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Transistor(1315)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Ingresso	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Corrente - Interruzione collettore (max)	Termistore NTC	Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Figura di rumore (dB tipo @ f)
MS2502W	-	Richiesta di offerta	5090	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto									-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
APTGT150A170G	-	Richiesta di offerta	9825	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-	Montaggio su telaio	SP6			890 W	Standard	SP6	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	Mezzo ponte													Sosta sul campo di trincea	1700 V	250 A	2,4 V a 15 V, 150 A	350 µA	NO	13,5 nF a 25 V
APT30M70SVRG	-	Richiesta di offerta	3901	Microsemi Corporation	POWER MOS V®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-268-3, D³Pak (2 cavi + linguatta), TO-268AA		MOSFET (ossido di metallo)			D3 [S]	-		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN		300 V	48A(Tc)	10 V	70 mOhm a 500 mA, 10 V	4 V a 1 mA	225 nC a 10 V	±30 V	5870 pF a 25 V	-	370 W(Tc)
JANSR2N7262U	-	Richiesta di offerta	4017	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/601	Vassoio	Obsoleto	-55°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	18-CLCC		MOSFET (ossido di metallo)			18-ULCC (9,14x7,49)	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		200 V	5,5 A (TC)	12V	364 mOhm a 5,5 A, 12 V	4 V a 1 mA	50 nC a 12 V	±20 V		-	25 W (Tc)
APT17N80BC3G	-	Richiesta di offerta	9033	Microsemi Corporation	CoolMOS™	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		MOSFET (ossido di metallo)			TO-247-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN		800 V	17A(Tc)	10 V	290 mOhm a 11 A, 10 V	3,9 V a 1 mA	90 nC a 10 V	±20 V	2250 pF a 25 V	-	208 W(Tc)
TAN500	-	Richiesta di offerta	2261	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	200°C (TJ)	Montaggio su telaio	55ST			2500W		55ST	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1			9dB												75 V	50A					NPN		20 a 1 A, 5 V	960 MHz ~ 1.215 GHz	-
60180	-	Richiesta di offerta	8885	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto									-		Non applicabile		OBSOLETO	0000.00.0000	1
2N6796U	-	Richiesta di offerta	7583	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	18-CLCC		MOSFET (ossido di metallo)			18-ULCC (9,14x7,49)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		100 V	8A (Tc)	10 V	180 mOhm a 5 A, 10 V	4 V a 250 mA	6,34 nC a 10 V	±20 V		-	800 mW (Ta), 25 W (Tc)
SD1013	-	Richiesta di offerta	2080	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	200°C (TJ)	Montaggio su telaio	M135			13 W		M135	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	OBSOLETO	0000.00.0000	1			10dB												35 V	1A					NPN		10 a 200 mA, 5 V	150 MHz	-
JAN2N3960UB	-	Richiesta di offerta	1666	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/399	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo	2N3960		400 mW		UB	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0095	100															12 V			10 µA (ICBO)			NPN	300 mV a 3 mA, 30 mA	60 a 10 mA, 1 V	-
MS2506	-	Richiesta di offerta	6497	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto									-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
JANTXV2N5013S	-	Richiesta di offerta	4075	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/727	Massa	Obsoleto	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo			1 W		TO-39 (TO-205AD)	-	RoHS non conforme	Non applicabile		EAR99	8541.29.0095	1															800 V	200 mA		10nA (ICBO)			NPN		30 a 20 mA, 10 V	-
JANTX2N3251A	-	Richiesta di offerta	7162	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/323	Massa	Obsoleto	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo	2N3251		360 mW		TO-39 (TO-205AD)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0095	1															60 V	200 mA		10 µA (ICBO)			PNP	500mV a 5mA, 50mA	100 a 10 mA, 1 V	-
MRF555T	-	Richiesta di offerta	9235	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-	Montaggio superficiale	Macro di potenza	MRF555		3 W		Macro di potenza	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1.000			11dB~12,5dB												16V	500mA					NPN		50 a 100 mA, 5 V	-	-
