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Transistor(1315)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Ingresso	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Condizione di prova	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Figura di rumore	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Corrente - Interruzione collettore (max)	Termistore NTC	Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Figura di rumore (dB tipo @ f)
60205	-	Richiesta di offerta	3565	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto											-		Non applicabile		OBSOLETO	0000.00.0000	1
APTM100SK18TG	-	Richiesta di offerta	5067	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP4				MOSFET (ossido di metallo)			SP4	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN					1000 V	43A(Tc)	10 V	210 mOhm a 21,5 A, 10 V	5 V a 5 mA	372 nC a 10 V	±30 V	10.400 pF a 25 V	-	780 W(Tc)
APTGT50SK170D1G	-	Richiesta di offerta	5103	Microsemi Corporation	-	Massa	Interrotto alla SIC	-	Montaggio su telaio	D1					310 W	Standard	D1	-	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Separare																	Sosta sul campo di trincea	1700 V	70A		2,4 V a 15 V, 50 A				6 mA	NO	4,4 nF a 25 V
JANTX2N7227	-	Richiesta di offerta	2480	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/592	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-254-3, TO-254AA (diritti conduttori)				MOSFET (ossido di metallo)			TO-254AA	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN					400 V	14A (Tc)	10 V	415 mOhm a 14 A, 10 V	4 V a 250 µA	110 nC a 10 V	±20 V		-	4 W (Ta), 150 W (Tc)
APT6030BN	-	Richiesta di offerta	8188	Microsemi Corporation	POWER MOS IV®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3				MOSFET (ossido di metallo)			TO-247 d.C	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN					600 V	23A (Tc)	10 V	300 mOhm a 11,5 A, 10 V	4 V a 1 mA	210 nC a 10 V	±30 V	3500 pF a 25 V	-	360 W(Tc)
JANTX2N6788U	-	Richiesta di offerta	6278	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/555	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	18-CLCC				MOSFET (ossido di metallo)			18-ULCC (9,14x7,49)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0095	1		CanaleN					100 V	4,5 A(Tc)	10 V	350 mOhm a 6 A, 10 V	4 V a 250 µA	18 nC a 10 V	±20 V		-	800 mW(Tc)
JANTX2N4957UB	-	Richiesta di offerta	2552	Microsemi Corporation	-	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo	2N4957				200 mW		UB	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0095	1						25dB													30 V	30mA									PNP		30 a 5 mA, 10 V	-	3,5 dB a 450 MHz
APT11GF120KRG	-	Richiesta di offerta	6419	Microsemi Corporation	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	APT11G	Standard			156 W		TO-220 [K]	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	50				800 V, 8 A, 10 Ohm, 15 V														TNP	1200 V	25A	44A	3 V a 15 V, 8 A	300μJ (acceso), 285μJ (spento)	65 nC	7ns/100ns
JAN2N6800	-	Richiesta di offerta	6769	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/557	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-205AF Lattina di metallo				MOSFET (ossido di metallo)			TO-39	-	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN					400 V	3A (Tc)	10 V	1,1 Ohm a 3 A, 10 V	4 V a 250 µA	34,75 nC a 10 V	±20 V		-	800 mW (Ta), 25 W (Tc)
JANSR2N7268U	-	Richiesta di offerta	3781	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/603	Vassoio	Obsoleto	-55°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo				MOSFET (ossido di metallo)			U1 (SMD-1)	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN					100 V	34A (Tc)	12V	70 mOhm a 34 A, 12 V	4 V a 1 mA	160 nC a 12 V	±20 V		-	150 W(Tc)
JAN2N7225U	-	Richiesta di offerta	5964	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/592	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-267AB				MOSFET (ossido di metallo)			TO-267AB	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN					200 V	27,4 A(Tc)	10 V	105 mOhm a 27,4 A, 10 V	4 V a 250 µA	115 nC a 10 V	±20 V		-	4 W (Ta), 150 W (Tc)
APTGF300DU120G	-	Richiesta di offerta	6723	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-	Montaggio su telaio	SP6					1780 W	Standard	SP6	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Doppia fonte comune																	TNP	1200 V	400 A		3,9 V a 15 V, 300 A				500 µA	NO	21 nF a 25 V
APT5SM170B	-	Richiesta di offerta	8248	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3				SiCFET (carburo di silicio)			TO-247-3	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN					1700 V	5A (Tc)	20 V	1,25 Ohm a 2,5 A, 20 V	3,2 V a 500 µA	21 nC a 20 V	+25 V, -10 V	249 pF a 1000 V	-	65 W (Tc)
