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Transistor(1315)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Ingresso	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Condizione di prova	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Corrente - Interruzione collettore (max)	Termistore NTC	Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Figura di rumore (dB tipo @ f)
MS2441	-	Richiesta di offerta	3373	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	200°C (TJ)	Montaggio su telaio	M112				1458 W		M112	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1				6,5dB												65 V	22A									NPN		5 a 250 mA, 5 V	1,025 GHz ~ 1,15 GHz	-
2N6770	-	Richiesta di offerta	4270	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-204AE			MOSFET (ossido di metallo)			TO-3	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN			500 V	12A (Tc)	10 V	500 mOhm a 12 A, 10 V	4 V a 250 µA	120 nC a 10 V	±20 V		-	4 W (Ta), 150 W (Tc)
APTGT75H60T2G	-	Richiesta di offerta	1814	Microsemi Corporation	-	Massa	Attivo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP2	APTGT75			250 W	Standard	SP2	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	Invertitore a ponte intero														Sosta sul campo di trincea	600 V	100A		1,9 V a 15 V, 75 A				250 µA	SÌ	4,62 nF a 25 V
JANTXV2N6764T1	-	Richiesta di offerta	4486	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/543	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-254-3, TO-254AA (cavi diritti)			MOSFET (ossido di metallo)			TO-254AA	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN			100 V	38A(Tc)	10 V	65 mOhm a 38 A, 10 V	4 V a 250 µA	125 nC a 10 V	±20 V		-	4 W (Ta), 150 W (Tc)
JAN2N5012S	-	Richiesta di offerta	6568	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/727	Massa	Obsoleto	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo				1 W		TO-39 (TO-205AD)	-	RoHS non conforme	Non applicabile		EAR99	8541.29.0095	1																700 V	200 mA						10nA (ICBO)			NPN		30 a 25 mA, 10 V	-
APTGT35DA120D1G	-	Richiesta di offerta	6218	Microsemi Corporation	-	Massa	Interrotto alla SIC	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	D1				205 W	Standard	D1	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Separare														Sosta sul campo di trincea	1200 V	55A		2,1 V a 15 V, 35 A				5 mA	NO	2,5 nF a 25 V
APT11N80KC3G	-	Richiesta di offerta	8224	Microsemi Corporation	CoolMOS™	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)			TO-220 [K]	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN			800 V	11A(Tc)	10 V	450 mOhm a 7,1 A, 10 V	3,9 V a 680 µA	60 nC a 10 V	±20 V	1585 pF a 25 V	-	156 W(Tc)
MRF8372GR2	-	Richiesta di offerta	5767	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)				2,2 W		8-SO	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0075	2.500				8dB~9,5dB												16V	200mA									NPN		30 a 50 mA, 5 V	870 MHz	-
2N2221AUB	7.7007	Richiesta di offerta	6826	Microsemi Corporation	-	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, cavo piatto	2N2221			500 mW		3-SMD	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0095	1																50 V	800 mA						50nA			NPN	1 V a 50 mA, 500 mA	40 a 150 mA, 10 V	-
90025HS	-	Richiesta di offerta	4641	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto										-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
APT50GT120B2RDLG	18.4500	Richiesta di offerta	8	Microsemi Corporation	Thunderbolt IGBT®	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	Variante TO-247-3	APT50GT120	Standard		694 W			scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	30			800 V, 50 A, 4,7 Ohm, 15 V												TNP	1200 V	106A	150A	3,7 V a 15 V, 50 A	3585μJ (acceso), 1910μJ (spento)	240 nC	23ns/215ns
APT5012JN	-	Richiesta di offerta	2325	Microsemi Corporation	POWER MOS IV®	Vassoio	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SOT-227-4, miniBLOC			MOSFET (ossido di metallo)			ISOTOP®	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN			500 V	43A(Tc)	10 V	120 mOhm a 21,5 A, 10 V	4 V a 2,5 mA	370 nC a 10 V	±30 V	6500 pF a 25 V	-	520 W(Tc)
APTM100H80FT1G	-	Richiesta di offerta	9861	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP1	APTM100		MOSFET (ossido di metallo)	208 W		SP1	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	4 canali N (mezzo ponte)				1000 V (1 kV)	11A		960 mOhm a 9 A, 10 V	5 V a 1 mA	150 nC a 10 V		3876pF a 25V	-
