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Transistor(1315)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Ingresso	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Condizione di prova	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Corrente - Interruzione collettore (max)	Termistore NTC	Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Figura di rumore (dB tipo @ f)
APT11GP60BDQBG	-	Richiesta di offerta	2652	Microsemi Corporation	POWERMOS7®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	APT11G	Standard		187 W		TO-247-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	30			400 V, 11 A, 5 Ohm, 15 V												P.T	600 V	41A	45A	2,7 V a 15 V, 11 A	46μJ (acceso), 90μJ (spento)	40 nC	7ns/29ns
APTGF100A120T3WG	-	Richiesta di offerta	4301	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-	Montaggio su telaio	SP3				657 W	Standard	SP3	-		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Mezzo ponte														TNP	1200 V	130A		3,7 V a 15 V, 100 A				250 µA	SÌ	6,5 nF a 25 V
APTC90AM60SCTG	-	Richiesta di offerta	5132	Microsemi Corporation	CoolMOS™	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP4	APTC90		MOSFET (ossido di metallo)	462 W		SP4	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	100	2 canali N (mezzo ponte)				900 V	59A		60 mOhm a 52 A, 10 V	3,5 V a 6 mA	540nC a 10V		13600 pF a 100 V	Super giunzione
JTDB75	-	Richiesta di offerta	5270	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	200°C (TJ)	Montaggio su telaio	55AW				220 W		55AW	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1				7dB~8,2dB												55 V	8A									NPN		20 a 1 A, 5 V	960 MHz ~ 1.215 GHz	-
JAN2N3811	-	Richiesta di offerta	9829	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/336	Massa	Obsoleto	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-78-6 Lattina di metallo	2N3811			350 mW		TO-78-6	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0095	1																60 V	50mA						10 µA (ICBO)			2 PNP (doppio)	250 mV a 100 µA, 1 mA	300 a 1 mA, 5 V	-
APTGF15X120T3G	-	Richiesta di offerta	6100	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-	Montaggio su telaio	SP3				140 W	Standard	SP3	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Invertitore trifase														TNP	1200 V	25A		3,7 V a 15 V, 15 A				250 µA	SÌ	1 nF a 25 V
JANTXV2N6788	-	Richiesta di offerta	3559	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/555	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-205AF Lattina di metallo			MOSFET (ossido di metallo)			TO-205AF (TO-39)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0095	1		CanaleN			100 V	6A (Tc)	10 V	350 mOhm a 6 A, 10 V	4 V a 250 µA	18 nC a 10 V	±20 V		-	800 mW(Tc)
80270	-	Richiesta di offerta	2646	Microsemi Corporation	*	Massa	Obsoleto				-						-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
APTC60AM83B1G	-	Richiesta di offerta	5891	Microsemi Corporation	CoolMOS™	Vassoio	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP1	APTC60		MOSFET (ossido di metallo)	250 W		SP1	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	Canale 3 N (fase gamba + boost chopper)				600 V	36A		83 mOhm a 24,5 A, 10 V	5 V a 3 mA	250 nC a 10 V		7200 pF a 25 V	Super giunzione
70060A	-	Richiesta di offerta	6539	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto										-		Non applicabile		OBSOLETO	0000.00.0000	1
APTGT75DA120D1G	-	Richiesta di offerta	7594	Microsemi Corporation	-	Massa	Interrotto alla SIC	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	D1				357 W	Standard	D1	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Separare														Sosta sul campo di trincea	1200 V	110A		2,1 V a 15 V, 75 A				4 mA	NO	5.345 nF a 25 V
APTGF100DU120TG	-	Richiesta di offerta	5907	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-	Montaggio su telaio	SP4				568 W	Standard	SP4	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Doppia fonte comune														TNP	1200 V	135A		3,7 V a 15 V, 100 A				350 µA	SÌ	6,9 nF a 25 V
2N6762	-	Richiesta di offerta	7331	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-204AA, TO-3			MOSFET (ossido di metallo)			TO-204AA	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN			500 V	4,5 A(Tc)	10 V	1,8 Ohm a 4,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	40 nC a 10 V	±20 V		-	4 W (Ta), 75 W (Tc)
JANTXV2N7224U	-	Richiesta di offerta	9402	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/592	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-267AB			MOSFET (ossido di metallo)			TO-267AB	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN			100 V	34A (Tc)	10 V	81 mOhm a 34 A, 10 V	4 V a 250 µA	125 nC a 10 V	±20 V		-	4 W (Ta), 150 W (Tc)
