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Transistor(1315)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Ingresso	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Tensione - Rottura (V(BR)GSS)	Corrente - Assorbimento (Idss) @ Vds (Vgs=0)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Termistore NTC	Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	Resistenza - RDS(On)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Figura di rumore (dB tipo @ f)
JANTX2N4093UB	126.9800	Richiesta di offerta	88	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/431	Massa	Attivo	-	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo	2N4093		360 mW		UB	-	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0095	1		CanaleN		40 V							16 pF a 20 V							40 V	8 mA a 20 V				80 Ohm
JANTXV2N6764	-	Richiesta di offerta	5780	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/543	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-204AE		MOSFET (ossido di metallo)			TO-3	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		100 V	38A(Tc)	10 V	65 mOhm a 38 A, 10 V	4 V a 250 µA	125 nC a 10 V	±20 V		-	4 W (Ta), 150 W (Tc)
2N3811L	-	Richiesta di offerta	5128	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-78-6 Lattina di metallo	2N3811		350 mW		TO-78-6	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0095	1															60 V	50mA				10μA (ICBO)				2 PNP (doppio)	250 mV a 100 µA, 1 mA	300 a 1 mA, 5 V	-
APT20M19JVR	-	Richiesta di offerta	7350	Microsemi Corporation	POWER MOS V®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SOT-227-4, miniBLOC		MOSFET (ossido di metallo)			ISOTOP®	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	10		CanaleN		200 V	112A(Tc)	10 V	19 mOhm a 500 mA, 10 V	4 V a 1 mA	495 nC a 10 V	±30 V	11640 pF a 25 V	-	500 W(Tc)
2N2944AUB	-	Richiesta di offerta	1334	Microsemi Corporation	-	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo	2N2944		400 mW		UB	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0095	1															10 V	100 mA				10μA (ICBO)				PNP	-	100 a 1 mA, 500 mV	-
APTC60DSKM35T3G	-	Richiesta di offerta	3658	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP3	APTC60	MOSFET (ossido di metallo)	416 W		SP3	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	2 canali N (doppio)			600 V	72A		35 mOhm a 72 A, 10 V	3,9 V a 5,4 mA	518nC a 10V		14.000 pF a 25 V	-
JAN2N6796	-	Richiesta di offerta	9131	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/557	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-205AF Lattina di metallo		MOSFET (ossido di metallo)			TO-39	-	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		100 V	8A (Tc)	10 V	195 mOhm a 8 A, 10 V	4 V a 250 µA	28,51 nC a 10 V	±20 V		-	800 mW (Ta), 25 W (Tc)
APT94N65B2C3G	-	Richiesta di offerta	8606	Microsemi Corporation	CoolMOS™	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	Variante TO-247-3	APT94N65	MOSFET (ossido di metallo)			T-MAX™ [B2]	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		650 V	94A(Tc)	10 V	35 mOhm a 47 A, 10 V	3,9 V a 5,8 mA	580 nC a 10 V	±20 V	13940 pF a 25 V	-	833 W(Tc)
90025HS	-	Richiesta di offerta	4641	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto									-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
APT40M42JN	-	Richiesta di offerta	4391	Microsemi Corporation	POWER MOS IV®	Vassoio	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SOT-227-4, miniBLOC		MOSFET (ossido di metallo)			ISOTOP®	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		400 V	86A(Tc)	10 V	42 mOhm a 43 A, 10 V	4 V a 5 mA	760 nC a 10 V	±30 V	14.000 pF a 25 V	-	690 W(Tc)
SRF4427G	-	Richiesta di offerta	7655	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)			1,5 W		8-SO	scaricamento		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1			18dB												18 V	400mA								NPN		20 a 150 mA, 5 V	1,3GHz	-
APT40M75JN	-	Richiesta di offerta	5348	Microsemi Corporation	POWER MOS IV®	Vassoio	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SOT-227-4, miniBLOC		MOSFET (ossido di metallo)			ISOTOP®	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		400 V	56A(Tc)	10 V	75 mOhm a 28 A, 10 V	4 V a 2,5 mA	370 nC a 10 V	±30 V	6800 pF a 25 V	-	520 W(Tc)
APT55M65JFLL	-	Richiesta di offerta	5770	Microsemi Corporation	POWERMOS7®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SOT-227-4, miniBLOC		MOSFET (ossido di metallo)			ISOTOP®	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	10		CanaleN		550 V	63A(Tc)	10 V	65 mOhm a 31,5 A, 10 V	5 V a 5 mA	205 nC a 10 V	±30 V	9165 pF a 25 V	-	595 W(Tc)
