567	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		200°C (TJ)	Montaggio su telaio	55ST					88W		55ST	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1							7dB													50 V	4A										NPN		20 a 500 mA, 5 V	1,2GHz~1,4GHz	-
80277H	-	Richiesta di offerta	1979	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto												-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
SD8268-21H	-	Richiesta di offerta	4953	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto												-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
MS2294	-	Richiesta di offerta	8146	Microsemi Corporation	*	Massa	Obsoleto												-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
MS1001A	-	Richiesta di offerta	5444	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto												-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
MS1582	-	Richiesta di offerta	7960	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		200°C (TJ)	Montaggio su telaio	M173					135 W		M173	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1							9dB													30 V	8A										NPN		10 a 3 A, 5 V	470 MHz~860 MHz	-
JANS2N2221AUBC	130.9606	Richiesta di offerta	1829	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/255	Massa	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo	2N2221				500 mW		3-SMD	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0095	1																				50 V	800 mA							50nA			NPN	1 V a 50 mA, 500 mA	40 a 150 mA, 10 V	-
A4871T	-	Richiesta di offerta	5804	Microsemi Corporation	*	Massa	Obsoleto												-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
JANTXV2N6898	-	Richiesta di offerta	3311	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-204AA, TO-3				MOSFET (ossido di metallo)			TO-3	-	RoHS non conforme	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	4		Canale P						100 V	25A (Tc)	10 V	200 mOhm a 15,8 A, 10 V	4 V a 250 µA		±20 V	3000 pF a 25 V	-	150 W(Tc)
1002MP	-	Richiesta di offerta	5604	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		200°C (TJ)	Montaggio su telaio	55FW-1					7 W		55FW-1	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1							8,24dB~11dB													50 V	250 mA										-		20 a 100 mA, 5 V	960 MHz ~ 1.215 GHz	-
APT25GR120SSCD10	-	Richiesta di offerta	5487	Microsemi Corporation	-	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-268-3, D³Pak (2 cavi + linguatta), TO-268AA	APT25GR120	Standard			521 W		D3Pak	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1				600 V, 25 A, 4,3 Ohm, 15 V															TNP	1200 V	75A	100A	3,2 V a 15 V, 25 A	434μJ (acceso), 466μJ (spento)	203 nC	16ns/122ns
2N6768T1	-	Richiesta di offerta	7160	Microsemi Corporation	-	Massa	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-254-3, TO-254AA (cavi diritti)	2N6768			MOSFET (ossido di metallo)			TO-254AA	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN						400 V	14A (Ta)	10 V	400 mOhm a 14 A, 10 V	4 V a 250 µA	110 nC a 10 V	±20 V		-	4 W (Ta), 150 W (Tc)