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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Tecnologia | Potenza: max | Ingresso | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Tipo FET | Condizione di prova | Guadagno | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Tipo IGBT | Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | Corrente - Collettore (Ic) (Max) | Corrente - Collettore pulsato (Icm) | Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic | Cambiare energia | Carica di cancello | Td (acceso/spento) @ 25°C | Corrente - Interruzione collettore (max) | Termistore NTC | Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | Tipo di transistor | Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic | Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequenza - Transizione | Figura di rumore (dB tipo @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | C1-28Z | - | ![]() | 4180 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | - | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DME375A | - | ![]() | 9385 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | 200°C (TJ) | Montaggio su telaio | 55AW | 375 W | 55AW | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 6,5dB | 55 V | 30A | NPN | 10 a 300 mA, 5 V | 1,025 GHz ~ 1,15 GHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JAN2N5014 | - | ![]() | 1166 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/727 | Massa | Obsoleto | -65°C ~ 200°C (TJ) | Foro passante | TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo | 1 W | TO-5 | - | RoHS non conforme | Non applicabile | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 900 V | 200 mA | 10nA (ICBO) | NPN | 30 a 20 mA, 10 V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT100DDA60T3G | - | ![]() | 5509 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio su telaio | SP3 | 340 W | Standard | SP3 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Chopper a doppia spinta | Sosta sul campo di trincea | 600 V | 150A | 1,9 V a 15 V, 100 A | 250 µA | SÌ | 6,1 nF a 25 V | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGV75H60T3G | - | ![]() | 9183 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | - | Montaggio su telaio | SP3 | 250 W | Standard | SP3 | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Invertitore a ponte intero | TNP, Fermata ai campi di trincea | 600 V | 100A | 1,9 V a 15 V, 75 A | 250 µA | SÌ | 4,62 nF a 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT50DA120D1G | - | ![]() | 5210 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Interrotto alla SIC | - | Montaggio su telaio | D1 | 270 W | Standard | D1 | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Separare | Sosta sul campo di trincea | 1200 V | 75A | 2,1 V a 15 V, 50 A | 5 mA | NO | 3,6 nF a 25 V | |||||||||||||||||||||||||||
| APT6017LFLLG | 19.2000 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | POWERMOS7® | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-264-3, TO-264AA | MOSFET (ossido di metallo) | TO-264 [L] | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | CanaleN | 600 V | 35A (Tc) | 10 V | 170 mOhm a 17,5 A, 10 V | 5 V a 2,5 mA | 100 nC a 10 V | ±30 V | 4500 pF a 25 V | - | 500 W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 1075MP | - | ![]() | 5149 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | 200°C (TJ) | Montaggio su telaio | 55FW-1 | 250 W | 55FW-1 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 7,6dB~8,5dB | 65 V | 6,5 A | NPN | 20 a 100 mA, 5 V | 1,025 GHz ~ 1,15 GHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT30GS60BRDLG | - | ![]() | 7110 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-247-3 | APT30GS60 | Standard | 250 W | TO-247 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 400 V, 30 A, 9,1 Ohm, 15 V | TNP | 600 V | 54A | 113A | 3,15 V a 15 V, 30 A | 570μJ (spento) | 145 nC | 16ns/360ns | ||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGV100H60BTPG | - | ![]() | 9515 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | - | Montaggio su telaio | SP6 | 340 W | Standard | SP6-P | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Boost Chopper, ponte intero | TNP, Fermata ai campi di trincea | 600 V | 150A | 1,9 V a 15 V, 100 A | 250 µA | SÌ | 6,1 nF a 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT30DA170T1G | - | ![]() | 6468 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | SP1 | 210 W | Standard | SP1 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Separare | Sosta sul campo di trincea | 1700 V | 45A | 2,4 V a 15 V, 30 A | 250 µA | SÌ | 2,5 nF a 25 V | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 10A030 | - | ![]() | 3441 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | 200°C (TJ) | Montaggio a perno | 55 piedi | 13 W | 55 piedi | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 7,8dB~8,5dB | 24 V | 1,5 A | NPN | 20 a 200 mA, 5 V | 2,5GHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MS2311 | - | ![]() | 4985 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | * | Massa | Obsoleto | - | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JAN2N6802 | - | ![]() | 2975 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/557 | Massa | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-205AF Lattina di metallo | MOSFET (ossido di metallo) | TO-39 | - | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | CanaleN | 500 V | 2,5 A (TC) | 10 V | 1,6 Ohm a 2,5 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 33 nC a 10 V | ±20 V | - | 800 mW (Ta), 25 W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | MS2279 | - | ![]() | 5748 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | - | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANS2N6249T1 | - | ![]() | 1650 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/510 | Massa | Attivo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Foro passante | TO-254-3, TO-254AA (cavi diritti) | 2N6249 | 6 W | TO-254AA | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 200 V | 10A | 1mA | NPN | 1,5 V a 1 A, 10 A | 10 a 10 A, 3 V | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT18F60S | - | ![]() | 9706 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | POWERMOS8™ | Tubo | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-268-3, D³Pak (2 cavi + linguatta), TO-268AA | APT18F60 | MOSFET (ossido di metallo) | D3Pak | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | CanaleN | 600 V | 19A(Tc) | 10 V | 370 mOhm a 9 A, 10 V | 5 V a 1 mA | 90 nC a 10 V | ±30 V | 3550 pF a 25 V | - | 335 W(Tc) | |||||||||||||||||||||||
![]() | 2307P | - | ![]() | 5493 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | * | Massa | Obsoleto | - | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SD1372-01H | - | ![]() | 3176 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | - | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTXV2N6764T1 | - | ![]() | 4486 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/543 | Massa | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-254-3, TO-254AA (cavi diritti) | MOSFET (ossido di metallo) | TO-254AA | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | CanaleN | 100 V | 38A(Tc) | 10 V | 65 mOhm a 38 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 125 nC a 10 V | ±20 V | - | 4 W (Ta), 150 W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||
| APT50GF60JCU2 | - | ![]() | 4817 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Telaio, montaggio con perno | SOT-227-4, miniBLOC | 277 W | Standard | SOT-227 | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Separare | TNP | 600 V | 70A | 2,45 V a 15 V, 50 A | 250 µA | NO | 2,2 nF a 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 60180 | - | ![]() | 8885 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | - | Non applicabile | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT100SK60T1G | - | ![]() | 2688 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio su telaio | SP4 | 340 W | Standard | SP4 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Separare | Sosta sul campo di trincea | 600 V | 150A | 1,9 V a 15 V, 100 A | 250 µA | SÌ | 6,1 nF a 25 V | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | ITC1100 | - | ![]() | 4482 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | 200°C (TJ) | Montaggio su telaio | 55SW | 3400W | 55SW | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 10dB~10,5dB | 65 V | 80A | NPN | 10 a 5 A, 5 V | 1,03GHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MS2213 | - | ![]() | 2256 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | 250°C (TJ) | Montaggio su telaio | M214 | 75 W | M214 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 7,8dB | 55 V | 3,5 A | NPN | 15 a 1 A, 5 V | 960 MHz ~ 1.215 GHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5012S | - | ![]() | 5149 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/727 | Massa | Obsoleto | -65°C ~ 200°C (TJ) | Foro passante | TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo | 1 W | TO-39 (TO-205AD) | - | RoHS non conforme | Non applicabile | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 700 V | 200 mA | 10nA (ICBO) | NPN | 1,6 V a 5 mA, 25 mA | 30 a 25 mA, 10 V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTXV2N3811U | - | ![]() | 4467 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/336 | Massa | Obsoleto | -65°C ~ 200°C (TJ) | Foro passante | TO-78-6 Lattina di metallo | 2N3811 | 350 mW | TO-78-6 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 V | 50mA | 10 µA (ICBO) | 2 PNP (doppio) | 250 mV a 100 µA, 1 mA | 300 a 1 mA, 5 V | - | |||||||||||||||||||||||||||
| JAN2N5012S | - | ![]() | 6568 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/727 | Massa | Obsoleto | -65°C ~ 200°C (TJ) | Foro passante | TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo | 1 W | TO-39 (TO-205AD) | - | RoHS non conforme | Non applicabile | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 700 V | 200 mA | 10nA (ICBO) | NPN | 30 a 25 mA, 10 V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF559GT | - | ![]() | 3402 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | - | - | - | 2 W | - | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 9,5dB | 16V | 150mA | NPN | 30 a 50 mA, 10 V | 870 MHz | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT5F100K | - | ![]() | 2014 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | POWERMOS8™ | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-220 [K] | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | CanaleN | 1000 V | 5A (Tc) | 10 V | 2,8 Ohm a 3 A, 10 V | 5 V a 500 µA | 43 nC a 10 V | ±30 V | 1409 pF a 25 V | - | 225 W(Tc) |

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