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Transistor(1315)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Ingresso	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Tensione - Rottura (V(BR)GSS)	Corrente - Assorbimento (Idss) @ Vds (Vgs=0)	Tensione - Interruzione (VGS disattivato) @ Id	Corrente - Interruzione collettore (max)	Termistore NTC	Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	Resistenza - RDS(On)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (max) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Figura di rumore (dB tipo @ f)
JANTX2N7224U	-	Richiesta di offerta	6410	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/592	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-267AB		MOSFET (ossido di metallo)			TO-267AB	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		100 V	34A (Tc)	10 V	81 mOhm a 34 A, 10 V	4 V a 250 µA	125 nC a 10 V	±20 V		-	4 W (Ta), 150 W (Tc)
APTGT75A120D1G	-	Richiesta di offerta	7082	Microsemi Corporation	-	Massa	Interrotto alla SIC	-	Montaggio su telaio	D1			357 W	Standard	D1	-	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Mezzo ponte													Sosta sul campo di trincea	1200 V	110A	2,1 V a 15 V, 75 A				4 mA	NO	5.345 nF a 25 V
APTGFQ25H120T2G	-	Richiesta di offerta	6232	Microsemi Corporation	-	Massa	Attivo	-	Foro passante	SP2	APTGFQ25		227 W	Standard	SP2	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	Ponte completo													TNP e Fieldstop	1200 V	40A	2,1 V a 15 V, 25 A				250 µA	SÌ	2,02 nF a 25 V
APTGL90DH120T3G	-	Richiesta di offerta	1833	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP3			385 W	Standard	SP3	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	Ponte asimmetrico													Sosta sul campo di trincea	1200 V	110A	2,2 V a 15 V, 75 A				250 µA	SÌ	4,4 nF a 25 V
MS2321A	-	Richiesta di offerta	5260	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto									-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
APT25GF120JCU2	-	Richiesta di offerta	4464	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-	Telaio, montaggio con perno	SOT-227-4, miniBLOC			227 W	Standard	SOT-227	-		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Separare													TNP	1200 V	45A	3,7 V a 15 V, 25 A				250 µA	NO	1,65 nF a 25 V
APTGF50H120TG	-	Richiesta di offerta	7959	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-	Montaggio su telaio	SP4			312 W	Standard	SP4	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Invertitore a ponte intero													TNP	1200 V	75A	3,7 V a 15 V, 50 A				250 µA	SÌ	3,45 nF a 25 V
APTM50DAM38TG	-	Richiesta di offerta	6219	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP4		MOSFET (ossido di metallo)			SP4	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		500 V	90A (Tc)	10 V	45 mOhm a 45 A, 10 V	5 V a 5 mA	246 nC a 10 V	±30 V	11.200 pF a 25 V	-	694 W(Tc)
JAN2N6849	-	Richiesta di offerta	8880	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/564	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-205AF Lattina di metallo		MOSFET (ossido di metallo)			TO-39	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		Canale P		100 V	6,5 A(Tc)	10 V	320 mOhm a 6,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	34,8 nC a 10 V	±20 V		-	800 mW (Ta), 25 W (Tc)
MSC1090M	-	Richiesta di offerta	8102	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	200°C	Montaggio su telaio	M220			220 W		M220	-		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0075	1			8,4dB												65 V	5,52A									-		15 a 500 mA, 5 V	1,025 GHz ~ 1,15 GHz	-
MS2554	-	Richiesta di offerta	8187	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	200°C (TJ)	Montaggio su telaio	M218			600W		M218	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1			6,2dB												65 V	17,8A									NPN		15 a 1 A, 5 V	1,025 GHz ~ 1,15 GHz	-
MRF5812R1	-	Richiesta di offerta	2805	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)			1,25 W		8-SO	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0075	2.500			13dB~15,5dB												15 V	200mA									NPN		50 a 50 mA, 5 V	5GHz	2 dB ~ 3 dB a 500 MHz
JAN2N3811U	-	Richiesta di offerta	6191	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/336	Massa	Obsoleto	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-78-6 Lattina di metallo	2N3811		350 mW		TO-78-6	-	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0095	100															60 V	50mA					10 µA (ICBO)				2 PNP (doppio)	250 mV a 100 µA, 1 mA	300 a 1 mA, 5 V	-
