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Transistor(1315)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Ingresso	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Condizione di prova	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Tensione - Rottura (V(BR)GSS)	Corrente - Assorbimento (Idss) @ Vds (Vgs=0)	Tensione - Interruzione (VGS disattivato) @ Id	Corrente - Interruzione collettore (max)	Termistore NTC	Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	Resistenza - RDS(On)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Figura di rumore (dB tipo @ f)
JAN2N3811U	-	Richiesta di offerta	6191	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/336	Massa	Obsoleto	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-78-6 Lattina di metallo	2N3811			350 mW		TO-78-6	-	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0095	100																60 V	50mA									10μA (ICBO)				2 PNP (doppio)	250 mV a 100 µA, 1 mA	300 a 1 mA, 5 V	-
APT200GN60JDQ4G	-	Richiesta di offerta	7483	Microsemi Corporation	-	Tubo	Interrotto alla SIC	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio su telaio	ISOTOP				682 W	Standard	ISOTOP®	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	30	Separare														Sosta sul campo di trincea	600 V	283A		1,85 V a 15 V, 200 A							50 µA	NO	14,1 nF a 25 V
MRF4427G	-	Richiesta di offerta	6511	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)				1,5 W		8-SO	-		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0075	2.500				20dB												20 V	400mA													NPN		10 a 10 mA, 5 V	-	-
APTGF530U120D4G	-	Richiesta di offerta	2087	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-	Montaggio su telaio	D4				3900 W	Standard	D4	-		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Separare														TNP	1200 V	700 A		3,7 V a 15 V, 600 A							5 mA	NO	37 nF a 25 V
BFY90	-	Richiesta di offerta	4068	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-	Foro passante	TO-206AF, TO-72-4 Lattina di metallo				200 mW		TO-72	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	OBSOLETO	0000.00.0000	1				20dB												15 V	50mA													NPN		20 a 25 mA, 1 V	1,3GHz	2,5 dB ~ 5 dB a 500 MHz
JAN2N7228	-	Richiesta di offerta	8518	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/592	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-254-3, TO-254AA (diritti conduttori)			MOSFET (ossido di metallo)			TO-254AA	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN			500 V	12A (Tc)	10 V	515 mOhm a 12 A, 10 V	4 V a 250 µA	120 nC a 10 V	±20 V		-	4 W (Ta), 150 W (Tc)
SD1013-03	-	Richiesta di offerta	2320	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	200°C (TJ)	Montaggio su telaio	M113				13 W		M113	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1				10dB												35 V	1A													NPN		10 a 200 mA, 5 V	150 MHz	-
JANTX2N5012	-	Richiesta di offerta	6814	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/727	Massa	Obsoleto	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo				1 W		TO-5	-	RoHS non conforme	Non applicabile		EAR99	8541.29.0095	1																700 V	200 mA									10nA (ICBO)				NPN		30 a 25 mA, 10 V	-
APTM50DHM65TG	-	Richiesta di offerta	1696	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP4	APTM50		MOSFET (ossido di metallo)	390 W		SP4	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	2 canali N (doppio) asimmetrico				500 V	51A		78 mOhm a 25,5 A, 10 V	5 V a 2,5 mA	140 nC a 10 V		7000 pF a 25 V	-
JANTX2N4859	13.8900	Richiesta di offerta	1	Microsemi Corporation	-	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-206AA, TO-18-3 Contenitore in metallo	2N4859			360 mW		TO-18	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0095	1		CanaleN			30 V							18 pF a 10 V (VGS)											30 V	175 mA a 15 V	10 V a 500 pA				25 Ohm
APTC90DAM60CT1G	-	Richiesta di offerta	8584	Microsemi Corporation	CoolMOS™	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP1			MOSFET (ossido di metallo)			SP1	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	100		CanaleN			900 V	59A(Tc)	10 V	60 mOhm a 52 A, 10 V	3,5 V a 6 mA	540 nC a 10 V	±20 V	13600 pF a 100 V	-	462 W(Tc)
JANTXV2N3735	-	Richiesta di offerta	1485	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/395	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo				1 W		TO-39	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1																40 V	1,5 A									10μA (ICBO)				NPN	900 mV a 100 mA, 1 A	20 a 1 A, 1,5 V	-
APT30GP60LDLG	-	Richiesta di offerta	3791	Microsemi Corporation	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-264-3, TO-264AA	APT30GP60	Standard		463 W		TO-264	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1			400 V, 30 A, 5 Ohm, 15 V												P.T	600 V	100A	120A	2,7 V a 15 V, 30 A	260μJ (acceso), 250μJ (spento)	90 nC	13ns/55ns