APTSM120AM09CD3AG	-	Richiesta di offerta	8457	Microsemi Corporation	-	Massa	Attivo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo	APTSM120	Carburo di silicio (SiC)			Modulo	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	2 canali N (doppio)			1200 V (1,2 kV)	337A(Tc)		11 mOhm a 180 A, 20 V	3 V a 9 mA	1224nC a 20 V		23.000 pF a 1.000 V	-
80263B	-	Richiesta di offerta	5604	Microsemi Corporation	*	Massa	Obsoleto									-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
APTM50TDUM65PG	-	Richiesta di offerta	7413	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP6	APTM50	MOSFET (ossido di metallo)	390 W		SP6-P	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	6 canali N (ponte trifase)			500 V	51A		78 mOhm a 25,5 A, 10 V	5 V a 2,5 mA	140 nC a 10 V		7000 pF a 25 V	-
APTM100DA40T1G	-	Richiesta di offerta	9513	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP1		MOSFET (ossido di metallo)			SP1	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		1000 V	20A (Tc)	10 V	480 mOhm a 16 A, 10 V	5 V a 2,5 mA	260 nC a 10 V	±30 V	6800 pF a 25 V	-	357 W(Tc)
APTGT20X60T3G	-	Richiesta di offerta	1894	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP3			62 W	Standard	SP3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	Invertitore trifase													Sosta sul campo di trincea	600 V	32A	1,9 V a 15 V, 20 A			250 µA	SÌ	1,1 nF a 25 V
2N6770	-	Richiesta di offerta	4270	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-204AE		MOSFET (ossido di metallo)			TO-3	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		500 V	12A (Tc)	10 V	500 mOhm a 12 A, 10 V	4 V a 250 µA	120 nC a 10 V	±20 V		-	4 W (Ta), 150 W (Tc)
MSC1400M	-	Richiesta di offerta	1093	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	250°C (TJ)	Montaggio su telaio	M216			1000 W		M216	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	OBSOLETO	0000.00.0000	1			6,5dB												65 V	28A								NPN		15 a 1 A, 5 V	1,025 GHz ~ 1,15 GHz	-
APTGL325DA120D3G	-	Richiesta di offerta	6170	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo D-3			1500 W	Standard	D3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	Separare													Sosta sul campo di trincea	1200 V	420A	2,2 V a 15 V, 300 A			5 mA	NO	18,6 nF a 25 V
APTC90H12T2G	-	Richiesta di offerta	3553	Microsemi Corporation	CoolMOS™	Vassoio	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP2	APTC90	MOSFET (ossido di metallo)	250 W		SP2	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	4 canali N (mezzo ponte)			900 V	30A		120 mOhm a 26 A, 10 V	3,5 V a 3 mA	270nC a 10V		6800 pF a 100 V	Super giunzione
JANTX2N3251AUB	-	Richiesta di offerta	1639	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/323	Massa	Obsoleto	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo	2N3251		360 mW		UB	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0095	1															60 V	200 mA				10μA (ICBO)				PNP	500mV a 5mA, 50mA	100 a 10 mA, 1 V	-
APT5510JFLL	-	Richiesta di offerta	2720	Microsemi Corporation	POWERMOS7®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SOT-227-4, miniBLOC		MOSFET (ossido di metallo)			ISOTOP®	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	10		CanaleN		550 V	44A(Tc)	10 V	100 mOhm a 22 A, 10 V	5 V a 2,5 mA	124 nC a 10 V	±30 V	5823 pF a 25 V	-	463 W(Tc)
2N7334	-	Richiesta di offerta	7989	Microsemi Corporation	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	14 DIP (0,300", 7,62 mm)	2N733	MOSFET (ossido di metallo)	1,4 W		MO-036AB	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	4 canali N			100 V	1A		700 mOhm a 600 mA, 10 V	4 V a 250 µA	60nC a 10V		-	-
APTGF250A60D3G	-	Richiesta di offerta	8252	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-	Montaggio su telaio	Modulo D-3			1250 W	Standard	D3	-		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Mezzo ponte													TNP	600 V	400 A	2,45 V a 15 V, 300 A			500 µA	NO	13 nF a 25 V
APT75GN120J	-	Richiesta di offerta	8164	Microsemi Corporation	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	ISOTOP			379 W	Standard	ISOTOP®	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	30	Separare													Sosta sul campo di trincea	1200 V	124A	2,1 V a 15 V, 75 A			100 µA	NO	4,8 nF a 25 V
76018	-	Richiesta di offerta	7306	Microsemi Corporation	*	Massa	Obsoleto				-					-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
JANTX2N7228U	-	Richiesta di offerta	8569	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/592	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-267AB		MOSFET (ossido di metallo)			TO-267AB	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		500 V	12A (Tc)	10 V	515 mOhm a 12 A, 10 V	4 V a 250 µA	120 nC a 10 V	±20 V		-	4 W (Ta), 150 W (Tc)
MS2265	-	Richiesta di offerta	8379	Microsemi Corporation	*	Massa	Obsoleto									-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1