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Transistor(1315)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Ingresso	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Condizione di prova	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Corrente - Interruzione collettore (max)	Termistore NTC	Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Figura di rumore (dB tipo @ f)
MS2266	-	Richiesta di offerta	5663	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto										-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
MS2244	-	Richiesta di offerta	2557	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto										-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
APTM100DUM90G	-	Richiesta di offerta	4534	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP6	APTM100		MOSFET (ossido di metallo)	1250 W		SP6	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	2 canali N (doppio)				1000 V (1 kV)	78A		105 mOhm a 39 A, 10 V	5 V a 10 mA	744nC a 10 V		20700 pF a 25 V	-
JANS2N3499L/TR	-	Richiesta di offerta	3675	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/366	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo	2N3499					TO-5	scaricamento	RoHS non conforme		REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0095	50																100 V	500 mA						10μA (ICBO)			NPN	600mV a 30mA, 300mA	100 a 150 mA, 10 V	-
44022H	-	Richiesta di offerta	4286	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto										-		Non applicabile		OBSOLETO	0000.00.0000	1
APTGT25DA120D1G	-	Richiesta di offerta	1229	Microsemi Corporation	-	Massa	Interrotto alla SIC	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	D1				140 W	Standard	D1	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Separare														Sosta sul campo di trincea	1200 V	40A		2,1 V a 15 V, 25 A				5 mA	NO	1,8 nF a 25 V
APTC90H12SCTG	-	Richiesta di offerta	1312	Microsemi Corporation	CoolMOS™	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP4	APTC90		MOSFET (ossido di metallo)	250 W		SP4	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	100	4 canali N (mezzo ponte)				900 V	30A		120 mOhm a 26 A, 10 V	3,5 V a 3 mA	270nC a 10V		6800 pF a 100 V	Super giunzione
JAN2N6804	-	Richiesta di offerta	6623	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/562	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-204AA, TO-3			MOSFET (ossido di metallo)			TO-204AA (TO-3)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		Canale P			100 V	11A(Tc)	10 V	360 mOhm a 11 A, 10 V	4 V a 250 µA	29 nC a 10 V	±20 V		-	4 W (Ta), 75 W (Tc)
SD1244-09H	-	Richiesta di offerta	8554	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto				SD1244						-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
JANTX2N6800	-	Richiesta di offerta	7282	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/557	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo			MOSFET (ossido di metallo)			TO-205AF (TO-39)	-	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN			400 V	3A (Tc)	10 V	1,1 Ohm a 3 A, 10 V	4 V a 250 µA	34,75 nC a 10 V	±20 V		-	800 mW (Ta), 25 W (Tc)
APTGF15X120T3G	-	Richiesta di offerta	6100	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-	Montaggio su telaio	SP3				140 W	Standard	SP3	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Invertitore trifase														TNP	1200 V	25A		3,7 V a 15 V, 15 A				250 µA	SÌ	1 nF a 25 V
SD1332-05H	-	Richiesta di offerta	1413	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	200°C	Montaggio superficiale	M150				180 W		M150	-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1				17dB												15 V	30A									NPN		50 a 14 mA, 10 V	5,5GHz	2,5 dB a 1 GHz
APT20M38SVFRG	-	Richiesta di offerta	8457	Microsemi Corporation	POWER MOS V®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-268-3, D³Pak (2 cavi + linguatta), TO-268AA			MOSFET (ossido di metallo)			D3 [S]	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN			200 V	67A(Tc)	10 V	38 mOhm a 500 mA, 10 V	4 V a 1 mA	225 nC a 10 V	±30 V	6120 pF a 25 V	-	370 W(Tc)
JANTXV2N6796	-	Richiesta di offerta	4329	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/557	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-205AF Lattina di metallo			MOSFET (ossido di metallo)			TO-205AF (TO-39)	-	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN			100 V	8A (Tc)	10 V	195 mOhm a 8 A, 10 V	4 V a 250 µA	28,51 nC a 10 V	±20 V		-	800 mW (Ta), 25 W (Tc)
JANTX2N6784U	-	Richiesta di offerta	5312	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/556	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	18-CLCC			MOSFET (ossido di metallo)			18-ULCC (9,14x7,49)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN			200 V	2,25 A(Tc)	10 V	1,6 Ohm a 2,25 A, 10 V	4 V a 250 µA	8,6 nC a 10 V	±20 V		-	800 mW (Ta), 15 W (Tc)
