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Transistor(1315)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Ingresso	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Corrente - Interruzione collettore (max)	Termistore NTC	Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Figura di rumore (dB tipo @ f)
APTGT100SK120TG	-	Richiesta di offerta	7742	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP4			480 W	Standard	SP4	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	Separare													Sosta sul campo di trincea	1200 V	140A	2,1 V a 15 V, 100 A	250 µA	SÌ	7,2 nF a 25 V
APTGT580U60D4G	-	Richiesta di offerta	8448	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio su telaio	D4			1600 W	Standard	D4	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	Separare													Sosta sul campo di trincea	600 V	760 A	1,9 V a 15 V, 600 A	1 mA	NO	37 nF a 25 V
APTM20UM05SG	-	Richiesta di offerta	1792	Microsemi Corporation	-	Massa	Interrotto alla SIC	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo J3		MOSFET (ossido di metallo)			Modulo	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		200 V	317A(Tc)	10 V	5 mOhm a 158,5 A, 10 V	5 V a 10 mA	448 nC a 10 V	±30 V	27400 pF a 25 V	-	1136W(Tc)
APTGT25SK120D1G	-	Richiesta di offerta	7342	Microsemi Corporation	-	Massa	Interrotto alla SIC	-	Montaggio su telaio	D1			140 W	Standard	D1	-	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Separare													Sosta sul campo di trincea	1200 V	40A	2,1 V a 15 V, 25 A	5 mA	NO	1,8 nF a 25 V
APTGT75A1202G	-	Richiesta di offerta	9774	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP2			357 W	Standard	SP2	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	Mezzo ponte													Sosta sul campo di trincea	1200 V	110A	2,1 V a 15 V, 75 A	50 µA	NO	5,34 nF a 25 V
64053	-	Richiesta di offerta	2351	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto									-		Non applicabile		OBSOLETO	0000.00.0000	1
APTM120DSK57T3G	-	Richiesta di offerta	5981	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP3	APTM120	MOSFET (ossido di metallo)	390 W		SP3	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	2 canali N (doppio)			1200 V (1,2 kV)	17A		684 mOhm a 8,5 A, 10 V	5 V a 2,5 mA	187nC a 10 V		5155pF a 25V	-
APT20M38SVFRG	-	Richiesta di offerta	8457	Microsemi Corporation	POWER MOS V®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-268-3, D³Pak (2 cavi + linguatta), TO-268AA		MOSFET (ossido di metallo)			D3 [S]	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		200 V	67A(Tc)	10 V	38 mOhm a 500 mA, 10 V	4 V a 1 mA	225 nC a 10 V	±30 V	6120 pF a 25 V	-	370 W(Tc)
MS2200	-	Richiesta di offerta	3827	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	200°C (TJ)	Montaggio su telaio	M102			1167W		M102	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1			9,7dB												65 V	43.2A					NPN		20 a 5 A, 5 V	400 MHz~500 MHz	-
APT5SM170S	-	Richiesta di offerta	6411	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-268-3, D³Pak (2 cavi + linguatta), TO-268AA		SiCFET (carburo di silicio)			D3PAK	-		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		1700 V	4,6 A(Tc)	20 V	1,2 Ohm a 2 A, 20 V	3,2 V a 500 µA	29 nC a 20 V	+25 V, -10 V	325 pF a 1000 V	-	52 W (Tc)
APTC60DAM35T1G	-	Richiesta di offerta	9065	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP1		MOSFET (ossido di metallo)			SP1	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		600 V	72A(Tc)	10 V	35 mOhm a 72 A, 10 V	3,9 V a 5,4 mA	518 nC a 10 V	±20 V	14.000 pF a 25 V	-	416 W(Tc)
JAN2N6756	-	Richiesta di offerta	2744	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/542	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-204AA, TO-3		MOSFET (ossido di metallo)			TO-204AA (TO-3)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		100 V	14A (Tc)	10 V	210 mOhm a 14 A, 10 V	4 V a 250 µA	35 nC a 10 V	±20 V		-	4 W (Ta), 75 W (Tc)
MS2210	-	Richiesta di offerta	9201	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	200°C (TJ)	Montaggio su telaio	M216			940W		M216	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1			7dB												65 V	24A					NPN		10 a 5 A, 5 V	960 MHz ~ 1.215 GHz	-
APT5025BN	-	Richiesta di offerta	2142	Microsemi Corporation	POWER MOS IV®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		MOSFET (ossido di metallo)			TO-247 d.C	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN		500 V	23A(Tc)	10 V	250 mOhm a 11,5 A, 10 V	4 V a 1 mA	130 nC a 10 V	±30 V	2950 pF a 25 V	-	310 W(Tc)