APT200GN60JDQ4G	-	Richiesta di offerta	7483	Microsemi Corporation	-	Tubo	Interrotto alla SIC	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio su telaio	ISOTOP			682 W	Standard	ISOTOP®	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	30	Separare													Sosta sul campo di trincea	600 V	283A	1,85 V a 15 V, 200 A				50 µA	NO	14,1 nF a 25 V
MRF4427G	-	Richiesta di offerta	6511	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)			1,5 W		8-SO	-		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0075	2.500			20dB												20 V	400mA									NPN		10 a 10 mA, 5 V	-	-
APTGF530U120D4G	-	Richiesta di offerta	2087	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-	Montaggio su telaio	D4			3900 W	Standard	D4	-		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Separare													TNP	1200 V	700 A	3,7 V a 15 V, 600 A				5 mA	NO	37 nF a 25 V
SD1013-03	-	Richiesta di offerta	2320	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	200°C (TJ)	Montaggio su telaio	M113			13 W		M113	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1			10dB												35 V	1A									NPN		10 a 200 mA, 5 V	150 MHz	-
JANTX2N5012	-	Richiesta di offerta	6814	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/727	Massa	Obsoleto	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo			1 W		TO-5	-	RoHS non conforme	Non applicabile		EAR99	8541.29.0095	1															700 V	200mA					10nA (ICBO)				NPN		30 a 25 mA, 10 V	-
APTM50DHM65TG	-	Richiesta di offerta	1696	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP4	APTM50	MOSFET (ossido di metallo)	390 W		SP4	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	2 canali N (doppio) asimmetrico			500 V	51A		78 mOhm a 25,5 A, 10 V	5 V a 2,5 mA	140 nC a 10 V		7000 pF a 25 V	-
JANTX2N4859	13.8900	Richiesta di offerta	1	Microsemi Corporation	-	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-206AA, TO-18-3 Contenitore in metallo	2N4859		360 mW		TO-18	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0095	1		CanaleN		30 V							18 pF a 10 V (VGS)							30 V	175 mA a 15 V	10 V a 500 pA				25 Ohm
APTC90DAM60CT1G	-	Richiesta di offerta	8584	Microsemi Corporation	CoolMOS™	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP1		MOSFET (ossido di metallo)			SP1	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	100		CanaleN		900 V	59A(Tc)	10 V	60 mOhm a 52 A, 10 V	3,5 V a 6 mA	540 nC a 10 V	±20 V	13600 pF a 100 V	-	462 W(Tc)
JANTXV2N3735	-	Richiesta di offerta	1485	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/395	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo			1 W		TO-39	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1															40 V	1,5 A					10 µA (ICBO)				NPN	900 mV a 100 mA, 1 A	20 a 1 A, 1,5 V	-
APTGF250SK60D3G	-	Richiesta di offerta	3314	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-	Montaggio su telaio	Modulo D-3			1250 W	Standard	D3	-		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Separare													TNP	600 V	400 A	2,45 V a 15 V, 300 A				500 µA	NO	13 nF a 25 V
APTM50DHM75TG	-	Richiesta di offerta	3597	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP4	APTM50	MOSFET (ossido di metallo)	357 W		SP4	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	2 canali N (doppio) asimmetrico			500 V	46A		90 mOhm a 23 A, 10 V	5 V a 2,5 mA	123 nC a 10 V		5600 pF a 25 V	-
46015	-	Richiesta di offerta	5120	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto									-		Non applicabile		OBSOLETO	0000.00.0000	1
APTGF150DA120TG	-	Richiesta di offerta	7889	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-	Montaggio su telaio	SP4			961 W	Standard	SP4	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Separare													TNP	1200 V	200A	3,7 V a 15 V, 150 A				350 µA	SÌ	10,2 nF a 25 V
APTGT150A120D1G	-	Richiesta di offerta	6590	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-	Montaggio su telaio	D1			700 W	Standard	D1	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	Mezzo ponte													Sosta sul campo di trincea	1200 V	220A	2,1 V a 15 V, 150 A				4 mA	NO	10,8 nF a 25 V
2N5013	-	Richiesta di offerta	4009	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo			1 W		TO-5	-		Non applicabile		EAR99	8541.29.0095	1															800 V	200mA					10nA (ICBO)				NPN		30 a 20 mA, 10 V	-
MS1261	-	Richiesta di offerta	2663	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	200°C (TJ)	Telaio, montaggio con perno	M122			34W		M122	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1			12dB												18 V	2,5 A									NPN		20 a 250 mA, 5 V	175 MHz	-
MS1007	-	Richiesta di offerta	7194	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	200°C (TJ)	Montaggio su telaio	M174			233 W		M174	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	OBSOLETO	0000.00.0000	1			14dB												55 V	10A									NPN		18 a 1,4 A, 6 V	30 MHz	-