40033	-	Richiesta di offerta	7727	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto									-		Non applicabile		OBSOLETO	0000.00.0000	1
61070	-	Richiesta di offerta	6431	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto									-		Non applicabile		OBSOLETO	0000.00.0000	1
JANTX2N3811U	-	Richiesta di offerta	9759	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/336	Massa	Obsoleto	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-78-6 Lattina di metallo	2N3811		350 mW		TO-78-6	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0095	1															60 V	50mA		10 µA (ICBO)			2 PNP (doppio)	250 mV a 100 µA, 1 mA	300 a 1 mA, 5 V	-
MRF553	-	Richiesta di offerta	5786	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-					3 W			scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0075	1.000			11,5dB												16V	500mA					NPN		30 a 250 mA, 5 V	175 MHz	-
APTM50AM70FT1G	-	Richiesta di offerta	6015	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP1	APTM50	MOSFET (ossido di metallo)	390 W		SP1	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	2 canali N (mezzo ponte)			500 V	50A		84 mOhm a 42 A, 10 V	5 V a 2,5 mA	340 nC a 10 V		10800 pF a 25 V	-
S200-50	-	Richiesta di offerta	5529	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	150°C (TJ)	Montaggio su telaio	55HX			320 W		55HX	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1			12dB~14,5dB												110 V	30A					NPN		10 a 1 A, 5 V	1,5 MHz ~ 30 MHz	-
2N6800U	-	Richiesta di offerta	9002	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	18-CLCC		MOSFET (ossido di metallo)			18-ULCC (9,14x7,49)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		400 V	3A (Tc)	10 V	1 Ohm a 2 A, 10 V	4 V a 250 µA	5,75 nC a 10 V	±20 V		-	800 mW (Ta), 25 W (Tc)
APTGF180DA60TG	-	Richiesta di offerta	5212	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-	Montaggio su telaio	SP4			833 W	Standard	SP4	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Separare													TNP	600 V	220A	2,5 V a 15 V, 180 A	300 µA	SÌ	8,6 nF a 25 V
JANTX2N2857UB	-	Richiesta di offerta	1844	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo			200 mW		UB	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1			21dB												15 V	40mA					NPN		30 a 3 mA, 1 V	-	4,5 dB a 450 MHz
JANTXV2N6768	-	Richiesta di offerta	5619	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/543	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-204AE		MOSFET (ossido di metallo)			TO-204AE (TO-3)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		400 V	14A (Tc)	10 V	400 mOhm a 14 A, 10 V	4 V a 250 µA	110 nC a 10 V	±20 V		-	4 W (Ta), 150 W (Tc)
2N5014	-	Richiesta di offerta	3349	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo			1 W		TO-5	-		Non applicabile		EAR99	8541.29.0095	1															900 V	200 mA		10nA (ICBO)			NPN		30 a 20 mA, 10 V	-
APTGF90DA60TG	-	Richiesta di offerta	8081	Microsemi Corporation	-	Massa	Interrotto alla SIC	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP4			416 W	Standard	SP4	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Separare													TNP	600 V	110A	2,5 V a 15 V, 90 A	250 µA	SÌ	4,3 nF a 25 V
MRF5812MR1	-	Richiesta di offerta	1433	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto									-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
MDS400	-	Richiesta di offerta	3160	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	200°C (TJ)	Montaggio su telaio	55KT			1450 W		55KT	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1			6,5dB												55 V	40A					NPN		10 a 1 A, 5 V	1,03GHz~1,09GHz	-
2A8	-	Richiesta di offerta	6714	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	150°C (TJ)	Montaggio su telaio	55UE			5,3 W		55UE	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1			7dB~9dB												21 V	300mA					NPN		20 a 100 mA, 5 V	2GHz	-
APT5F100K	-	Richiesta di offerta	2014	Microsemi Corporation	POWERMOS8™	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3		MOSFET (ossido di metallo)			TO-220 [K]	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN		1000 V	5A (Tc)	10 V	2,8 Ohm a 3 A, 10 V	5 V a 500 µA	43 nC a 10 V	±30 V	1409 pF a 25 V	-	225 W(Tc)