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Transistor(1315)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Ingresso	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Condizione di prova	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tempo di recupero inverso (trr)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Corrente - Interruzione collettore (max)	Termistore NTC	Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Figura di rumore (dB tipo @ f)
APT80SM120J	-	Richiesta di offerta	1845	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio su telaio	SOT-227-4, miniBLOC			SiCFET (carburo di silicio)			SOT-227	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN			1200 V	51A(Tc)	20 V	55 mOhm a 40 A, 20 V	2,5 V a 1 mA	235 nC a 20 V	+25 V, -10 V		-	273 W(Tc)
JAN2N5014S	-	Richiesta di offerta	3417	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/727	Massa	Obsoleto	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo				1 W		TO-39 (TO-205AD)	-	RoHS non conforme	Non applicabile		EAR99	8541.29.0095	1																	900 V	200 mA					10nA (ICBO)			NPN		30 a 20 mA, 10 V	-
2N5014	-	Richiesta di offerta	3349	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo				1 W		TO-5	-		Non applicabile		EAR99	8541.29.0095	1																	900 V	200 mA					10nA (ICBO)			NPN		30 a 20 mA, 10 V	-
APTM10DHM09TG	-	Richiesta di offerta	3898	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP4	APTM10		MOSFET (ossido di metallo)	390 W		SP4	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	2 canali N (doppio) asimmetrico				100 V	139A		10 mOhm a 69,5 A, 10 V	4 V a 2,5 mA	350 nC a 10 V		9875 pF a 25 V	-
SD1419-06H	-	Richiesta di offerta	7269	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto										-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
2N7225	-	Richiesta di offerta	7882	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-254-3, TO-254AA (cavi diritti)			MOSFET (ossido di metallo)			TO-254AA	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN			200 V	27,4 A(Tc)	10 V	100 mOhm a 17 A, 10 V	4 V a 250 µA	115 nC a 10 V	±20 V		-	4 W (Ta), 150 W (Tc)
2N6790U	-	Richiesta di offerta	5573	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	18-CLCC			MOSFET (ossido di metallo)			18-ULCC (9,14x7,49)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0095	1		CanaleN			200 V	2,8 A(Tc)	10 V	800 mOhm a 2,25 A, 10 V	4 V a 250 µA	14,3 nC a 10 V	±20 V		-	800 mW(Tc)
JANTX2N2857UB	-	Richiesta di offerta	1844	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo				200 mW		UB	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1				21dB													15 V	40mA								NPN		30 a 3 mA, 1 V	-	4,5 dB a 450 MHz
2C5012	-	Richiesta di offerta	3130	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-	-	-						-	-	RoHS non conforme	Non applicabile		OBSOLETO	0000.00.0000	1																							-			-	-	-	-
APT45GR65BSCD10	-	Richiesta di offerta	5467	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	APT45GR65	Standard		543 W		TO-247	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1			433 V, 45 A, 4,3 Ohm, 15 V												80 ns	TNP	650 V	118A	224A	2,4 V a 15 V, 45 A	203 nC	15ns/100ns
JANTXV2N6768	-	Richiesta di offerta	5619	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/543	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-204AE			MOSFET (ossido di metallo)			TO-204AE (TO-3)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN			400 V	14A (Tc)	10 V	400 mOhm a 14 A, 10 V	4 V a 250 µA	110 nC a 10 V	±20 V		-	4 W (Ta), 150 W (Tc)
MDS400	-	Richiesta di offerta	3160	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	200°C (TJ)	Montaggio su telaio	55KT				1450 W		55KT	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1				6,5dB													55 V	40A								NPN		10 a 1 A, 5 V	1,03GHz~1,09GHz	-
2A8	-	Richiesta di offerta	6714	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	150°C (TJ)	Montaggio su telaio	55UE				5,3 W		55UE	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1				7dB~9dB													21 V	300mA								NPN		20 a 100 mA, 5 V	2GHz	-
MRF5812MR1	-	Richiesta di offerta	1433	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto										-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
APTGF90DA60TG	-	Richiesta di offerta	8081	Microsemi Corporation	-	Massa	Interrotto alla SIC	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP4				416 W	Standard	SP4	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Separare															TNP	600 V	110A		2,5 V a 15 V, 90 A			250 µA	SÌ	4,3 nF a 25 V
