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Transistor(1315)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Applicazioni	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Ingresso	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Condizione di prova	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Tensione - Rottura (V(BR)GSS)	Corrente - Assorbimento (Idss) @ Vds (Vgs=0)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Termistore NTC	Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	Resistenza - RDS(On)	Tipo di transistor	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Figura di rumore (dB tipo @ f)
APTGF90SK60D1G	-	Richiesta di offerta	2461	Microsemi Corporation	-	Massa	Interrotto alla SIC		-40°C ~ 150°C (TJ)		Montaggio su telaio	D1				445 W	Standard	D1	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Separare															TNP	600 V	130A		2,45 V a 15 V, 100 A						500 µA	NO	4,3 nF a 25 V
APT70GR65B2DU40	-	Richiesta di offerta	5334	Microsemi Corporation	-	Massa	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)		Foro passante	TO-247-3	APT70GR65	Standard		595 W		T-MAX™ [B2]	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	30				433 V, 70 A, 4,3 Ohm, 15 V												TNP	650 V	134A	280A	2,4 V a 15 V, 70 A		305 nC	18ns/170ns
APT50N60JCU2	-	Richiesta di offerta	6826	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		-40°C ~ 150°C (TJ)		Montaggio su telaio	SOT-227-4, miniBLOC			MOSFET (ossido di metallo)			SOT-227	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN				600 V	52A(Tc)	10 V	45 mOhm a 22,5 A, 10 V	3,9 V a 3 mA	150 nC a 10 V	±20 V	7200 pF a 25 V	-	290 W(Tc)
APTGV50H120T3G	-	Richiesta di offerta	2305	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		-		Montaggio su telaio	SP3				270 W	Standard	SP3	-		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Invertitore a ponte intero															TNP, Fermata ai campi di trincea	1200 V	75A		2,1 V a 15 V, 50 A						250 µA	SÌ	3,6 nF a 25 V
JANTXV2N6790U	-	Richiesta di offerta	4063	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/555	Massa	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)		Montaggio superficiale	18-CLCC			MOSFET (ossido di metallo)			18-ULCC (9,14x7,49)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0095	1		CanaleN				200 V	2,8 A(Tc)	10 V	850 mOhm a 3,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	14,3 nC a 10 V	±20 V		-	800 mW(Tc)
APTM20DHM08G	-	Richiesta di offerta	8885	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		-40°C ~ 150°C (TJ)		Montaggio su telaio	SP6	APTM20		MOSFET (ossido di metallo)	781W		SP6	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	2 canali N (doppio) asimmetrico					200 V	208A		10 mOhm a 104 A, 10 V	5 V a 5 mA	280nC a 10V		14400 pF a 25 V	-
APTGT225DA170G	-	Richiesta di offerta	7480	Microsemi Corporation	-	Massa	Attivo		-40°C ~ 150°C (TJ)		Montaggio su telaio	SP6	APTGT225			1250 W	Standard	SP6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	Separare															Sosta sul campo di trincea	1700 V	340A		2,4 V a 15 V, 225 A						500 µA	NO	20 nF a 25 V
BYI-1T	-	Richiesta di offerta	1780	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	55 V		Bias dell'amplificatore lineare	Montaggio a perno	55 piedi	BYI-1					55 piedi	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1			700mA																											BISTORE
APTGT300SK170D3G	-	Richiesta di offerta	6108	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		-40°C ~ 150°C (TJ)		Montaggio su telaio	Modulo D-3				1470 W	Standard	D3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	Separare															Sosta sul campo di trincea	1700 V	530A		2,4 V a 15 V, 300 A						8 mA	NO	26 nF a 25 V
BYI-1F	-	Richiesta di offerta	8668	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	55 V		Bias dell'amplificatore lineare	Montaggio a perno	55 piedi	BYI-1					55 piedi	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1			700mA																											BISTORE
JAN2N6800U	-	Richiesta di offerta	6695	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/557	Massa	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)		Montaggio superficiale	18-CLCC			MOSFET (ossido di metallo)			18-ULCC (9,14x7,49)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN				400 V	3A (Tc)	10 V	1,1 Ohm a 3 A, 10 V	4 V a 250 µA	34,75 nC a 10 V	±20 V		-	800 mW (Ta), 25 W (Tc)
JANTXV2N6766T1	-	Richiesta di offerta	8428	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/543	Massa	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)		Foro passante	TO-254-3, TO-254AA (diritti conduttori)			MOSFET (ossido di metallo)			TO-254AA	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN				200 V	30A (Tc)	10 V	90 mOhm a 30 A, 10 V	4 V a 250 µA	115 nC a 10 V	±20 V		-	4 W (Ta), 150 W (Tc)
APT30GS60KRG	-	Richiesta di offerta	6244	Microsemi Corporation	-	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)		Foro passante	TO-220-3	APT30GS60	Standard		250 W		TO-220	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1				400 V, 30 A, 9,1 Ohm, 15 V												TNP	600 V	54A	113A	3,15 V a 15 V, 30 A	570μJ (spento)	145 nC	16ns/360ns
APTGT150DA170G	-	Richiesta di offerta	4405	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		-		Montaggio su telaio	SP6				890 W	Standard	SP6	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	Separare															Sosta sul campo di trincea	1700 V	250 A		2,4 V a 15 V, 150 A						350 µA	NO	13,5 nF a 25 V