APTM50SKM35TG	-	Richiesta di offerta	1645	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP4			MOSFET (ossido di metallo)			SP4	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN			500 V	99A(Tc)	10 V	39 mOhm a 49,5 A, 10 V	5 V a 5 mA	280 nC a 10 V	±30 V	14.000 pF a 25 V	-	781W(Tc)
MS2588	-	Richiesta di offerta	4337	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto										-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
APTGL325SK120D3G	-	Richiesta di offerta	9835	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo D-3				1500 W	Standard	D3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	Separare														Sosta sul campo di trincea	1200 V	420A		2,2 V a 15 V, 300 A				5 mA	NO	18,6 nF a 25 V
JANTXV2N7227	-	Richiesta di offerta	5528	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/592	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-254-3, TO-254AA (cavi diritti)			MOSFET (ossido di metallo)			TO-254AA	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN			400 V	14A (Tc)	10 V	415 mOhm a 14 A, 10 V	4 V a 250 µA	110 nC a 10 V	±20 V		-	4 W (Ta), 150 W (Tc)
APTM50DUM19G	-	Richiesta di offerta	6767	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP6	APTM50		MOSFET (ossido di metallo)	1136 W		SP6	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	2 canali N (doppio)				500 V	163A		22,5 mOhm a 81,5 A, 10 V	5 V a 10 mA	492nC a 10 V		22400 pF a 25 V	-
APT33N90JCCU2	-	Richiesta di offerta	4928	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SOT-227-4, miniBLOC			MOSFET (ossido di metallo)			SOT-227	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	100		CanaleN			900 V	33A(Tc)	10 V	120 mOhm a 26 A, 10 V	3,5 V a 3 mA	270 nC a 10 V	±20 V	6800 pF a 100 V	-	290 W(Tc)
APTM100DUM90G	-	Richiesta di offerta	4534	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP6	APTM100		MOSFET (ossido di metallo)	1250 W		SP6	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	2 canali N (doppio)				1000 V (1 kV)	78A		105 mOhm a 39 A, 10 V	5 V a 10 mA	744nC a 10 V		20700 pF a 25 V	-
JANTX2N6760	-	Richiesta di offerta	2431	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/542	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-204AA, TO-3			MOSFET (ossido di metallo)			TO-204AA (TO-3)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN			400 V	5,5 A (TC)	10 V	1,22 Ohm a 5,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	39 nC a 10 V	±20 V		-	4 W (Ta), 75 W (Tc)
APTGT400SK60D3G	-	Richiesta di offerta	2549	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo D-3				1250 W	Standard	D3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	Separare														Sosta sul campo di trincea	600 V	500 A		1,9 V a 15 V, 400 A				500 µA	NO	24 nF a 25 V
MS2563	-	Richiesta di offerta	8409	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto										-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
APTM120TDU57PG	-	Richiesta di offerta	3362	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP6	APTM120		MOSFET (ossido di metallo)	390 W		SP6-P	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	6 canali N (ponte trifase)				1200 V (1,2 kV)	17A		684 mOhm a 8,5 A, 10 V	5 V a 2,5 mA	187nC a 10 V		5155pF a 25V	-
JAN2N7224	-	Richiesta di offerta	8340	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/592	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-254-3, TO-254AA (cavi diritti)			MOSFET (ossido di metallo)			TO-254AA	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN			100 V	34A (Tc)	10 V	81 mOhm a 34 A, 10 V	4 V a 250 µA	125 nC a 10 V	±20 V		-	4 W (Ta), 150 W (Tc)
SD1332-05C	-	Richiesta di offerta	8837	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	200°C	Montaggio superficiale	M150				180 W		M150	-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1				17dB												15 V	30A									NPN		50 a 14 mA, 10 V	5,5GHz	2,5 dB a 1 GHz
APTM10DDAM09T3G	-	Richiesta di offerta	1847	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP3	APTM10		MOSFET (ossido di metallo)	390 W		SP3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	2 canali N (doppio)				100 V	139A		10 mOhm a 69,5 A, 10 V	4 V a 2,5 mA	350 nC a 10 V		9875 pF a 25 V	-
APTGT150DA170D1G	-	Richiesta di offerta	9497	Microsemi Corporation	-	Massa	Interrotto alla SIC	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	D1				780 W	Standard	D1	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Separare														Sosta sul campo di trincea	1700 V	280A		2,4 V a 15 V, 150 A				4 mA	NO	13 nF a 25 V
JAN2N3811L	-	Richiesta di offerta	1513	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/336	Massa	Obsoleto	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-78-6 Lattina di metallo	2N3811			350 mW		TO-78-6	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0095	1																60 V	50mA						10 µA (ICBO)			2 PNP (doppio)	250 mV a 100 µA, 1 mA	300 a 1 mA, 5 V	-