MS1579	-	Richiesta di offerta	2613	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	200°C (TJ)	Montaggio su telaio	M156				65 W		M156	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	OBSOLETO	0000.00.0000	1				8,5dB												25 V	5.2A									NPN		10 a 500 mA, 20 V	470 MHz~860 MHz	-
MS2284	-	Richiesta di offerta	2388	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto										-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
64065	-	Richiesta di offerta	7262	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto										-		Non applicabile		OBSOLETO	0000.00.0000	1
70062A	-	Richiesta di offerta	2454	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto										-		Non applicabile		OBSOLETO	0000.00.0000	1
MS1014	-	Richiesta di offerta	4540	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto										-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
APTM100TDU35PG	-	Richiesta di offerta	2316	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP6	APTM100		MOSFET (ossido di metallo)	390 W		SP6-P	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	6 canali N (ponte trifase)				1000 V (1 kV)	22A		420 mOhm a 11 A, 10 V	5 V a 2,5 mA	186 nC a 10 V		5200 pF a 25 V	-
JANTXV2N6798	-	Richiesta di offerta	8573	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/557	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-205AF Lattina di metallo			MOSFET (ossido di metallo)			TO-205AF (TO-39)	-	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN			200 V	5,5 A (TC)	10 V	420 mOhm a 5,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	42,07 nC a 10 V	±20 V		-	800 mW (Ta), 25 W (Tc)
APT40GR120B2SCD10	-	Richiesta di offerta	1393	Microsemi Corporation	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	APT40GR120	Standard		500 W		TO-247	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	30			600 V, 40 A, 4,3 Ohm, 15 V												TNP	1200 V	88A	160A	3,2 V a 15 V, 40 A	929μJ (acceso), 1070μJ (spento)	210 nC	20ns/166ns
JANS2N6251T1	-	Richiesta di offerta	3696	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/510	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-254-3, TO-254AA (cavi diritti)	2N6251			6 W		TO-254AA	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1																350 V	10A						1mA			NPN	1,5 V a 1,67 A, 10 A	6 a 10 A, 3 V	-
40036S	-	Richiesta di offerta	1746	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto										-		Non applicabile		OBSOLETO	0000.00.0000	1
MS2207	-	Richiesta di offerta	4042	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	250°C (TJ)	Montaggio su telaio	M216				880W		M216	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1				8dB												65 V	24A									NPN		10 a 5 A, 5 V	1,09GHz	-
MS2393	-	Richiesta di offerta	9370	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	200°C (TJ)	Montaggio su telaio	M138				583W		M138	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1				8,2dB												65 V	11A									NPN		5 a 300 mA, 5 V	1,025 GHz ~ 1,15 GHz	-
MS2554A	-	Richiesta di offerta	7265	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	200°C	Montaggio su telaio	M216				600 W		M216	-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1				6,2dB												65 V	17,8A									NPN		15 a 1 A, 5 V	1,025 GHz ~ 1,15 GHz	-
42126	-	Richiesta di offerta	6211	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto										-		Non applicabile		OBSOLETO	0000.00.0000	1
2N3960	-	Richiesta di offerta	2949	Microsemi Corporation	-	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-206AA, TO-18-3 Contenitore in metallo	2N3960			400 mW		TO-18 (TO-206AA)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0095	100																12 V							10μA (ICBO)			NPN	300 mV a 3 mA, 30 mA	60 a 10 mA, 1 V	-
MS2213	-	Richiesta di offerta	2256	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	250°C (TJ)	Montaggio su telaio	M214				75 W		M214	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1				7,8dB												55 V	3,5 A									NPN		15 a 1 A, 5 V	960 MHz ~ 1.215 GHz	-
APTGF90DA60D1G	-	Richiesta di offerta	2309	Microsemi Corporation	-	Massa	Interrotto alla SIC	-	Montaggio su telaio	D1				445 W	Standard	D1	-	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Separare														TNP	600 V	130A		2,45 V a 15 V, 100 A				500 µA	NO	4,3 nF a 25 V