APTGF250SK60D3G	-	Richiesta di offerta	3314	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-	Montaggio su telaio	Modulo D-3				1250 W	Standard	D3	-		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Separare														TNP	600 V	400 A		2,45 V a 15 V, 300 A							500 µA	NO	13 nF a 25 V
APTM50DHM75TG	-	Richiesta di offerta	3597	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP4	APTM50		MOSFET (ossido di metallo)	357 W		SP4	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	2 canali N (doppio) asimmetrico				500 V	46A		90 mOhm a 23 A, 10 V	5 V a 2,5 mA	123 nC a 10 V		5600 pF a 25 V	-
46015	-	Richiesta di offerta	5120	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto										-		Non applicabile		OBSOLETO	0000.00.0000	1
APTGF150DA120TG	-	Richiesta di offerta	7889	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-	Montaggio su telaio	SP4				961 W	Standard	SP4	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Separare														TNP	1200 V	200A		3,7 V a 15 V, 150 A							350 µA	SÌ	10,2 nF a 25 V
APTGT150A120D1G	-	Richiesta di offerta	6590	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-	Montaggio su telaio	D1				700 W	Standard	D1	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	Mezzo ponte														Sosta sul campo di trincea	1200 V	220A		2,1 V a 15 V, 150 A							4 mA	NO	10,8 nF a 25 V
2N5013	-	Richiesta di offerta	4009	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo				1 W		TO-5	-		Non applicabile		EAR99	8541.29.0095	1																800 V	200 mA									10nA (ICBO)				NPN		30 a 20 mA, 10 V	-
MS1261	-	Richiesta di offerta	2663	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	200°C (TJ)	Telaio, montaggio con perno	M122				34W		M122	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1				12dB												18 V	2,5 A													NPN		20 a 250 mA, 5 V	175 MHz	-
MS1007	-	Richiesta di offerta	7194	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	200°C (TJ)	Montaggio su telaio	M174				233 W		M174	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	OBSOLETO	0000.00.0000	1				14dB												55 V	10A													NPN		18 a 1,4 A, 6 V	30 MHz	-
APT70GR65B2SCD30	-	Richiesta di offerta	8906	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	APT70GR65			595 W		T-MAX™ [B2]	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1			433 V, 70 A, 4,3 Ohm, 15 V												TNP	650 V	134A	260A	2,4 V a 15 V, 70 A		305 nC	19ns/170ns
MS2477	-	Richiesta di offerta	8429	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto										-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
2003	-	Richiesta di offerta	5458	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	200°C (TJ)	Montaggio su telaio	55BT-1				12 W		55BT-1	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	OBSOLETO	0000.00.0000	1				8,5dB												50 V	500mA													NPN		10 a 100 mA, 5 V	2GHz	-
APT28F60B	-	Richiesta di offerta	7534	Microsemi Corporation	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	APT28F60		MOSFET (ossido di metallo)			TO-247 [B]	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN			600 V	30A (Tc)	10 V	250 mOhm a 14 A, 10 V	5 V a 1 mA	140 nC a 10 V	±30 V	5575 pF a 25 V	-	520 W(Tc)
MS2212	-	Richiesta di offerta	8600	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	250°C (TJ)	Montaggio su telaio	M222				50 W		M222	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1				8,1dB~8,9dB												55 V	1,8 A													NPN		15 a 500 mA, 5 V	960 MHz ~ 1.215 GHz	-
APT5014B2VRG	-	Richiesta di offerta	4126	Microsemi Corporation	-	Tubo	Obsoleto										-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	30						47A(Tc)
APTGT30A170D1G	-	Richiesta di offerta	4509	Microsemi Corporation	-	Massa	Interrotto alla SIC	-	Montaggio su telaio	D1				210 W	Standard	D1	-	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Mezzo ponte														Sosta sul campo di trincea	1700 V	45A		2,4 V a 15 V, 30 A							3 mA	NO	2,5 nF a 25 V
APT70SM70S	-	Richiesta di offerta	2045	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			SiCFET (carburo di silicio)			D3Pak	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN			700 V	65A (Tc)	20 V	70 mOhm a 32,5 A, 20 V	2,5 V a 1 mA	125 nC a 20 V	+25 V, -10 V		-	220 W (Tc)
APTGF660U60D4G	-	Richiesta di offerta	7470	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-	Montaggio su telaio	D4				2800 W	Standard	D4	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Separare														TNP	600 V	860 A		2,45 V a 15 V, 800 A							500 µA	NO	36 nF a 25 V