APTGF360U60D4G	-	Richiesta di offerta	2082	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		-		Montaggio su telaio	D4				1560 W	Standard	D4	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Separare															TNP	600 V	450 A		2,45 V a 15 V, 360 A						500 µA	NO	17 nF a 25 V
JANTXV2N6768T1	-	Richiesta di offerta	5389	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/543	Massa	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)		Foro passante	TO-254-3, TO-254AA (diritti conduttori)			MOSFET (ossido di metallo)			TO-254AA	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN				400 V	14A (Tc)	10 V	400 mOhm a 14 A, 10 V	4 V a 250 µA	110 nC a 10 V	±20 V		-	4 W (Ta), 150 W (Tc)
APTGL180A1202G	-	Richiesta di offerta	3146	Microsemi Corporation	-	Massa	Attivo		-40°C ~ 175°C (TJ)		Montaggio su telaio	SP2	APTGL180			750 W	Standard	SP2	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	Mezzo ponte															Sosta sul campo di trincea	1200 V	220A		2,2 V a 15 V, 150 A						300 µA	NO	9,3 nF a 25 V
APTGV30H60T3G	-	Richiesta di offerta	7693	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		-40°C ~ 150°C (TJ)		Montaggio su telaio	SP3				90 W	Standard	SP3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	Invertitore a ponte intero															TNP, Fermata ai campi di trincea	600 V	50A		1,9 V a 15 V, 30 A						250 µA	SÌ	1,6 nF a 25 V
APTMC120HR11CT3G	-	Richiesta di offerta	6426	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	1200 V (1,2 kV)		Scopo generale	Montaggio su telaio	SP3	APTMC120					SP3	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1			26A																											Canale 2 N (fase di fase + doppio emettitore comune)
JANTX2N4092UB	123.8600	Richiesta di offerta	101	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/431	Massa	Attivo		-		Montaggio superficiale	4-SMD, senza piombo	2N4092			360 mW		4-SMD	-	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0095	1		CanaleN				40 V							16 pF a 20 V											40 V	15 mA a 20 V				50 Ohm
APTGT100DA170TG	-	Richiesta di offerta	5690	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		-40°C ~ 150°C (TJ)		Montaggio su telaio	SP4				560 W	Standard	SP4	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	Separare															Sosta sul campo di trincea	1700 V	150A		2,4 V a 15 V, 100 A						250 µA	SÌ	9 nF a 25 V
APT13GP120KG	-	Richiesta di offerta	2922	Microsemi Corporation	POWERMOS7®	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)		Foro passante	TO-220-3	APT13GP120	Standard		250 W		TO-220 [K]	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	50				600 V, 13 A, 5 Ohm, 15 V												P.T	1200 V	41A	50A	3,9 V a 15 V, 13 A	114μJ (acceso), 165μJ (spento)	55 nC	9ns/28ns
APT1002RBNG	-	Richiesta di offerta	6456	Microsemi Corporation	POWER MOS IV®	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)		Foro passante	TO-247-3			MOSFET (ossido di metallo)			TO-247 d.C	-		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN				1000 V	8A (Tc)	10 V	1,6 Ohm a 4 A, 10 V	4 V a 1 mA	105 nC a 10 V	±30 V	1800 pF a 25 V	-	240 W(Tc)
MDS140L	-	Richiesta di offerta	6833	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		200°C (TJ)		Montaggio su telaio	55AW				500W		55AW	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1					9,5dB												70 V	12A												NPN	20 a 1 A, 5 V	1,03GHz~1,09GHz	-
APT97N65LC6	-	Richiesta di offerta	1228	Microsemi Corporation	CoolMOS™	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)		Foro passante	TO-264-3, TO-264AA	APT97N65		MOSFET (ossido di metallo)			TO-264 [L]	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN				650 V	97A(Tc)	10 V	41 mOhm a 48,5 A, 10 V	3,5 V a 2,96 mA	300 nC a 10 V	±20 V	7650 pF a 25 V	-	862 W(Tc)
2N6768	-	Richiesta di offerta	8625	Microsemi Corporation	-	Massa	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)		Foro passante	TO-204AE	2N6768		MOSFET (ossido di metallo)			TO-3	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN				400 V	14A (Tc)	10 V	400 mOhm a 14 A, 10 V	4 V a 250 µA	110 nC a 10 V	±20 V		-	4 W (Ta), 150 W (Tc)
APTML50UM90R020T1AG	-	Richiesta di offerta	2205	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		-40°C ~ 150°C (TJ)		Montaggio su telaio	SP1			MOSFET (ossido di metallo)			SP1	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN				500 V	52A(Tc)	10 V	108 mOhm a 26 A, 10 V	4 V a 2,5 mA		±30 V	7600 pF a 25 V	-	568 W(Tc)
JANTX2N7236	-	Richiesta di offerta	4906	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/595	Massa	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)		Foro passante	TO-254-3, TO-254AA (diritti conduttori)			MOSFET (ossido di metallo)			TO-254AA	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		Canale P				100 V	18A (Tc)	10 V	220 mOhm a 18 A, 10 V	4 V a 250 µA	60 nC a 10 V	±20 V		-	4 W (Ta), 125 W (Tc)
APTGF50DA120CT1G	-	Richiesta di offerta	9612	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		-		Montaggio su telaio	SP1				312 W	Standard	SP1	-		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Separare															TNP	1200 V	75A		3,7 V a 15 V, 50 A						250 µA	SÌ	3,45 nF a 25 V
APT18M80S	-	Richiesta di offerta	1610	Microsemi Corporation	POWERMOS8™	Massa	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)		Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	APT18M80		MOSFET (ossido di metallo)			D3Pak	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN				800 V	19A(Tc)	10 V	530 mOhm a 9 A, 10 V	5 V a 1 mA	120 nC a 10 V	±30 V	3760 pF a 25 V	-	500 W(Tc)