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Transistor(1315)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Ingresso	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Condizione di prova	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Figura di rumore	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Corrente - Interruzione collettore (max)	Termistore NTC	Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Figura di rumore (dB tipo @ f)
APTGF150DA120TG	-	Richiesta di offerta	7889	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-	Montaggio su telaio	SP4				961 W	Standard	SP4	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Separare																	TNP	1200 V	200A		3,7 V a 15 V, 150 A			350 µA	SÌ	10,2 nF a 25 V
2N5031	-	Richiesta di offerta	4591	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-	Foro passante	TO-206AF, TO-72-4 Lattina di metallo				200 mW		TO-72	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0075	1						12 dB a 400 MHz													10 V	20 mA								NPN		25 a 1 mA, 6 V	400 MHz	-
APTGT150A120D1G	-	Richiesta di offerta	6590	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-	Montaggio su telaio	D1				700 W	Standard	D1	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	Mezzo ponte																	Sosta sul campo di trincea	1200 V	220A		2,1 V a 15 V, 150 A			4 mA	NO	10,8 nF a 25 V
2N5013	-	Richiesta di offerta	4009	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo				1 W		TO-5	-		Non applicabile		EAR99	8541.29.0095	1																			800 V	200 mA					10nA (ICBO)			NPN		30 a 20 mA, 10 V	-
MS1261	-	Richiesta di offerta	2663	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	200°C (TJ)	Telaio, montaggio con perno	M122				34W		M122	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1						12dB													18 V	2,5 A								NPN		20 a 250 mA, 5 V	175 MHz	-
MS1007	-	Richiesta di offerta	7194	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	200°C (TJ)	Montaggio su telaio	M174				233 W		M174	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	OBSOLETO	0000.00.0000	1						14dB													55 V	10A								NPN		18 a 1,4 A, 6 V	30 MHz	-
APT70GR65B2SCD30	-	Richiesta di offerta	8906	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	APT70GR65			595 W		T-MAX™ [B2]	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1				433 V, 70 A, 4,3 Ohm, 15 V														TNP	650 V	134A	260A	2,4 V a 15 V, 70 A	305 nC	19ns/170ns
MS2477	-	Richiesta di offerta	8429	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto										-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
2003	-	Richiesta di offerta	5458	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	200°C (TJ)	Montaggio su telaio	55BT-1				12 W		55BT-1	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	OBSOLETO	0000.00.0000	1						8,5dB													50 V	500mA								NPN		10 a 100 mA, 5 V	2GHz	-
APT28F60B	-	Richiesta di offerta	7534	Microsemi Corporation	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	APT28F60		MOSFET (ossido di metallo)			TO-247 [B]	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN					600 V	30A (Tc)	10 V	250 mOhm a 14 A, 10 V	5 V a 1 mA	140 nC a 10 V	±30 V	5575 pF a 25 V	-	520 W(Tc)
MS2212	-	Richiesta di offerta	8600	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	250°C (TJ)	Montaggio su telaio	M222				50 W		M222	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1						8,1dB~8,9dB													55 V	1,8 A								NPN		15 a 500 mA, 5 V	960 MHz ~ 1.215 GHz	-
APT5014B2VRG	-	Richiesta di offerta	4126	Microsemi Corporation	-	Tubo	Obsoleto										-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	30								47A(Tc)
MS3455	-	Richiesta di offerta	6590	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto										-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
APTGT30A170D1G	-	Richiesta di offerta	4509	Microsemi Corporation	-	Massa	Interrotto alla SIC	-	Montaggio su telaio	D1				210 W	Standard	D1	-	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Mezzo ponte																	Sosta sul campo di trincea	1700 V	45A		2,4 V a 15 V, 30 A			3 mA	NO	2,5 nF a 25 V
APT70SM70S	-	Richiesta di offerta	2045	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			SiCFET (carburo di silicio)			D3Pak	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN					700 V	65A (Tc)	20 V	70 mOhm a 32,5 A, 20 V	2,5 V a 1 mA	125 nC a 20 V	+25 V, -10 V		-	220 W (Tc)