MS1008	-	Richiesta di offerta	7120	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	200°C (TJ)	Montaggio su telaio	M164					233 W		M164	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1						14dB													55 V	10A									NPN		15 a 1,4 A, 6 V	30 MHz	-
TPR700	-	Richiesta di offerta	8742	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	200°C (TJ)	Montaggio su telaio	55KT					2050 W		55KT	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1						6,7dB													65 V	55A									NPN		10 a 1 A, 5 V	1,03GHz~1,09GHz	-
JANTX2N6798	-	Richiesta di offerta	1054	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/557	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-205AF Lattina di metallo				MOSFET (ossido di metallo)			TO-205AF (TO-39)	-	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN					200 V	5,5 A (TC)	10 V	420 mOhm a 5,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	42,07 nC a 10 V	±20 V		-	800 mW (Ta), 25 W (Tc)
68234Z	-	Richiesta di offerta	6762	Microsemi Corporation	*	Massa	Obsoleto											-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
JANTXV2N6251T1	-	Richiesta di offerta	7675	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/510	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-254-3, TO-254AA (diritti conduttori)	2N6251				6 W		TO-254AA	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1																			350 V	10A						1mA			NPN	1,5 V a 1,67 A, 10 A	6 a 10 A, 3 V	-
2N5099	-	Richiesta di offerta	9688	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-	Foro passante	TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo					4 W		TO-5	-	RoHS non conforme	Non applicabile		EAR99	8541.29.0095	1																			800 V	1A						-			NPN	-	-	-
MRF586G	-	Richiesta di offerta	5778	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo					1 W		TO-39	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	OBSOLETO	0000.00.0000	1						13,5dB													17V	200mA									NPN		40 a 50 mA, 5 V	3GHz	-
APTM50DUM38TG	-	Richiesta di offerta	8709	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP4	APTM50			MOSFET (ossido di metallo)	694W		SP4	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	2 canali N (doppio)						500 V	90A		45 mOhm a 45 A, 10 V	5 V a 5 mA	246nC a 10 V		11200 pF a 25 V	-
2731-200P	-	Richiesta di offerta	7237	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-	Montaggio su telaio	Modulo					-		Modulo	-		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0075	1						8,7dB													-	-									-		-	2,7GHz~3,1GHz	-
VRF191MP	-	Richiesta di offerta	4540	Microsemi Corporation	-	Tubo	Obsoleto			-			-	-			-	-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1	-		-		-	-											-
68106H	-	Richiesta di offerta	6583	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto											-		Non applicabile		OBSOLETO	0000.00.0000	1
MSC1450A	-	Richiesta di offerta	9635	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	250°C	Montaggio su telaio	M216					910W		M216	-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1						7dB													65 V	28A									-		15 a 1 A, 5 V	-	-
TAN250A	-	Richiesta di offerta	6260	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	200°C (TJ)	Montaggio su telaio	55AW					575 W		55AW	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1						6,2dB~7dB													60 V	30A									NPN		10 a 1 A, 5 V	960 MHz ~ 1.215 GHz	-
APTC80DSK15T3G	-	Richiesta di offerta	2149	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP3	APTC80			MOSFET (ossido di metallo)	277 W		SP3	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	2 canali N (doppio)						800 V	28A		150 mOhm a 14 A, 10 V	3,9 V a 2 mA	180 nC a 10 V		4507 pF a 25 V	-
JANTX2N6790U	-	Richiesta di offerta	8178	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/555	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	18-CLCC				MOSFET (ossido di metallo)			18-ULCC (9,14x7,49)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0095	1		CanaleN					200 V	2,8 A(Tc)	10 V	850 mOhm a 3,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	14,3 nC a 10 V	±20 V		-	800 mW(Tc)
APTGF90TDU60PG	-	Richiesta di offerta	5664	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP6					416 W	Standard	SP6-P	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	Tripla, doppia - Sorgente comune																	TNP	600 V	110A		2,5 V a 15 V, 90 A				250 µA	NO	4,3 nF a 25 V
APTGF330A60D3G	-	Richiesta di offerta	1768	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-	Montaggio su telaio	Modulo D-3					1560 W	Standard	D3	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Mezzo ponte																	TNP	600 V	520A		2,45 V a 15 V, 400 A				500 µA	NO	18 nF a 25 V