APTGT75SK120D1G	-	Richiesta di offerta	8281	Microsemi Corporation	-	Massa	Interrotto alla SIC	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	D1			357 W	Standard	D1	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Separare													Sosta sul campo di trincea	1200 V	110A	2,1 V a 15 V, 75 A	4 mA	NO	5.345 nF a 25 V
VTV075	-	Richiesta di offerta	2277	Microsemi Corporation	*	Massa	Obsoleto									-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
2N6782	-	Richiesta di offerta	8010	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-205AF Lattina di metallo		MOSFET (ossido di metallo)			TO-39	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		100 V	3,5 A (TC)	10 V	600 mOhm a 2,25 A, 10 V	4 V a 250 µA	8,1 nC a 10 V	±20 V		-	800 mW (Ta), 15 W (Tc)
APT40SM120S	-	Richiesta di offerta	9811	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-268-3, D³Pak (2 cavi + linguatta), TO-268AA		SiCFET (carburo di silicio)			D3Pak	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		1200 V	41A(Tc)	20 V	100 mOhm a 20 A, 20 V	3 V a 1 mA (tip.)	130 nC a 20 V	+25 V, -10 V	2560 pF a 1000 V	-	273 W(Tc)
APT10M07JVR	-	Richiesta di offerta	3254	Microsemi Corporation	POWER MOS V®	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SOT-227-4, miniBLOC		MOSFET (ossido di metallo)			ISOTOP®	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		100 V	225A(Tc)	10 V		4 V a 5 mA	1050 nC a 10 V	±30 V	21600 pF a 25 V	-	700 W(Tc)
MRF5812M	-	Richiesta di offerta	2943	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto									-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
2N5095	-	Richiesta di offerta	5689	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-	Foro passante	TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo			4 W		TO-5	-	RoHS non conforme	Non applicabile		EAR99	8541.29.0095	1															500 V	1A		-			NPN	-	-	-
APT30M40B2VFRG	-	Richiesta di offerta	1941	Microsemi Corporation	POWER MOS V®	Tubo	Obsoleto		Foro passante	Variante TO-247-3		MOSFET (ossido di metallo)			T-MAX™ [B2]	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN		300 V	76A(Tc)	-	40 mOhm a 500 mA, 10 V	4 V a 2,5 mA	425 nC a 10 V	-	10200 pF a 25 V	-	-
APTC80H29T1G	-	Richiesta di offerta	1913	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP1	APTC80	MOSFET (ossido di metallo)	156 W		SP1	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	4 canali N (mezzo ponte)			800 V	15A		290 mOhm a 7,5 A, 10 V	3,9 V a 1 mA	90nC a 10V		2254 pF a 25 V	-
1035MP	-	Richiesta di offerta	2263	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	200°C (TJ)	Montaggio su telaio	55FW-1			125 W		55FW-1	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1			10dB~10,5dB												65 V	2,5 A					NPN		20 a 100 mA, 5 V	1,025 GHz ~ 1,15 GHz	-
APT14050JVFR	-	Richiesta di offerta	3606	Microsemi Corporation	POWER MOS V®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SOT-227-4, miniBLOC		MOSFET (ossido di metallo)			ISOTOP®	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	10		CanaleN		1400 V	23A(Tc)	10 V	500 mOhm a 11,5 A, 10 V	4 V a 5 mA	820 nC a 10 V	±30 V	13.500 pF a 25 V	-	694 W(Tc)
APT5014SLLG/TR	-	Richiesta di offerta	5653	Microsemi Corporation	POWERMOS7®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		MOSFET (ossido di metallo)			TO-247	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		500 V	35A (Tc)	10 V	140 mOhm a 17,5 A, 10 V	5 V a 1 mA	72 nC a 10 V	±30 V	3261 pF a 25 V	-	403 W(Tc)
JAN2N7224U	-	Richiesta di offerta	5531	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/592	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-267AB		MOSFET (ossido di metallo)			TO-267AB	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		100 V	34A (Tc)	10 V	81 mOhm a 34 A, 10 V	4 V a 250 µA	125 nC a 10 V	±20 V		-	4 W (Ta), 150 W (Tc)
UMIL10	-	Richiesta di offerta	3742	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	200°C (TJ)	Telaio, montaggio con perno	55 piedi			28 W		55 piedi	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1			10dB												30 V	1,5 A					NPN		10 a 200 mA, 5 V	100 MHz~400 MHz	-
2N7227	-	Richiesta di offerta	1365	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-254-3, TO-254AA (cavi diritti)		MOSFET (ossido di metallo)			TO-254AA	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		400 V	14A (Tc)	10 V	315 mOhm a 9 A, 10 V	4 V a 250 µA	110 nC a 10 V	±20 V		-	4 W (Ta), 150 W (Tc)
APTGT200A602G	-	Richiesta di offerta	6292	Microsemi Corporation	-	Massa	Attivo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP2	APTGT200		625 W	Standard	SP2	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	Mezzo ponte													Sosta sul campo di trincea	600 V	290A	1,9 V a 15 V, 200 A	50 µA	NO	12,3 nF a 25 V