APTGF660U60D4G	-	Richiesta di offerta	7470	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-	Montaggio su telaio	D4				2800 W	Standard	D4	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Separare																	TNP	600 V	860 A		2,45 V a 15 V, 800 A			500 µA	NO	36 nF a 25 V
APTGT150SK120D1G	-	Richiesta di offerta	3701	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-	Montaggio su telaio	D1				700 W	Standard	D1	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	Separare																	Sosta sul campo di trincea	1200 V	220A		2,1 V a 15 V, 150 A			4 mA	NO	10,8 nF a 25 V
APT50M65B2LLG	-	Richiesta di offerta	6678	Microsemi Corporation	POWERMOS7®	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	Variante TO-247-3	APT50M65		MOSFET (ossido di metallo)			T-MAX™ [B2]	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN					500 V	67A(Tc)	10 V	65 mOhm a 33,5 A, 10 V	5 V a 2,5 mA	141 nC a 10 V	±30 V	7010 pF a 25 V	-	694 W(Tc)
APTGT300DA120D3G	-	Richiesta di offerta	1417	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo D-3				1250 W	Standard	D3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	Separare																	Sosta sul campo di trincea	1200 V	440A		2,1 V a 15 V, 300 A			8 mA	NO	20 nF a 25 V
APTC60DSKM45T1G	-	Richiesta di offerta	4431	Microsemi Corporation	CoolMOS™	Vassoio	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP1	APTC60		MOSFET (ossido di metallo)	250 W		SP1	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	Canale 2 N (doppio tritatutto)						600 V	49A		45 mOhm a 24,5 A, 10 V	3,9 V a 3 mA	150 nC a 10 V		7200 pF a 25 V	Super giunzione
APTGF150SK120TG	-	Richiesta di offerta	5229	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-	Montaggio su telaio	SP4				961 W	Standard	SP4	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Separare																	TNP	1200 V	200A		3,7 V a 15 V, 150 A			350 µA	SÌ	10,2 nF a 25 V
APTGT150A60TG	-	Richiesta di offerta	6702	Microsemi Corporation	-	Massa	Interrotto alla SIC	-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP4				480 W	Standard	SP4	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Mezzo ponte																	Sosta sul campo di trincea	600 V	225A		1,9 V a 15 V, 150 A			250 µA	SÌ	9,2 nF a 25 V
APTGT100A602G	-	Richiesta di offerta	5237	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	SP2				340 W	Standard	SP2	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	Mezzo ponte																	Sosta sul campo di trincea	600 V	150A		1,9 V a 15 V, 100 A			50 µA	NO	6,1 nF a 25 V
APTGF150A120T3WG	-	Richiesta di offerta	9900	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-	Montaggio su telaio	SP3				961 W	Standard	SP3	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Mezzo ponte																	TNP	1200 V	210A		3,7 V a 15 V, 150 A			250 µA	SÌ	9,3 nF a 25 V
ARF443	-	Richiesta di offerta	9163	Microsemi Corporation	-	Tubo	Obsoleto			TO-247-3		-	-			TO-247 d.C	-	RoHS non conforme	1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1	-		-		-	-											-
APTSM120AM08CT6AG	-	Richiesta di offerta	6482	Microsemi Corporation	-	Massa	Attivo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP6	APTSM120		Carburo di silicio (SiC)	2300 W		SP6	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	2 canali N (doppio), Schottky						1200 V (1,2 kV)	370A(Tc)		10 mOhm a 200 A, 20 V	3 V a 10 mA	1360nC a 20 V			-
MS2421	-	Richiesta di offerta	9507	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	200°C (TJ)	Montaggio su telaio	M103				875 W		M103	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1						6,3dB													65 V	22A								NPN		10 a 500 mA, 5 V	1,025 GHz ~ 1,15 GHz	-
63004	-	Richiesta di offerta	3800	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto										-		Non applicabile		OBSOLETO	0000.00.0000	1
JAN2N6251T1	-	Richiesta di offerta	9402	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/510	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-254-3, TO-254AA (cavi diritti)	2N6251			6 W		TO-254AA	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1																			350 V	10A					1mA			NPN	1,5 V a 1,67 A, 10 A	6 a 10 A, 3 V	-
APT10M11JVR	-	Richiesta di offerta	5283	Microsemi Corporation	POWER MOS V®	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SOT-227-4, miniBLOC			MOSFET (ossido di metallo)			ISOTOP®	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN					100 V	144A(Tc)	10 V		4 V a 2,5 mA	450 nC a 10 V	±30 V	10.300 pF a 25 V	-	450 W(Tc)