APT10035B2LLG	-	Richiesta di offerta	6679	Microsemi Corporation	POWERMOS7®	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	Variante TO-247-3	APT10035		MOSFET (ossido di metallo)			T-MAX™ [B2]	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN			1000 V	28A (Tc)	10 V	350 mOhm a 14 A, 10 V	5 V a 2,5 mA	186 nC a 10 V	±30 V	5185 pF a 25 V	-	690 W(Tc)
42106HS	-	Richiesta di offerta	6735	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto										-		Non applicabile		OBSOLETO	0000.00.0000	1
JANTXV2N6770T1	-	Richiesta di offerta	9036	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/543	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-254-3, TO-254AA (cavi diritti)			MOSFET (ossido di metallo)			TO-254AA	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN			500 V	12A (Tc)	10 V	500 mOhm a 12 A, 10 V	4 V a 250 µA	120 nC a 10 V	±20 V		-	4 W (Ta), 150 W (Tc)
APT40SM120S	-	Richiesta di offerta	9811	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-268-3, D³Pak (2 cavi + linguatta), TO-268AA			SiCFET (carburo di silicio)			D3Pak	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN			1200 V	41A(Tc)	20 V	100 mOhm a 20 A, 20 V	3 V a 1 mA (tip.)	130 nC a 20 V	+25 V, -10 V	2560 pF a 1000 V	-	273 W(Tc)
APTM20AM05FTG	-	Richiesta di offerta	4184	Microsemi Corporation	-	Massa	Interrotto alla SIC	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP4	APTM20		MOSFET (ossido di metallo)	1250 W		SP4	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	2 canali N (mezzo ponte)				200 V	333A		5 mOhm a 166,5 A, 10 V	4 V a 8 mA	1184nC a 10 V		40800 pF a 25 V	-
APTGT200SK120D3G	-	Richiesta di offerta	3491	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo D-3				1050 W	Standard	D3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	Separare														Sosta sul campo di trincea	1200 V	300 A		2,1 V a 15 V, 200 A				6 mA	NO	14 nF a 25 V
APT44GA60BD30C	-	Richiesta di offerta	8247	Microsemi Corporation	POWERMOS8™	Tubo	Obsoleto	-	Foro passante	TO-247-3	APT44GA60	Standard		337 W		TO-247 [B]	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	30			400 V, 26 A, 4,7 Ohm, 15 V												P.T	600 V	78A	130A	1,6 V a 15 V, 26 A	409μJ (acceso), 450μJ (spento)	128 nC	16ns/102ns
APTGT100A1202G	-	Richiesta di offerta	2878	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	SP2				480 W	Standard	SP2	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	Mezzo ponte														Sosta sul campo di trincea	1200 V	140A		2,1 V a 15 V, 100 A				50 µA	NO	7,2 nF a 25 V
APTGT30DDA60T3G	-	Richiesta di offerta	8420	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP3				90 W	Standard	SP3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	Chopper a doppia spinta														Sosta sul campo di trincea	600 V	50A		1,9 V a 15 V, 30 A				250 µA	SÌ	1,6 nF a 25 V
APTM50DUM17G	-	Richiesta di offerta	1595	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP6	APTM50		MOSFET (ossido di metallo)	1250 W		SP6	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	2 canali N (doppio)				500 V	180A		20 mOhm a 90 A, 10 V	5 V a 10 mA	560nC a 10V		28000 pF a 25 V	-
APTGF90DU60TG	-	Richiesta di offerta	5452	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-	Montaggio su telaio	SP4				416 W	Standard	SP4	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Doppia fonte comune														TNP	600 V	110A		2,5 V a 15 V, 90 A				250 µA	SÌ	4,3 nF a 25 V
APT25SM120B	-	Richiesta di offerta	3461	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3			SiCFET (carburo di silicio)			TO-247	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN			1200 V	25A (Tc)	20 V	175 mOhm a 10 A, 20 V	2,5 V a 1 mA	72 nC a 20 V	+25 V, -10 V		-	175 W(Tc)
APTGF330DA60D3G	-	Richiesta di offerta	9427	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo D-3				1400 W	Standard	D3	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Separare														TNP	600 V	460A		2,5 V a 15 V, 400 A				750 µA	NO	18 nF a 25 V
2N7236U	-	Richiesta di offerta	4339	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-267AB			MOSFET (ossido di metallo)			TO-267AB	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		Canale P			100 V	18A (Tc)	10 V	200 mOhm a 11 A, 10 V	4 V a 250 µA	60 nC a 10 V	±20 V		-	4 W (Ta), 125 W (Tc)
APTGT30SK170D1G	-	Richiesta di offerta	8055	Microsemi Corporation	-	Massa	Interrotto alla SIC	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	D1				210 W	Standard	D1	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Separare														Sosta sul campo di trincea	1700 V	45A		2,4 V a 15 V, 30 A				3 mA	NO	2,5 nF a 25 V