2N3960	-	Richiesta di offerta	2949	Microsemi Corporation	-	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-206AA, TO-18-3 Contenitore in metallo	2N3960			400 mW		TO-18 (TO-206AA)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0095	100																	12 V						10 µA (ICBO)			NPN	300 mV a 3 mA, 30 mA	60 a 10 mA, 1 V	-
MS2554A	-	Richiesta di offerta	7265	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	200°C	Montaggio su telaio	M216				600 W		M216	-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1				6,2dB													65 V	17,8A								NPN		15 a 1 A, 5 V	1,025 GHz ~ 1,15 GHz	-
MS2575A	-	Richiesta di offerta	9629	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto										-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
2N3960UB	-	Richiesta di offerta	4947	Microsemi Corporation	-	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo				400 mW		UB	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0095	100																	12 V						10 µA (ICBO)			NPN	300 mV a 3 mA, 30 mA	60 a 10 mA, 1 V	-
62089	-	Richiesta di offerta	9600	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto										-		Non applicabile		OBSOLETO	0000.00.0000	1
2N7334	-	Richiesta di offerta	7989	Microsemi Corporation	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	14 DIP (0,300", 7,62 mm)	2N733		MOSFET (ossido di metallo)	1,4 W		MO-036AB	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	4 canali N				100 V	1A		700 mOhm a 600 mA, 10 V	4 V a 250 µA	60nC a 10V		-	-
APTC90H12T2G	-	Richiesta di offerta	3553	Microsemi Corporation	CoolMOS™	Vassoio	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP2	APTC90		MOSFET (ossido di metallo)	250 W		SP2	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	4 canali N (mezzo ponte)				900 V	30A		120 mOhm a 26 A, 10 V	3,5 V a 3 mA	270nC a 10V		6800 pF a 100 V	Super giunzione
JAN2N6762	-	Richiesta di offerta	4932	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/542	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-204AA, TO-3			MOSFET (ossido di metallo)			TO-204AA (TO-3)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN			500 V	4,5 A(Tc)	10 V	1,8 Ohm a 4,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	40 nC a 10 V	±20 V		-	4 W (Ta), 75 W (Tc)
APTM100A23SCTG	-	Richiesta di offerta	7619	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP4	APTM100		Carburo di silicio (SiC)	694W		SP4	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	2 canali N (mezzo ponte)				1000 V (1 kV)	36A		270 mOhm a 18 A, 10 V	5 V a 5 mA	308nC a 10V		8700 pF a 25 V	-
JAN2N7334	-	Richiesta di offerta	7192	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/597	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	14 DIP (0,300", 7,62 mm)	2N733		MOSFET (ossido di metallo)	1,4 W		MO-036AB	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	4 canali N				100 V	1A		700 mOhm a 600 mA, 10 V	4 V a 250 µA	60nC a 10V		-	-
TAN150	-	Richiesta di offerta	9279	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	200°C (TJ)	Montaggio su telaio	55AT				583W		55AT	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1				7dB													55 V	15A								NPN		10 a 1 A, 5 V	960 MHz ~ 1.215 GHz	-
MS1000	-	Richiesta di offerta	7020	Microsemi Corporation	*	Massa	Obsoleto										-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
APT5012JN	-	Richiesta di offerta	2325	Microsemi Corporation	POWER MOS IV®	Vassoio	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SOT-227-4, miniBLOC			MOSFET (ossido di metallo)			ISOTOP®	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN			500 V	43A(Tc)	10 V	120 mOhm a 21,5 A, 10 V	4 V a 2,5 mA	370 nC a 10 V	±30 V	6500 pF a 25 V	-	520 W(Tc)
MS2213	-	Richiesta di offerta	2256	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	250°C (TJ)	Montaggio su telaio	M214				75 W		M214	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1				7,8dB													55 V	3,5 A								NPN		15 a 1 A, 5 V	960 MHz ~ 1.215 GHz	-
APTGT35DA120D1G	-	Richiesta di offerta	6218	Microsemi Corporation	-	Massa	Interrotto alla SIC	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	D1				205 W	Standard	D1	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Separare															Sosta sul campo di trincea	1200 V	55A		2,1 V a 15 V, 35 A			5 mA	NO	2,5 nF a 25 V